STB6N60M2 – Der Schlüssel zu effizienter Leistung: MOSFET N-Ch+Z-Dio 600V 4,5A 1,2R D²Pak
Entdecken Sie den STB6N60M2, einen hochmodernen N-Kanal MOSFET mit integrierter Zener-Diode, der Ihre elektronischen Schaltungen auf ein neues Leistungsniveau hebt. Dieses Kraftpaket im kompakten D²Pak-Gehäuse vereint Robustheit und Effizienz, um selbst anspruchsvollste Anwendungen zuverlässig zu meistern. Tauchen Sie ein in die Welt der optimierten Energieverwaltung und erleben Sie, wie der STB6N60M2 Ihre Projekte beflügelt.
Technische Details und Vorteile im Überblick
Der STB6N60M2 ist mehr als nur ein Bauteil – er ist eine Investition in die Zuverlässigkeit und Performance Ihrer Schaltungen. Mit einer Sperrspannung von 600V, einem Dauerstrom von 4,5A und einem geringen Einschaltwiderstand von 1,2 Ohm bietet dieser MOSFET eine beeindruckende Kombination aus Leistungsfähigkeit und Effizienz. Die integrierte Zener-Diode schützt das Bauteil zusätzlich vor transienten Spannungsspitzen und erhöht die Lebensdauer Ihrer Schaltungen.
Die wichtigsten technischen Spezifikationen:
- Typ: N-Kanal MOSFET mit Zener-Diode
- Sperrspannung (Vds): 600V
- Dauerstrom (Id): 4,5A
- Einschaltwiderstand (Rds(on)): 1,2 Ohm
- Gehäuse: D²Pak (TO-263)
- Technologie: MDmesh™ M2
Die MDmesh™ M2 Technologie von STMicroelectronics sorgt für eine ausgezeichnete Avalanche-Robustheit und minimiert Schaltverluste. Dies führt zu einer höheren Effizienz und geringeren Wärmeentwicklung, was sich positiv auf die Gesamtperformance Ihrer Schaltungen auswirkt.
Vorteile, die überzeugen:
- Hohe Effizienz: Reduzierte Schaltverluste dank MDmesh™ M2 Technologie.
- Zuverlässigkeit: Integrierte Zener-Diode für optimalen Schutz vor Überspannungen.
- Kompaktes Design: Das D²Pak-Gehäuse ermöglicht eine platzsparende Integration.
- Vielseitigkeit: Geeignet für eine breite Palette von Anwendungen.
- Lange Lebensdauer: Robuste Bauweise für maximale Zuverlässigkeit.
Anwendungsbereiche: Wo der STB6N60M2 glänzt
Der STB6N60M2 ist ein echter Allrounder und findet in zahlreichen Anwendungen seinen Platz. Seine Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit machen ihn zur idealen Wahl für:
- Schaltnetzteile (SMPS): Optimieren Sie die Effizienz Ihrer Netzteile und reduzieren Sie die Wärmeentwicklung.
- Motorsteuerungen: Steuern Sie Motoren präzise und zuverlässig.
- Beleuchtungssysteme: Realisieren Sie energieeffiziente LED-Treiber und Vorschaltgeräte.
- DC-DC Wandler: Wandeln Sie Spannungen effizient und stabil.
- Industrielle Anwendungen: Nutzen Sie die Robustheit und Zuverlässigkeit des STB6N60M2 in anspruchsvollen Umgebungen.
Egal, ob Sie ein erfahrener Ingenieur sind oder gerade erst mit der Elektronik beginnen, der STB6N60M2 bietet Ihnen die Leistung und Flexibilität, die Sie für Ihre Projekte benötigen. Lassen Sie Ihrer Kreativität freien Lauf und entdecken Sie die unzähligen Möglichkeiten, die dieser MOSFET bietet.
Warum der STB6N60M2 die richtige Wahl ist
In einer Welt, in der Effizienz und Zuverlässigkeit entscheidend sind, ist der STB6N60M2 die perfekte Wahl für anspruchsvolle Anwendungen. Seine technischen Spezifikationen und Vorteile sprechen für sich: Er bietet eine hohe Leistungsfähigkeit, eine lange Lebensdauer und eine einfache Integration in Ihre Schaltungen.
Darüber hinaus profitieren Sie von der langjährigen Erfahrung und dem Know-how von STMicroelectronics, einem weltweit führenden Hersteller von Halbleiterprodukten. Mit dem STB6N60M2 setzen Sie auf Qualität und Innovation.
Stellen Sie sich vor, wie Sie mit dem STB6N60M2 Ihre Projekte optimieren und innovative Lösungen entwickeln. Von energieeffizienten Netzteilen bis hin zu präzisen Motorsteuerungen – die Möglichkeiten sind endlos. Nutzen Sie das Potenzial dieses leistungsstarken MOSFETs und bringen Sie Ihre Projekte auf das nächste Level.
Technische Daten im Detail
Um Ihnen einen umfassenden Überblick über die technischen Eigenschaften des STB6N60M2 zu geben, finden Sie hier eine detaillierte Tabelle mit den wichtigsten Parametern:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Sperrspannung (Vds) | 600 | V |
| Gate-Source-Spannung (Vgs) | ±20 | V |
| Dauerstrom (Id) bei Tc = 25°C | 4,5 | A |
| Pulsstrom (Idm) | 18 | A |
| Verlustleistung (Pd) bei Tc = 25°C | 25 | W |
| Einschaltwiderstand (Rds(on)) bei Vgs = 10V | 1,2 | Ω |
| Gate-Ladung (Qg) | 10 | nC |
| Eingangskapazität (Ciss) | 400 | pF |
| Betriebstemperatur | -55 bis +150 | °C |
Diese detaillierten Spezifikationen ermöglichen es Ihnen, den STB6N60M2 optimal in Ihre Schaltungen zu integrieren und seine Leistungsfähigkeit voll auszuschöpfen.
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FAQ – Häufig gestellte Fragen
Was bedeutet die Bezeichnung „N-Ch+Z-Dio“?
Die Bezeichnung „N-Ch+Z-Dio“ steht für N-Kanal MOSFET mit integrierter Zener-Diode. Die Zener-Diode dient als Schutz vor Überspannungen und erhöht die Robustheit des Bauteils.
Für welche Anwendungen ist der STB6N60M2 geeignet?
Der STB6N60M2 eignet sich hervorragend für Schaltnetzteile (SMPS), Motorsteuerungen, Beleuchtungssysteme, DC-DC Wandler und industrielle Anwendungen.
Was bedeutet die MDmesh™ M2 Technologie?
Die MDmesh™ M2 Technologie von STMicroelectronics optimiert die Avalanche-Robustheit und reduziert Schaltverluste, was zu einer höheren Effizienz und geringeren Wärmeentwicklung führt.
Wie groß ist der dauerstrom des STB6N60M2?
Der Dauerstrom (Id) des STB6N60M2 beträgt 4,5A bei einer Gehäusetemperatur von 25°C.
Welches Gehäuse hat der STB6N60M2?
Der STB6N60M2 wird im D²Pak-Gehäuse (TO-263) geliefert.
Wie schützt die Zener-Diode den MOSFET?
Die Zener-Diode schützt den MOSFET vor transienten Spannungsspitzen, indem sie überschüssige Spannung ableitet und so Schäden am Bauteil verhindert.
Wo finde ich das Datenblatt für den STB6N60M2?
Das Datenblatt für den STB6N60M2 finden Sie auf der Webseite des Herstellers STMicroelectronics oder auf unserer Produktseite unter dem Reiter „Downloads“.
