SIR 204 EVL: Präzise Infrarot-Lichtemission für anspruchsvolle Anwendungen
Das SIR 204 EVL Infrarot-Diode, basierend auf GaAlAs-Halbleitermaterial und mit einer Wellenlänge von 875 nm, ist die optimale Lösung für Entwickler und Ingenieure, die eine zuverlässige und präzise Infrarotlichtquelle für spezialisierte technische Anwendungen benötigen. Ob in der Sensorik, Medizintechnik, Automatisierung oder Messtechnik – dieses Bauteil liefert konsistente und spektral reine IR-Strahlung für kritische Prozesse.
Überlegene Leistung und Zuverlässigkeit
Herkömmliche Infrarot-Dioden stoßen oft an ihre Grenzen, wenn es um spektrale Reinheit, thermische Stabilität und exakte Abstrahlcharakteristik geht. Das SIR 204 EVL übertrifft diese Limitierungen durch den Einsatz von hochwertigem Gallium-Aluminium-Arsenid (GaAlAs) als Halbleitermaterial. Dies ermöglicht nicht nur eine effiziente Emission im nahen Infrarotbereich bei 875 nm, sondern gewährleistet auch eine herausragende Langzeitstabilität und Widerstandsfähigkeit gegenüber Temperaturschwankungen. Mit einem definierten Abstrahlwinkel von 30° und der kompakten T1-Bauform (3 mm Durchmesser) bietet diese Diode eine beispiellose Integrationsflexibilität in unterschiedlichste Systemdesigns, wo Präzision und Performance an erster Stelle stehen.
Hauptvorteile des SIR 204 EVL
- GaAlAs Halbleitermaterial: Bietet eine höhere Effizienz und verbesserte thermische Eigenschaften im Vergleich zu herkömmlichen Materialien, was zu einer längeren Lebensdauer und stabileren Leistung führt.
- 875 nm Wellenlänge: Spektral rein für Anwendungen, die eine spezifische IR-Wellenlänge erfordern, wie z.B. in optischen Detektionssystemen oder Materialanalysen.
- 30° Abstrahlwinkel: Ermöglicht eine fokussierte, aber dennoch weiträumige Abstrahlung, ideal für Sensorik und optische Überwachung, wo eine gezielte Beleuchtung erforderlich ist, aber keine Punktlichtquelle.
- T1 3 mm Gehäuse: Kompakte Bauform, die eine einfache Montage in beengten Systemen und eine hohe Packungsdichte ermöglicht.
- Hohe Zuverlässigkeit und Stabilität: Entwickelt für den professionellen Einsatz, gewährleistet das SIR 204 EVL konsistente Ergebnisse über einen breiten Temperaturbereich.
- Präzise Lichtemission: Liefert eine gleichmäßige und kontrollierbare IR-Strahlung, die für anspruchsvolle Mess- und Regelaufgaben unerlässlich ist.
Technische Spezifikationen und Designmerkmale
Die SIR 204 EVL Infrarot-Diode ist das Ergebnis sorgfältiger Ingenieurskunst und Materialwissenschaft. Die Wahl von Gallium-Aluminium-Arsenid (GaAlAs) als Basis für die Halbleiterstruktur ist entscheidend für ihre Leistungsfähigkeit. Dieses III-V-Verbindungshalbleiter-Material ermöglicht die gezielte Einstellung der Bandlücke, um eine Emission bei der gewünschten Wellenlänge von 875 Nanometern zu erzielen. Diese Wellenlänge ist besonders relevant für eine Vielzahl von industriellen und wissenschaftlichen Anwendungen, da sie im Bereich des nahen Infrarots liegt und eine gute Durchdringung bestimmter Materialien sowie eine gute Detektierbarkeit mit gängigen Infrarot-Sensoren bietet.
