SIHP22N60E-GE3: Der N-Kanal MOSFET für höchste Ansprüche
Entdecken Sie den SIHP22N60E-GE3, einen leistungsstarken N-Kanal MOSFET, der Ihre Elektronikprojekte auf ein neues Level hebt. Mit einer beeindruckenden Sperrspannung von 650 V und einem kontinuierlichen Drainstrom von 21 A bietet dieser MOSFET die Zuverlässigkeit und Performance, die Sie für anspruchsvolle Anwendungen benötigen. Ob in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen oder Inverter-Systemen – der SIHP22N60E-GE3 ist die ideale Wahl für Entwickler und Ingenieure, die keine Kompromisse eingehen wollen.
Dieser MOSFET vereint innovative Technologie mit robuster Bauweise und garantiert so eine lange Lebensdauer und eine herausragende Performance. Lassen Sie sich von der Leistungsfähigkeit des SIHP22N60E-GE3 inspirieren und realisieren Sie Ihre ambitionierten Elektronikprojekte.
Technische Daten im Überblick
Hier finden Sie die wichtigsten technischen Daten des SIHP22N60E-GE3 übersichtlich zusammengefasst:
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Typ | N-Kanal MOSFET |
| Sperrspannung (Vds) | 650 V |
| Kontinuierlicher Drainstrom (Id) | 21 A |
| RDS(on) (bei Vgs = 10 V) | 0,18 Ohm |
| Gehäuse | TO-220 |
| Gate-Ladung (Qg) | Typischerweise 35 nC |
| Einschaltverzögerungszeit (td(on)) | Typischerweise 12 ns |
| Ausschaltverzögerungszeit (td(off)) | Typischerweise 25 ns |
| Betriebstemperatur | -55°C bis +150°C |
Anwendungsbereiche des SIHP22N60E-GE3
Der SIHP22N60E-GE3 ist ein vielseitig einsetzbarer N-Kanal MOSFET, der sich für eine breite Palette von Anwendungen eignet. Hier sind einige Beispiele:
- Schaltnetzteile (SMPS): Dank seiner hohen Sperrspannung und des niedrigen RDS(on) ist der SIHP22N60E-GE3 ideal für den Einsatz in Schaltnetzteilen, wo er für eine effiziente und zuverlässige Leistung sorgt.
- Motorsteuerungen: In Motorsteuerungen ermöglicht dieser MOSFET eine präzise und effiziente Ansteuerung von Motoren, was zu einer verbesserten Leistung und Energieeffizienz führt.
- Inverter-Systeme: Der SIHP22N60E-GE3 eignet sich hervorragend für den Einsatz in Inverter-Systemen, wo er für die Umwandlung von Gleichstrom in Wechselstrom benötigt wird. Seine hohe Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit machen ihn zur idealen Wahl für diese anspruchsvolle Anwendung.
- Leistungsverstärker: In Audio- und Leistungsverstärkern kann der SIHP22N60E-GE3 als Schaltelement eingesetzt werden, um eine hohe Ausgangsleistung und eine geringe Verzerrung zu gewährleisten.
- LED-Beleuchtung: In LED-Treibern sorgt dieser MOSFET für eine effiziente und präzise Steuerung des LED-Stroms, was zu einer längeren Lebensdauer der LEDs und einer höheren Energieeffizienz führt.
- USV-Systeme (Unterbrechungsfreie Stromversorgungen): In USV-Systemen kann der SIHP22N60E-GE3 als Schaltelement verwendet werden, um im Falle eines Stromausfalls eine unterbrechungsfreie Stromversorgung zu gewährleisten.
Warum der SIHP22N60E-GE3 Ihre Projekte beflügeln wird
Der SIHP22N60E-GE3 ist mehr als nur ein Bauteil – er ist ein Schlüssel zu innovativen Lösungen. Seine hohe Sperrspannung von 650 V bietet Ihnen einen großen Spielraum bei der Entwicklung von Schaltungen, während der geringe RDS(on) von 0,18 Ohm die Verlustleistung minimiert und die Effizienz Ihrer Designs steigert. Das Ergebnis sind kühlere, zuverlässigere und leistungsfähigere Systeme.
Das TO-220 Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage und Kühlung, was besonders bei Anwendungen mit hoher Leistungsdichte von Vorteil ist. Die schnellen Schaltzeiten des SIHP22N60E-GE3 tragen zusätzlich zu einer verbesserten Effizienz und Performance Ihrer Schaltungen bei. Nutzen Sie die Vielseitigkeit dieses MOSFETs, um Ihre kreativen Ideen in die Realität umzusetzen und Ihre Projekte zum Erfolg zu führen.
