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STD100N10F7 - MOSFET N-Ch 100V 80A 0

STD100N10F7 – MOSFET N-Ch 100V 80A 0,008R TO252

2,85 €

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Artikelnummer: a41293e1ec75 Kategorie: MOSFETs
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  • STD100N10F7 – Der N-Kanal MOSFET für Höchstleistungen in Ihren Projekten
    • Technische Details und Spezifikationen im Überblick
    • Anwendungsbereiche des STD100N10F7
    • Vorteile des STD100N10F7 im Detail
    • Warum Sie den STD100N10F7 bei uns kaufen sollten
    • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum STD100N10F7

STD100N10F7 – Der N-Kanal MOSFET für Höchstleistungen in Ihren Projekten

Entdecken Sie den STD100N10F7, einen leistungsstarken N-Kanal MOSFET, der Ihre elektronischen Schaltungen auf ein neues Level hebt. Mit einer beeindruckenden Spannungsfestigkeit von 100V und einem kontinuierlichen Strom von 80A bietet dieser MOSFET die ideale Grundlage für anspruchsvolle Anwendungen. Sein extrem niedriger Durchlasswiderstand von nur 0,008 Ohm minimiert Leistungsverluste und sorgt für einen effizienten Betrieb Ihrer Schaltungen. Das TO252 Gehäuse ermöglicht eine einfache und zuverlässige Montage, selbst in kompakten Designs.

Stellen Sie sich vor, Sie arbeiten an einem Projekt, bei dem es auf höchste Effizienz und Zuverlässigkeit ankommt. Vielleicht entwickeln Sie eine leistungsstarke Motorsteuerung für ein Elektrofahrzeug, ein hocheffizientes Schaltnetzteil oder eine robuste Batteriemanagement-System. Genau hier kommt der STD100N10F7 ins Spiel. Er ist nicht nur ein Bauteil, sondern ein Schlüssel zu innovativen und zukunftsweisenden Lösungen.

Technische Details und Spezifikationen im Überblick

Um Ihnen einen detaillierten Einblick in die Leistungsfähigkeit des STD100N10F7 zu geben, haben wir die wichtigsten technischen Daten in einer übersichtlichen Tabelle zusammengefasst:

Eigenschaft Wert
Typ N-Kanal MOSFET
Spannungsfestigkeit (Vds) 100V
Kontinuierlicher Strom (Id) 80A
Durchlasswiderstand (Rds(on) @ Vgs=10V) 0,008 Ohm
Gehäuse TO252 (DPAK)
Schaltzeit (typ.) Variiert je nach Anwendung
Gesamt Gate Ladung (Qg) Variiert je nach Anwendung

Diese Spezifikationen verdeutlichen, dass der STD100N10F7 nicht nur leistungsstark, sondern auch äußerst effizient ist. Der niedrige Durchlasswiderstand reduziert die Verlustleistung erheblich, was zu einer geringeren Wärmeentwicklung und einer längeren Lebensdauer Ihrer Schaltungen führt. Dies ist besonders wichtig in Anwendungen, bei denen es auf eine hohe Energieeffizienz und Zuverlässigkeit ankommt. Denken Sie beispielsweise an Solaranlagen, bei denen jeder Prozentpunkt an Effizienzsteigerung einen direkten Einfluss auf die Energieausbeute hat.

Anwendungsbereiche des STD100N10F7

Die Vielseitigkeit des STD100N10F7 eröffnet Ihnen eine breite Palette an Anwendungsmöglichkeiten. Hier sind einige Beispiele, wie Sie diesen leistungsstarken MOSFET in Ihren Projekten einsetzen können:

  • Motorsteuerungen: Effiziente Steuerung von Elektromotoren in Elektrofahrzeugen, Robotern und industriellen Anwendungen.
  • Schaltnetzteile: Aufbau hocheffizienter Schaltnetzteile für Computer, Server und andere elektronische Geräte.
  • Batteriemanagement-Systeme (BMS): Schutz und Steuerung von Lithium-Ionen-Batterien in Elektrofahrzeugen, Energiespeichern und tragbaren Geräten.
  • DC-DC Wandler: Umwandlung von Gleichspannung in andere Spannungsniveaus mit hoher Effizienz.
  • Solaranlagen: Optimierung der Energieausbeute von Solaranlagen durch effiziente Leistungsanpassung.
  • LED-Beleuchtung: Steuerung und Dimmen von LEDs mit hoher Präzision und Effizienz.

Stellen Sie sich vor, wie Sie mit dem STD100N10F7 die Leistung und Effizienz Ihrer Projekte steigern können. Ob Sie ein erfahrener Ingenieur oder ein ambitionierter Hobbybastler sind, dieser MOSFET bietet Ihnen die Möglichkeit, Ihre Ideen in die Realität umzusetzen und innovative Lösungen zu entwickeln.

