SI4936CDY-GE3: Der Dual-MOSFET für Ihre Elektronikprojekte
Entdecken Sie den SI4936CDY-GE3, einen leistungsstarken Dual-MOSFET vom N-Kanal-Typ, der Ihre Elektronikprojekte auf ein neues Level hebt. Dieser vielseitige Baustein vereint Effizienz, Kompaktheit und Zuverlässigkeit in einem einzigen SO-8 Gehäuse. Ob für anspruchsvolle Schaltungen in der Leistungselektronik, effiziente Motorsteuerungen oder optimierte DC-DC-Wandler – der SI4936CDY-GE3 ist die ideale Wahl für Entwickler, die höchste Ansprüche an ihre Komponenten stellen.
Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 30 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 5,8 A bietet dieser MOSFET genügend Spielraum für eine Vielzahl von Anwendungen. Der niedrige Einschaltwiderstand von 0,04 Ohm minimiert Leistungsverluste und trägt zu einem effizienten Betrieb Ihrer Schaltungen bei. Lassen Sie sich von der Performance und den vielfältigen Einsatzmöglichkeiten des SI4936CDY-GE3 begeistern!
Technische Details, die Überzeugen
Der SI4936CDY-GE3 überzeugt nicht nur durch seine Leistungsdaten, sondern auch durch seine durchdachte Konstruktion. Hier sind die wichtigsten technischen Details im Überblick:
- Typ: Dual-MOSFET, N-Kanal
- Drain-Source-Spannung (Vds): 30 V
- Kontinuierlicher Drain-Strom (Id): 5,8 A
- Einschaltwiderstand (Rds(on)): 0,04 Ohm
- Gehäuse: SO-8
Diese Spezifikationen machen den SI4936CDY-GE3 zu einem verlässlichen Partner in Ihren Elektronikprojekten. Die kompakte SO-8 Bauform ermöglicht eine platzsparende Integration auf Ihren Leiterplatten und trägt zur Miniaturisierung Ihrer Designs bei.
Anwendungsbereiche: Wo der SI4936CDY-GE3 glänzt
Die Vielseitigkeit des SI4936CDY-GE3 eröffnet Ihnen eine breite Palette an Anwendungsmöglichkeiten. Hier sind einige Beispiele, wie Sie diesen Dual-MOSFET optimal einsetzen können:
- Leistungselektronik: Ideal für Schaltungen, die eine effiziente Leistungsregelung erfordern.
- Motorsteuerungen: Präzise Steuerung von Motoren durch schnelles Schalten und geringe Verluste.
- DC-DC-Wandler: Optimierung von DC-DC-Wandlern für höchste Effizienz und minimale Wärmeentwicklung.
- Lastschalter: Zuverlässiges Schalten von Lasten mit geringem Einschaltwiderstand.
- Batteriemanagementsysteme: Überwachung und Steuerung von Batterielade- und Entladevorgängen.
Lassen Sie Ihrer Kreativität freien Lauf und entdecken Sie die unzähligen Möglichkeiten, die der SI4936CDY-GE3 Ihnen bietet! Seine robuste Bauweise und die ausgezeichneten elektrischen Eigenschaften machen ihn zur idealen Wahl für anspruchsvolle Anwendungen.
Warum der SI4936CDY-GE3 Ihre beste Wahl ist
In der Welt der elektronischen Bauelemente ist die Auswahl riesig. Doch der SI4936CDY-GE3 sticht aus der Masse hervor. Er bietet Ihnen nicht nur herausragende Leistungswerte, sondern auch eine Reihe von Vorteilen, die ihn zur idealen Wahl für Ihre Projekte machen:
- Effizienz: Der niedrige Einschaltwiderstand minimiert Leistungsverluste und sorgt für einen energieeffizienten Betrieb Ihrer Schaltungen.
- Kompaktheit: Das SO-8 Gehäuse ermöglicht eine platzsparende Integration auf Ihren Leiterplatten.
- Zuverlässigkeit: Der SI4936CDY-GE3 ist ein robuster und langlebiger Baustein, auf den Sie sich verlassen können.
- Vielseitigkeit: Dank seiner breiten Anwendbarkeit ist er für eine Vielzahl von Projekten geeignet.
- Kosteneffizienz: Ein hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis macht ihn zu einer wirtschaftlichen Lösung.