Die Vorteile des SIHP22N60E-GE3 im Detail
- Hohe Sperrspannung: 650 V Vds ermöglicht den Einsatz in anspruchsvollen Anwendungen mit hohen Spannungen.
- Niedriger RDS(on): 0,18 Ohm reduziert die Verlustleistung und erhöht die Effizienz.
- Hoher Drainstrom: 21 A Id ermöglicht die Ansteuerung von Lasten mit hohem Strombedarf.
- Schnelle Schaltzeiten: Verbessern die Effizienz und Performance von Schaltkreisen.
- Einfache Montage: Das TO-220 Gehäuse ermöglicht eine einfache Installation und Kühlung.
- Robuste Bauweise: Garantiert eine lange Lebensdauer und hohe Zuverlässigkeit.
- Vielseitige Einsatzmöglichkeiten: Geeignet für eine breite Palette von Anwendungen.
Ihre Vorteile beim Kauf in unserem Shop
Bei uns erhalten Sie nicht nur hochwertige Produkte, sondern auch einen exzellenten Kundenservice. Wir stehen Ihnen mit unserem Fachwissen zur Seite und unterstützen Sie bei der Auswahl der richtigen Komponenten für Ihre Projekte. Profitieren Sie von schnellen Lieferzeiten, sicheren Zahlungsoptionen und einer unkomplizierten Bestellabwicklung. Wir sind erst zufrieden, wenn Sie es sind.
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum SIHP22N60E-GE3
Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum SIHP22N60E-GE3. Sollten Sie weitere Fragen haben, zögern Sie nicht, uns zu kontaktieren!
- Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?
Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, bei dem der Stromfluss durch einen N-dotierten Kanal zwischen Source und Drain erfolgt. Die Steuerung des Stromflusses erfolgt über die Spannung am Gate.
- Welche Kühlung wird für den SIHP22N60E-GE3 empfohlen?
Die benötigte Kühlung hängt von der Anwendung und der Verlustleistung ab. Bei hohen Leistungen wird ein Kühlkörper empfohlen, um die maximale Betriebstemperatur nicht zu überschreiten. Die genauen Spezifikationen des Herstellers sollten beachtet werden.
- Kann ich den SIHP22N60E-GE3 parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?
Ja, es ist möglich, MOSFETs parallel zu schalten, um den Strom zu erhöhen. Allerdings ist es wichtig, Maßnahmen zu ergreifen, um eine gleichmäßige Stromverteilung zu gewährleisten. Dies kann durch den Einsatz von kleinen Widerständen in den Source-Leitungen erreicht werden.
- Was ist der Unterschied zwischen Vds und Vgs?
Vds steht für die Drain-Source-Spannung, also die Spannung zwischen dem Drain- und dem Source-Anschluss des MOSFETs. Vgs steht für die Gate-Source-Spannung, also die Spannung zwischen dem Gate- und dem Source-Anschluss. Vgs steuert den Stromfluss durch den MOSFET.
- Wie berechne ich die Verlustleistung des SIHP22N60E-GE3?
Die Verlustleistung (P) kann grob durch die Formel P = Id^2 * RDS(on) berechnet werden, wobei Id der Drainstrom und RDS(on) der Durchlasswiderstand ist. In Schaltanwendungen müssen auch die Schaltverluste berücksichtigt werden.
- Ist der SIHP22N60E-GE3 RoHS-konform?
Ja, der SIHP22N60E-GE3 ist RoHS-konform, was bedeutet, dass er den Richtlinien zur Beschränkung gefährlicher Stoffe in Elektro- und Elektronikgeräten entspricht.
- Wo finde ich das Datenblatt für den SIHP22N60E-GE3?
Das Datenblatt für den SIHP22N60E-GE3 finden Sie auf der Herstellerseite (Vishay) oder auf unserer Produktseite unter dem Reiter „Downloads“. Dort finden Sie alle detaillierten technischen Informationen und Spezifikationen.
Wir hoffen, diese Produktbeschreibung hat Ihnen geholfen, den SIHP22N60E-GE3 besser kennenzulernen. Bestellen Sie jetzt und erleben Sie die Leistungsfähigkeit dieses außergewöhnlichen N-Kanal MOSFETs!