Vorteile des STD100N10F7 im Detail

Der STD100N10F7 zeichnet sich durch eine Reihe von Vorteilen aus, die ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für anspruchsvolle Anwendungen machen:

  • Hohe Spannungsfestigkeit: 100V Vds ermöglicht den Einsatz in einer Vielzahl von Schaltungen.
  • Hoher Strom: 80A Id ermöglicht die Ansteuerung von Lasten mit hohem Strombedarf.
  • Niedriger Durchlasswiderstand: 0,008 Ohm Rds(on) minimiert Leistungsverluste und Wärmeentwicklung.
  • Schnelle Schaltzeiten: Ermöglichen einen effizienten Betrieb in Schaltanwendungen.
  • TO252 Gehäuse: Einfache Montage und gute Wärmeableitung.
  • Robust und zuverlässig: Bietet eine lange Lebensdauer und einen stabilen Betrieb.

Diese Vorteile machen den STD100N10F7 zu einer idealen Wahl für Anwendungen, bei denen es auf Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit ankommt. Sie können sich darauf verlassen, dass dieser MOSFET auch unter anspruchsvollen Bedingungen zuverlässig funktioniert und Ihre Erwartungen erfüllt.

Warum Sie den STD100N10F7 bei uns kaufen sollten

Wir sind Ihr zuverlässiger Partner für hochwertige elektronische Bauteile. Wenn Sie den STD100N10F7 bei uns kaufen, profitieren Sie von folgenden Vorteilen:

  • Originalware: Wir bieten ausschließlich Originalprodukte von renommierten Herstellern an.
  • Schnelle Lieferung: Wir liefern Ihre Bestellung schnell und zuverlässig direkt zu Ihnen nach Hause oder ins Büro.
  • Kompetente Beratung: Unser erfahrenes Team steht Ihnen bei Fragen gerne zur Verfügung.
  • Attraktive Preise: Wir bieten Ihnen den STD100N10F7 zu einem fairen Preis an.
  • Sichere Zahlung: Wir bieten Ihnen eine Vielzahl von sicheren Zahlungsmöglichkeiten an.

Wir sind davon überzeugt, dass der STD100N10F7 eine wertvolle Ergänzung für Ihre Projekte ist. Bestellen Sie noch heute und überzeugen Sie sich selbst von seiner Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit!

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum STD100N10F7

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum STD100N10F7:

Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?
Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, bei dem der Stromfluss durch einen N-dotierten Kanal zwischen Source und Drain gesteuert wird. Die Steuerung erfolgt über die Spannung am Gate.
Welche Bedeutung hat der Wert von 100V bei der Spannungsfestigkeit (Vds)?
Der Wert von 100V gibt die maximale Spannung an, die zwischen Drain und Source anliegen darf, ohne dass der MOSFET beschädigt wird. Es ist wichtig, diese Spannung nicht zu überschreiten.
Wie berechne ich die Verlustleistung des MOSFETs?
Die Verlustleistung (P) kann grob mit der Formel P = Id² * Rds(on) berechnet werden, wobei Id der Strom durch den MOSFET und Rds(on) der Durchlasswiderstand ist. Berücksichtigen Sie jedoch, dass dies eine vereinfachte Berechnung ist und dynamische Verluste nicht berücksichtigt.
Kann ich den STD100N10F7 parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?
Ja, der STD100N10F7 kann parallel geschaltet werden, um den Strom zu erhöhen. Es ist jedoch wichtig, sicherzustellen, dass die MOSFETs gut aufeinander abgestimmt sind und eine geeignete Ansteuerung verwendet wird, um eine gleichmäßige Stromverteilung zu gewährleisten.
Welche Kühlung benötige ich für den STD100N10F7?
Die benötigte Kühlung hängt von der Verlustleistung und der Umgebungstemperatur ab. Bei höheren Verlustleistungen kann ein Kühlkörper erforderlich sein, um die Temperatur des MOSFETs unter dem maximal zulässigen Wert zu halten.
Wo finde ich das Datenblatt für den STD100N10F7?
Das Datenblatt für den STD100N10F7 finden Sie in der Regel auf der Website des Herstellers oder bei großen Elektronikdistributoren.
Ist der STD100N10F7 RoHS-konform?
Die RoHS-Konformität sollte im Datenblatt des Produkts angegeben sein. In der Regel sind moderne elektronische Bauteile RoHS-konform, um den Anforderungen der EU-Richtlinie zu entsprechen.

Bewertungen: 4.6 / 5. 661

Zusätzliche Informationen
Marke

ST MICROELECTRONICS

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