Der Abstrahlwinkel von 30° ist ein weiterer kritischer Parameter, der präzise gesteuert wird. Dies bedeutet, dass das emittierte Infrarotlicht in einem wohldefinierten Kegel konzentriert wird. Im Gegensatz zu Dioden mit sehr breitem Abstrahlwinkel (z.B. 120° und mehr), die eher einer diffusen Ausleuchtung dienen, ermöglicht der 30° Winkel eine zielgerichtete Bestrahlung von Objekten oder Messflächen. Dies ist essenziell in Systemen, bei denen eine genaue räumliche Erfassung oder Interaktion mit dem Infrarotlicht stattfinden soll, wie beispielsweise bei Abstandsmes sensoren oderximity-Sensoren.
Die physikalische Größe und Form der Diode ist ebenfalls von Bedeutung. Mit einem Durchmesser von 3 mm in der T1-Bauform (auch bekannt als TO-46 Gehäuse, obwohl hier die Spezifikation direkt 3mm angibt) gehört sie zu den standardisierten und weit verbreiteten Gehäusetypen für optoelektronische Bauteile. Diese Kompaktheit erleichtert die Integration in Platinenlayouts und optische Aufbauten, wo Platz oft ein limitierender Faktor ist. Das Gehäuse selbst ist typischerweise aus robustem Kunststoff gefertigt, der sowohl die internen Bauteile schützt als auch eine thermische Ableitung unterstützt.
Anwendungsbereiche und technologische Integration
Die Vielseitigkeit des SIR 204 EVL erschließt eine breite Palette von Einsatzmöglichkeiten in verschiedenen technologischen Sektoren. In der industriellen Automatisierung und Robotik wird diese Infrarot-Diode häufig in Positionserkennungs-, Hindernisvermeidungs- und Objekterkennungssystemen eingesetzt. Ihre präzise Abstrahlcharakteristik ermöglicht die Erfassung von Objekten mit hoher Genauigkeit, auch unter schwierigen Lichtverhältnissen, da sie eine eigene Lichtquelle darstellt.
In der Medizintechnik findet die Diode Anwendung in nicht-invasiven Diagnosegeräten, beispielsweise zur Blutgasanalyse oder zur Überwachung physiologischer Parameter, wo die spezifische Wellenlänge für die Interaktion mit biologischem Gewebe optimiert ist. Auch in Geräten zur Infrarot-Thermografie oder zur Gewebebeleuchtung kann sie eine Rolle spielen.
Der Bereich der Sicherheitstechnik profitiert ebenfalls von den Eigenschaften des SIR 204 EVL. In Überwachungskameras für den Nachtsichtbetrieb oder in Bewegungsmeldern, die auf Infrarotsignale reagieren, liefert sie die notwendige Beleuchtung, die für das menschliche Auge unsichtbar ist.
Weitere Anwendungsfelder umfassen die optische Kommunikation, wo sie als Sender in Kurzstrecken-Datenübertragungen dienen kann, sowie in der Messtechnik, z.B. zur berührungslosen Temperaturmessung oder zur Analyse von Materialeigenschaften durch Infrarot-Spektroskopie.
| Merkmal | Beschreibung / Wert |
|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | SIR 204 EVL |
| Bauteiltyp | Infrarot-Emitter-Diode |
| Halbleitermaterial | GaAlAs (Gallium-Aluminium-Arsenid) |
| Wellenlänge (typisch) | 875 nm |
| Abstrahlwinkel (halbwertig) | 30° |
| Gehäusegröße | T1, 3 mm Durchmesser |
| Optimale Einsatztemperatur | Breiter Betriebsbereich für industrielle Anwendungen, typischerweise -40°C bis +85°C. Präzise Werte im Datenblatt des Herstellers. |
| Anwendungsbereich | Industrielle Automatisierung, Sensorik, Medizintechnik, Sicherheitssysteme, optische Kommunikation. |
FAQ – Häufig gestellte Fragen zu SIR 204 EVL – Infrarot-Diode, GaAlAs, 875 nm, 30°, 3 mm, T1
Was ist der Hauptunterschied zwischen GaAlAs und anderen Halbleitermaterialien für IR-Dioden?
Gallium-Aluminium-Arsenid (GaAlAs) zeichnet sich im Vergleich zu anderen Materialien wie z.B. Galliumarsenid (GaAs) durch eine höhere Effizienz bei der Lichterzeugung und eine bessere thermische Stabilität aus. Dies ermöglicht eine konsistentere und länger anhaltende Leistung, auch unter variierenden Betriebsbedingungen, und erlaubt die präzise Einstellung der Emissionswellenlänge durch Variation des Aluminiumanteils.
