STD26P3LLH6 – Der P-Kanal MOSFET für Ihre anspruchsvollen Projekte
Entdecken Sie den STD26P3LLH6, einen leistungsstarken P-Kanal MOSFET, der mit seinen herausragenden Eigenschaften und seiner Robustheit überzeugt. Dieser 30V MOSFET mit einem maximalen Dauerstrom von 12A und einem niedrigen Einschaltwiderstand von nur 0,03 Ohm im TO252 Gehäuse ist die ideale Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen, bei denen Effizienz und Zuverlässigkeit an erster Stelle stehen. Lassen Sie sich von der Leistungsfähigkeit und Vielseitigkeit dieses Bauteils inspirieren und realisieren Sie Ihre innovativsten Elektronikprojekte.
Technische Details, die überzeugen
Der STD26P3LLH6 ist mehr als nur ein MOSFET; er ist ein Schlüsselbaustein für Ihre ambitionierten Elektronikprojekte. Seine präzisen technischen Spezifikationen ermöglichen eine optimale Leistung in unterschiedlichsten Anwendungsbereichen. Hier ein detaillierter Blick auf die wichtigsten Merkmale:
- P-Kanal MOSFET: Ideal für High-Side-Schaltungen und Anwendungen, bei denen eine negative Gate-Spannung zum Einschalten benötigt wird.
- Spannungsfestigkeit von 30V: Bietet ausreichend Spielraum für Anwendungen in Niederspannungssystemen und schützt vor Überspannungen.
- Dauerstrom von 12A: Ermöglicht die Steuerung von Lasten mit hohem Strombedarf und sorgt für eine zuverlässige Stromversorgung.
- Niedriger Einschaltwiderstand (RDS(on)) von 0,03 Ohm: Minimiert die Verlustleistung und sorgt für einen hohen Wirkungsgrad der Schaltung.
- TO252 Gehäuse: Kompakte Bauform für eine einfache Integration in bestehende Schaltungen und optimierte Wärmeableitung.
Anwendungsbereiche, die begeistern
Die Vielseitigkeit des STD26P3LLH6 kennt kaum Grenzen. Ob in der Automobiltechnik, der industriellen Automatisierung oder in Consumer-Elektronik – dieser MOSFET ist überall dort zu finden, wo es auf Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit ankommt. Tauchen Sie ein in die Welt der Möglichkeiten und entdecken Sie, wie der STD26P3LLH6 Ihre Projekte beflügeln kann:
- Lastschalter: Effiziente Steuerung von Stromkreisen in batteriebetriebenen Geräten und portablen Anwendungen.
- DC-DC-Wandler: Optimierung der Effizienz und Leistung von Spannungswandlern für eine Vielzahl von Anwendungen.
- Motorsteuerung: Präzise und zuverlässige Steuerung von Motoren in Robotik, Automatisierung und Modellbau.
- Power Management: Effizientes Energiemanagement in Systemen, die eine optimale Batterielaufzeit erfordern.
- LED-Anwendungen: Steuerung von LED-Beleuchtungssystemen mit hoher Effizienz und präziser Dimmfunktion.
Die Vorteile des STD26P3LLH6 im Überblick
Was macht den STD26P3LLH6 so besonders? Es ist die Kombination aus herausragenden technischen Eigenschaften, vielseitigen Einsatzmöglichkeiten und der Gewissheit, ein zuverlässiges Bauteil für Ihre Projekte zu verwenden. Lassen Sie uns die Vorteile noch einmal zusammenfassen:
- Hohe Effizienz: Der niedrige Einschaltwiderstand minimiert die Verlustleistung und sorgt für einen hohen Wirkungsgrad Ihrer Schaltungen.
- Zuverlässigkeit: Der STD26P3LLH6 ist robust und widerstandsfähig gegenüber extremen Bedingungen, was eine lange Lebensdauer gewährleistet.
- Einfache Integration: Das TO252 Gehäuse ermöglicht eine einfache Integration in bestehende Schaltungen und optimiert die Wärmeableitung.
- Vielseitigkeit: Der STD26P3LLH6 eignet sich für eine breite Palette von Anwendungen und bietet Ihnen maximale Flexibilität bei der Gestaltung Ihrer Projekte.
- Kosteneffizienz: Trotz seiner hohen Leistung und Zuverlässigkeit ist der STD26P3LLH6 eine kostengünstige Lösung für Ihre Elektronikprojekte.
