SPP04N60C3 – Der Schlüssel zu effizienten Schaltkreisen: MOSFET N-Ch 600V für Ihre Projekte
Entdecken Sie den SPP04N60C3, einen leistungsstarken N-Kanal MOSFET, der Ihre elektronischen Projekte auf ein neues Level hebt. Mit einer Sperrspannung von 600V, einem kontinuierlichen Drainstrom von 4,5A und einer Verlustleistung von 50W bietet dieser MOSFET die ideale Basis für effiziente und zuverlässige Schaltkreise. Ob für anspruchsvolle Hobbyprojekte oder professionelle Anwendungen – der SPP04N60C3 ist Ihr verlässlicher Partner.
Technische Daten im Überblick: Leistung trifft Präzision
Der SPP04N60C3 zeichnet sich durch seine beeindruckenden technischen Daten aus. Der niedrige Drain-Source-Widerstand (RDS(on)) von 0,95 Ohm minimiert Verluste und steigert die Effizienz Ihrer Schaltungen. Das TO220-Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage und eine effektive Wärmeableitung. Lassen Sie uns tiefer in die Details eintauchen:
- Sperrspannung (Vds): 600V
- Drainstrom (Id): 4,5A
- Verlustleistung (Pd): 50W
- Drain-Source-Widerstand (Rds(on)): 0,95 Ohm
- Gehäuse: TO220
- Technologie: N-Kanal MOSFET
Diese Kombination aus Leistung und Präzision macht den SPP04N60C3 zu einer ausgezeichneten Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen.
Anwendungsbereiche: Vielseitigkeit für Ihre Ideen
Die Vielseitigkeit des SPP04N60C3 kennt kaum Grenzen. Hier sind einige Beispiele, wo dieser MOSFET seine Stärken ausspielen kann:
- Schaltnetzteile: Erzielen Sie höchste Effizienz und Stabilität in Ihren Netzteilen.
- Motorsteuerungen: Regulieren Sie die Drehzahl von Motoren präzise und zuverlässig.
- LED-Dimmer: Steuern Sie die Helligkeit von LEDs sanft und effizient.
- DC-DC-Wandler: Wandeln Sie Spannungen mit minimalen Verlusten um.
- Verstärker: Verstärken Sie Signale mit hoher Linearität und geringem Rauschen.
Der SPP04N60C3 ist nicht nur ein Bauteil, sondern ein Werkzeug, um Ihre kreativen Ideen in die Realität umzusetzen. Stellen Sie sich vor, wie Sie mit diesem MOSFET Ihre eigenen innovativen Lösungen entwickeln können! Die Möglichkeiten sind endlos.
Warum der SPP04N60C3 Ihre erste Wahl sein sollte: Mehr als nur ein Bauteil
In der Welt der Elektronik ist die Wahl des richtigen Bauteils entscheidend. Der SPP04N60C3 bietet Ihnen:
- Hohe Zuverlässigkeit: Vertrauen Sie auf eine lange Lebensdauer und stabile Performance.
- Optimale Effizienz: Minimieren Sie Verluste und sparen Sie Energie.
- Einfache Handhabung: Das TO220-Gehäuse ermöglicht eine unkomplizierte Montage.
- Breites Anwendungsspektrum: Nutzen Sie den SPP04N60C3 für vielfältige Projekte.
- Hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis: Investieren Sie in Qualität, die sich auszahlt.
Der SPP04N60C3 ist mehr als nur ein MOSFET – er ist eine Investition in die Qualität und den Erfolg Ihrer Projekte. Er ist der Partner, der Sie bei der Verwirklichung Ihrer elektronischen Visionen unterstützt.
Technische Spezifikationen im Detail: Für den anspruchsvollen Anwender
Für alle, die es genau wissen wollen, hier eine detaillierte Tabelle mit den wichtigsten technischen Spezifikationen des SPP04N60C3:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Sperrspannung (Vds) | 600 | V |
| Gate-Source-Spannung (Vgs) | ±20 | V |
| Drainstrom (Id) | 4,5 | A |
| Puls-Drainstrom (Idm) | 13,5 | A |
| Verlustleistung (Pd) | 50 | W |
| Drain-Source-Widerstand (Rds(on) bei Vgs=10V) | 0,95 | Ohm |
| Gate-Ladung (Qg) | 11 | nC |
| Gate-Source-Schwellenspannung (Vgs(th)) | 2 – 4 | V |
| Betriebstemperatur | -55 bis +150 | °C |
| Gehäuse | TO220 |
Diese detaillierten Informationen ermöglichen es Ihnen, den SPP04N60C3 optimal in Ihre Schaltungen zu integrieren und das volle Potenzial dieses leistungsstarken MOSFETs auszuschöpfen.