Ist die Diode für den Einsatz unter widrigen Umgebungsbedingungen geeignet?
Das SIR 204 EVL ist für professionelle technische Anwendungen konzipiert und verfügt über eine robuste Bauweise. Das GaAlAs-Material trägt zur thermischen Stabilität bei. Für spezifische Umgebungsbedingungen wie extreme Temperaturen, Feuchtigkeit oder Vibrationen sind die genauen Spezifikationen und Einsatzgrenzen im technischen Datenblatt des Herstellers zu prüfen, aber grundsätzlich ist das Bauteil für anspruchsvolle industrielle Umgebungen ausgelegt.
Wie beeinflusst der 30° Abstrahlwinkel die Anwendung?
Der Abstrahlwinkel von 30° bedeutet, dass das emittierte Infrarotlicht in einem relativ gerichteten Kegel fokussiert wird. Dies ist ideal für Anwendungen, bei denen eine präzise Beleuchtung eines bestimmten Bereichs oder die Erfassung von Objekten auf definierte Distanzen erforderlich ist, wie beispielsweise in optischen Sensoren oder bei der Ausrichtung von Systemen. Im Vergleich zu Dioden mit sehr breiten Winkeln ist die Lichtintensität in diesem Bereich höher, was die Reichweite und Genauigkeit verbessern kann.
Kann die Diode direkt an eine Mikrocontroller-Schnittstelle angeschlossen werden?
Die Ansteuerung einer Infrarot-Diode erfolgt typischerweise über einen Strom- oder Spannungsregler, oft in Verbindung mit einem Transistor oder MOSFET, um den Stromfluss präzise zu steuern. Eine direkte Verbindung an die digitale Ausgangspins eines Mikrocontrollers ist in der Regel nicht ratsam, da diese oft nicht für die erforderlichen Ströme ausgelegt sind und die Diode beschädigen könnten. Es wird empfohlen, einen Vorwiderstand oder eine Stromtreiber-Schaltung zu verwenden, deren Dimensionierung auf dem Datenblatt der Diode und der gewünschten Helligkeit basiert.
Welche Vorteile bietet die T1 3 mm Bauform?
Die T1 3 mm Bauform (vergleichbar mit TO-46) ist eine etablierte und kompakte Größe für optoelektronische Bauteile. Sie ermöglicht eine einfache Integration in Standard-Leiterplattenlayouts und findet auch in optischen Modulen und Gehäusen Platz, wo die Bestückungsdichte hoch ist. Ihre standardisierte Größe erleichtert zudem die mechanische Befestigung und die Anbindung.
Ist die 875 nm Wellenlänge für alle Infrarot-Anwendungen optimal?
Die Wellenlänge von 875 nm liegt im nahen Infrarotbereich und ist für viele Anwendungen besonders vorteilhaft, da sie eine gute Kompatibilität mit gängigen Silizium-basierten Infrarot-Sensoren aufweist und eine moderate Durchdringungseigenschaft für verschiedene Materialien bietet. Ob sie „optimal“ ist, hängt stark von der spezifischen Anwendung ab. Für Anwendungen, die sehr tiefe Infrarotbereiche oder spezifische Absorptionsbanden erfordern, könnten andere Wellenlängen oder Diodentypen besser geeignet sein.
Wie wird die Lebensdauer der SIR 204 EVL Diode typischerweise definiert?
Die Lebensdauer von Infrarot-Dioden wird üblicherweise als die Zeitspanne definiert, bis die Lichtausgangsleistung auf einen bestimmten Prozentsatz (z.B. 50% oder 70%) ihres ursprünglichen Wertes abgefallen ist. Diese Angabe wird oft unter spezifischen Betriebsbedingungen (konstanter Strom, Umgebungstemperatur) im Datenblatt des Herstellers gemacht. Die hohe Qualität des GaAlAs-Materials und eine sachgemäße Ansteuerung tragen maßgeblich zur Erreichung einer langen und zuverlässigen Lebensdauer bei.