Technische Daten im Detail
Für den anspruchsvollen Entwickler ist es wichtig, alle technischen Details im Blick zu haben. Hier finden Sie eine detaillierte Tabelle mit den wichtigsten Parametern des STD26P3LLH6:
Parameter | Wert | Einheit |
---|---|---|
Drain-Source-Spannung (Vds) | -30 | V |
Gate-Source-Spannung (Vgs) | ±20 | V |
Dauerstrom (Id) | -12 | A |
Pulsstrom (Idm) | -48 | A |
Einschaltwiderstand (Rds(on) @ Vgs=-10V) | 0.03 | Ohm |
Einschaltwiderstand (Rds(on) @ Vgs=-4.5V) | 0.05 | Ohm |
Gesamtverlustleistung (Pd) | 2.5 | W |
Betriebstemperatur | -55 bis +175 | °C |
Gehäuse | TO252 | – |
Ein Bauteil, das inspiriert
Der STD26P3LLH6 ist mehr als nur ein elektronisches Bauteil. Er ist ein Werkzeug, das Ihre Kreativität beflügelt und Ihnen ermöglicht, innovative Lösungen zu entwickeln. Lassen Sie sich von seiner Leistungsfähigkeit inspirieren und setzen Sie Ihre Ideen in die Realität um. Entdecken Sie die unendlichen Möglichkeiten, die Ihnen dieser MOSFET bietet, und gestalten Sie die Zukunft der Elektronik mit.
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum STD26P3LLH6
Wir haben die häufigsten Fragen zum STD26P3LLH6 für Sie zusammengestellt, um Ihnen bei der Auswahl und Verwendung dieses leistungsstarken MOSFETs zu helfen:
1. Was bedeutet die Bezeichnung „P-Kanal“ bei einem MOSFET?
Ein P-Kanal MOSFET wird durch Anlegen einer negativen Spannung an das Gate im Vergleich zur Source eingeschaltet. Im Gegensatz dazu benötigt ein N-Kanal MOSFET eine positive Spannung. P-Kanal MOSFETs werden häufig in High-Side-Schaltungen verwendet, da sie einfacher zu steuern sind, wenn die Last an Masse liegt.
2. Was ist der Unterschied zwischen Vds und Vgs?
Vds steht für Drain-Source-Spannung, also die Spannung zwischen dem Drain- und dem Source-Anschluss des MOSFETs. Vgs steht für Gate-Source-Spannung, also die Spannung zwischen dem Gate- und dem Source-Anschluss. Die Vgs-Spannung steuert den Stromfluss zwischen Drain und Source.
3. Was bedeutet der Wert „Rds(on)“ und warum ist er wichtig?
Rds(on) ist der Einschaltwiderstand des MOSFETs. Er gibt den Widerstand zwischen Drain und Source an, wenn der MOSFET eingeschaltet ist. Ein niedriger Rds(on)-Wert ist wichtig, da er die Verlustleistung im MOSFET minimiert und den Wirkungsgrad der Schaltung erhöht.
4. Kann ich den STD26P3LLH6 auch bei höheren Strömen als 12A verwenden?
Der maximale Dauerstrom des STD26P3LLH6 beträgt 12A. Es ist wichtig, diesen Wert nicht zu überschreiten, da dies zu Schäden am MOSFET führen kann. Bei höheren Strömen sollten Sie einen MOSFET mit einer höheren Strombelastbarkeit wählen oder mehrere MOSFETs parallel schalten.
5. Welche Kühlmaßnahmen sind für den STD26P3LLH6 erforderlich?
Die Notwendigkeit von Kühlmaßnahmen hängt von der Verlustleistung im MOSFET ab. Bei hohen Strömen und einer hohen Umgebungstemperatur kann es erforderlich sein, einen Kühlkörper zu verwenden, um die Temperatur des MOSFETs im zulässigen Bereich zu halten. Die genauen Kühlmaßnahmen sollten anhand der spezifischen Anwendungsbedingungen berechnet werden.
6. Wie schütze ich den STD26P3LLH6 vor Überspannung?
Überspannung kann den STD26P3LLH6 beschädigen. Um dies zu verhindern, können Sie eine TVS-Diode (Transient Voltage Suppressor) parallel zum MOSFET schalten. Diese Diode leitet Überspannungen ab und schützt den MOSFET vor Schäden.
7. Ist der STD26P3LLH6 für PWM-Anwendungen geeignet?
Ja, der STD26P3LLH6 ist für PWM-Anwendungen (Pulsweitenmodulation) geeignet. Seine schnelle Schaltgeschwindigkeit und der niedrige Einschaltwiderstand ermöglichen eine effiziente Steuerung von Lasten mit variabler Leistung.
8. Wo finde ich ein Datenblatt für den STD26P3LLH6?
Ein detailliertes Datenblatt für den STD26P3LLH6 finden Sie auf der Website des Herstellers oder auf einschlägigen Elektronik-Websites. Das Datenblatt enthält alle wichtigen technischen Informationen und Anwendungshinweise für den MOSFET.