Sicherheitshinweise: Achten Sie auf Ihre Gesundheit und Ihr Projekt
Wie bei allen elektronischen Bauteilen, ist es wichtig, die Sicherheitshinweise zu beachten. Achten Sie darauf, die maximalen Grenzwerte nicht zu überschreiten, um Schäden am Bauteil und an Ihrer Schaltung zu vermeiden. Tragen Sie beim Arbeiten mit elektronischen Bauteilen immer eine Schutzbrille und verwenden Sie antistatische Werkzeuge, um elektrostatische Entladungen zu verhindern. Sorgen Sie für eine ausreichende Wärmeableitung, um eine Überhitzung des MOSFETs zu vermeiden.
Entdecken Sie das Potenzial des SPP04N60C3: Ihre Vision, unsere Technologie
Der SPP04N60C3 ist mehr als nur ein Bauteil – er ist ein Schlüssel zu neuen Möglichkeiten. Er ermöglicht es Ihnen, innovative Schaltungen zu entwickeln, die effizient, zuverlässig und leistungsstark sind. Tauchen Sie ein in die Welt der Elektronik und entdecken Sie das Potenzial, das in diesem kleinen, aber feinen MOSFET steckt. Bestellen Sie noch heute Ihren SPP04N60C3 und beginnen Sie mit der Verwirklichung Ihrer Projekte!
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum SPP04N60C3
Wir haben für Sie die häufigsten Fragen zum SPP04N60C3 zusammengestellt:
- Frage: Was bedeutet die Bezeichnung „N-Ch“?
Antwort: „N-Ch“ steht für N-Kanal, was die Art des MOSFETs beschreibt. N-Kanal MOSFETs sind in der Regel schneller und effizienter als P-Kanal MOSFETs.
- Frage: Kann ich den SPP04N60C3 parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?
Antwort: Ja, es ist möglich, mehrere SPP04N60C3 parallel zu schalten, um den maximalen Strom zu erhöhen. Beachten Sie jedoch, dass eine sorgfältige Auslegung erforderlich ist, um eine gleichmäßige Stromverteilung zu gewährleisten.
- Frage: Wie kühle ich den SPP04N60C3 richtig?
Antwort: Eine Kühlung ist besonders bei höheren Leistungen unerlässlich. Verwenden Sie einen Kühlkörper, der auf das TO220-Gehäuse passt, und achten Sie auf eine gute Wärmeübertragung durch Wärmeleitpaste. Die Größe des Kühlkörpers richtet sich nach der Verlustleistung des MOSFETs.
- Frage: Was ist der Unterschied zwischen Vds und Vgs?
Antwort: Vds steht für die Drain-Source-Spannung, also die Spannung zwischen dem Drain- und dem Source-Anschluss des MOSFETs. Vgs steht für die Gate-Source-Spannung, also die Spannung, die an das Gate angelegt werden muss, um den MOSFET zu steuern.
- Frage: Wo finde ich ein Datenblatt für den SPP04N60C3?
Antwort: Ein detailliertes Datenblatt für den SPP04N60C3 finden Sie in der Regel auf der Website des Herstellers (z.B. Infineon) oder auf einschlägigen Elektronik-Websites.
- Frage: Kann ich den SPP04N60C3 für PWM-Anwendungen verwenden?
Antwort: Ja, der SPP04N60C3 eignet sich hervorragend für PWM-Anwendungen (Pulsweitenmodulation), da er schnell schaltet und eine geringe Gate-Ladung aufweist.
- Frage: Was passiert, wenn ich die maximale Vds überschreite?
Antwort: Das Überschreiten der maximalen Vds (Sperrspannung) kann zu einem Durchbruch des MOSFETs führen und ihn dauerhaft beschädigen.
