SST 25WF080B40SN – NOR-Flash-Speicher 8 Mb, 1,65 … 1,95 V, SPI 40 MHz, SO-8

Serieller 8-Mbit-1,8V-SPI-Flash-SpeicherBeschreibung:SST25WF080B ist ein Mitglied der Serial Flash 25 Series-Familie und verfügt über eine vieradrige, SPI-kompatible Schnittstelle, die ein Gehäuse mit niedriger Pin-Anzahl ermöglicht, das weniger Platz auf der Leiterplatte beansprucht und letztlich die Gesamtsystemkosten senkt. Der serielle SPI-Flash-Speicher wird mit der proprietären, hochleistungsfähigen CMOS-SuperFlash-Technologie hergestellt. Das Split-Gate-Zellendesign und der Dickoxid-Tunnelinjektor erreichen im Vergleich zu alternativen Ansätzen eine bessere Zuverlässigkeit und Herstellbarkeit. Dieser serielle Flash-Speicher verbessert die Leistung und Zuverlässigkeit erheblich und senkt gleichzeitig den Stromverbrauch. Der Baustein schreibt (Programmieren oder Löschen) mit einer einzigen Spannungsversorgung von 1,65-1,95V. Die gesamte verbrauchte Energie ist eine Funktion der angelegten Spannung, des Stroms und der Anwendungszeit. Da die SuperFlash-Technologie für jeden beliebigen Spannungsbereich weniger Strom zum Programmieren verbraucht und eine kürzere Löschzeit hat, ist der Gesamtenergieverbrauch während eines Lösch- oder Programmierungsvorgangs geringer als bei alternativen Flash-Speichertechnologien. Der SST25WF080B wird in 8-poligen SOIC- und 8-poligen USON-Gehäusen angeboten. Siehe Abbildung 2-1 für die Anschlussbelegungen.Merkmale• Einzelspannungs-Lese- und Schreibvorgänge – 1.65-1.95V• Architektur der seriellen Schnittstelle – SPI-kompatibel: Modus 0 und Modus 3• Hochgeschwindigkeits-Taktfrequenz – 40MHz• Unterstützung von Dual Input/Output- Schnell-Lese-Doppelausgabe-Anweisung (3BH)- Schnell-Lese-Doppel-E/A-Befehl (BBH)• Überlegene Zuverlässigkeit- Ausdauer: 100.000 Zyklen- Mehr als 20 Jahre Datenaufbewahrung• Ultra-niedriger Stromverbrauch:- Aktiver Lesestrom: 4 mA (typisch)- Standby-Strom: 7 µA (typisch)- Tiefentladestrom: 2 µA (typisch)• Flexible Löschfunktion- Einheitliche 4 KByte-Sektoren- Einheitliche 64 KByte-Überlagerungsblöcke• Seite Programm-Modus – 256 Bytes/Seite• Schnell-Lösch- und Seitenprogramm:- Chip-Löschzeit: 500 ms (typisch)- Sektor-Löschzeit: 40 ms (typisch)- Block-Löschzeit: 80 ms (typisch)- Seiten-Programmzeit: 0,8 ms/ 256 Bytes (typisch)• End-of-Write-Erkennung – Software, die das BUSY-Bit im Statusregister abfragt• Stift halten (HOLD#) – Anhalten einer seriellen Sequenz ohne das Gerät abwählen• Schreibschutz (WP#) – Aktiviert/deaktiviert die Lock-Down-Funktion von das Statusregister• Software-Schreibschutz – Schreibschutz durch Block-Schutz-Bits im Statusregister• Temperaturbereich- Industriell: -40°C bis +85°C- Ausgedehnt: -40°C bis +125°C- AECQ-100 qualifiziert• Verfügbare Bauformen- 8-Kanal-SOIC (150 mils)- USON mit 8 Kontakten (2mm x 3mm)• Alle Bauteile sind RoHS-konform