Investieren Sie in Qualität und Performance – mit dem SI4936CDY-GE3 treffen Sie die richtige Entscheidung für Ihre Elektronikprojekte!
Technische Daten im Detail
Für detaillierte Informationen zu den technischen Spezifikationen des SI4936CDY-GE3 werfen Sie einen Blick auf die folgende Tabelle:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Drain-Source-Spannung (Vds) | 30 | V |
| Gate-Source-Spannung (Vgs) | ±20 | V |
| Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) | 5.8 | A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 46 | A |
| Einschaltwiderstand (Rds(on)) @ Vgs=10V | 0.04 | Ohm |
| Einschaltwiderstand (Rds(on)) @ Vgs=4.5V | 0.06 | Ohm |
| Verlustleistung (Pd) | 2 | W |
| Betriebstemperatur (Tj) | -55 bis +150 | °C |
| Gehäuse | SO-8 | – |
Diese detaillierten Angaben ermöglichen es Ihnen, den SI4936CDY-GE3 optimal in Ihre Schaltungen zu integrieren und seine Leistung voll auszuschöpfen.
Entdecken Sie das Potenzial Ihrer Elektronikprojekte
Der SI4936CDY-GE3 ist mehr als nur ein elektronisches Bauelement – er ist ein Schlüssel zu innovativen und effizienten Lösungen. Lassen Sie sich von seinen vielfältigen Einsatzmöglichkeiten inspirieren und realisieren Sie Projekte, die neue Maßstäbe setzen. Ob in der Robotik, der Automatisierungstechnik oder der erneuerbaren Energien – der SI4936CDY-GE3 ist Ihr zuverlässiger Partner für anspruchsvolle Aufgaben.
Bestellen Sie noch heute Ihren SI4936CDY-GE3 und erleben Sie die Performance und Zuverlässigkeit, die diesen Dual-MOSFET auszeichnen! Wir sind überzeugt, dass er auch Ihre Elektronikprojekte bereichern wird.
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum SI4936CDY-GE3
Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum SI4936CDY-GE3:
- Was ist ein Dual-MOSFET?
- Ein Dual-MOSFET enthält zwei separate MOSFETs in einem einzigen Gehäuse. Im Falle des SI4936CDY-GE3 sind es zwei N-Kanal MOSFETs, die unabhängig voneinander angesteuert werden können.
- Wofür wird der SI4936CDY-GE3 hauptsächlich eingesetzt?
- Der SI4936CDY-GE3 findet Verwendung in einer Vielzahl von Anwendungen, darunter Leistungselektronik, Motorsteuerungen, DC-DC-Wandler, Lastschalter und Batteriemanagementsysteme.
- Was bedeutet der Einschaltwiderstand (Rds(on))?
- Der Einschaltwiderstand (Rds(on)) ist der Widerstand des MOSFETs, wenn er eingeschaltet ist. Ein niedrigerer Wert bedeutet geringere Leistungsverluste und höhere Effizienz.
- Kann ich den SI4936CDY-GE3 auch mit 3,3V betreiben?
- Ja, der SI4936CDY-GE3 kann auch mit 3,3V betrieben werden, allerdings kann der Einschaltwiderstand (Rds(on)) bei dieser Spannung höher sein als bei 4,5V oder 10V. Beachten Sie dies bei der Auslegung Ihrer Schaltung.
- Wie montiere ich den SI4936CDY-GE3 richtig?
- Der SI4936CDY-GE3 wird im SO-8 Gehäuse geliefert und kann mittels Oberflächenmontage (SMD) auf der Leiterplatte befestigt werden. Achten Sie auf eine korrekte Lötung und verwenden Sie geeignete Lötverfahren.
- Wo finde ich das Datenblatt für den SI4936CDY-GE3?
- Das Datenblatt für den SI4936CDY-GE3 finden Sie auf der Website des Herstellers Vishay oder auf verschiedenen Elektronik-Distributionsplattformen.
- Was muss ich bei der Kühlung des SI4936CDY-GE3 beachten?
- Bei höheren Strömen und Verlustleistungen kann eine Kühlung des SI4936CDY-GE3 erforderlich sein. Achten Sie auf eine gute Wärmeableitung über die Leiterbahnflächen oder verwenden Sie einen Kühlkörper, falls erforderlich.
