SCT3080KLGC11 SiC-MOSFET: Revolutionieren Sie Ihre Leistungselektronik
In der Welt der Leistungselektronik, wo Effizienz und Zuverlässigkeit oberste Priorität haben, präsentieren wir Ihnen den SCT3080KLGC11 SiC-MOSFET – eine Komponente, die neue Maßstäbe setzt und Ihre Anwendungen auf ein völlig neues Leistungsniveau hebt. Dieser N-Kanal Siliziumcarbid (SiC) MOSFET mit 1200 V Sperrspannung und 31 A Dauerstrom ist nicht nur ein Bauteil, sondern eine Investition in die Zukunft Ihrer Technologie.
Der SCT3080KLGC11 ist für anspruchsvolle Anwendungen konzipiert, die höchste Performance und Robustheit erfordern. Ob in der Elektromobilität, erneuerbaren Energien, industriellen Stromversorgungen oder in der Medizintechnik – dieser MOSFET ist die ideale Wahl, um Ihre Systeme effizienter, kompakter und zuverlässiger zu gestalten.
Unschlagbare Vorteile des SCT3080KLGC11
Was den SCT3080KLGC11 von anderen MOSFETs unterscheidet, ist seine herausragende Kombination von Eigenschaften, die ihn zu einem wahren Kraftpaket in der Leistungselektronik macht:
- Hohe Sperrspannung von 1200 V: Bietet einen außergewöhnlichen Sicherheitsspielraum und ermöglicht den Einsatz in anspruchsvollen Hochspannungsanwendungen.
- Niedriger Durchlasswiderstand Rds(on) von 0,08 Ohm: Minimiert die Verluste und erhöht die Effizienz Ihrer Schaltungen erheblich. Weniger Wärmeentwicklung bedeutet längere Lebensdauer und höhere Zuverlässigkeit.
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit: Ermöglicht höhere Frequenzen und somit eine kompaktere Bauweise Ihrer Systeme. Reduzieren Sie die Größe passiver Komponenten und sparen Sie Platz und Kosten.
- Siliziumcarbid (SiC) Technologie: Bietet überlegene thermische Eigenschaften und eine höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-MOSFETs. Arbeiten Sie mit höheren Temperaturen und profitieren Sie von einer längeren Lebensdauer.
- TO-247 Gehäuse: Bietet eine hervorragende Wärmeableitung und ermöglicht eine einfache Integration in Ihre bestehenden Designs.
Stellen Sie sich vor, Sie könnten Ihre Leistungswandler mit einer Effizienz betreiben, die bisher unvorstellbar war. Mit dem SCT3080KLGC11 wird diese Vision Realität. Reduzieren Sie Ihre Energiekosten, minimieren Sie die Wärmeentwicklung und steigern Sie die Zuverlässigkeit Ihrer Systeme. Dieser MOSFET ist mehr als nur ein Bauteil – er ist der Schlüssel zu einer neuen Generation von Leistungselektronik.
Technische Daten im Detail
Hier finden Sie eine detaillierte Übersicht der technischen Spezifikationen des SCT3080KLGC11:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Sperrspannung (Vds) | 1200 | V |
| Dauerstrom (Id) | 31 | A |
| Pulsstrom (Idm) | 62 | A |
| Durchlasswiderstand (Rds(on)) | 0.08 | Ohm |
| Gate-Ladung (Qg) | 35 | nC |
| Einschaltverzögerungszeit (Td(on)) | 15 | ns |
| Anstiegszeit (Tr) | 18 | ns |
| Ausschaltverzögerungszeit (Td(off)) | 45 | ns |
| Fallzeit (Tf) | 15 | ns |
| Gehäuse | TO-247 | – |
| Technologie | SiC (Siliziumcarbid) | – |
Diese Spezifikationen zeigen deutlich, dass der SCT3080KLGC11 ein hochleistungsfähiger MOSFET ist, der für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet ist. Seine niedrigen Schaltverluste und der geringe Durchlasswiderstand ermöglichen einen effizienten Betrieb und reduzieren die Wärmeentwicklung, was zu einer längeren Lebensdauer und einer höheren Zuverlässigkeit führt.
Anwendungsbereiche des SCT3080KLGC11
Der SCT3080KLGC11 SiC-MOSFET ist ein vielseitiges Bauteil, das in einer breiten Palette von Anwendungen eingesetzt werden kann:
- Elektromobilität: In Ladegeräten, Inverter und DC-DC-Wandlern für Elektrofahrzeuge und Hybridfahrzeuge.
- Erneuerbare Energien: In Solar-Invertern, Windkraftanlagen und Energiespeichersystemen.
- Industrielle Stromversorgungen: In Hochleistungsnetzteilen, Schweißgeräten und Motorsteuerungen.
- Medizintechnik: In Röntgengeräten, MRT-Systemen und anderen medizinischen Geräten, die eine zuverlässige und effiziente Stromversorgung benötigen.
- Hochfrequenzanwendungen: Aufgrund seiner schnellen Schaltgeschwindigkeit eignet sich der SCT3080KLGC11 auch für Hochfrequenzanwendungen wie Induktionserwärmung und drahtlose Energieübertragung.
Egal in welchem Bereich Sie tätig sind, der SCT3080KLGC11 bietet Ihnen die Leistung und Zuverlässigkeit, die Sie benötigen, um Ihre Produkte zu optimieren und Ihre Wettbewerbsfähigkeit zu steigern. Erleben Sie die Zukunft der Leistungselektronik mit diesem außergewöhnlichen MOSFET.
Warum Sie sich für den SCT3080KLGC11 entscheiden sollten
Die Entscheidung für den SCT3080KLGC11 ist eine Entscheidung für Qualität, Leistung und Zukunftssicherheit. Dieser SiC-MOSFET bietet Ihnen:
- Höchste Effizienz: Minimieren Sie Ihre Energieverluste und senken Sie Ihre Betriebskosten.
- Verbesserte Zuverlässigkeit: Profitieren Sie von einer längeren Lebensdauer und reduzierten Ausfallzeiten.
- Kompakte Bauweise: Reduzieren Sie die Größe Ihrer Systeme und sparen Sie Platz und Kosten.
- Zukunftssichere Technologie: Investieren Sie in eine Technologie, die den Anforderungen der Zukunft gewachsen ist.
Der SCT3080KLGC11 ist mehr als nur ein Bauteil – er ist ein Partner, der Ihnen hilft, Ihre Ziele zu erreichen und Ihre Visionen zu verwirklichen. Lassen Sie sich von seiner Leistung inspirieren und entdecken Sie die unendlichen Möglichkeiten, die er Ihnen bietet.
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum SCT3080KLGC11
Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum SCT3080KLGC11 SiC-MOSFET:
- Was bedeutet SiC bei einem MOSFET?
SiC steht für Siliziumcarbid. SiC-MOSFETs bieten im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-MOSFETs verbesserte thermische Eigenschaften, höhere Schaltgeschwindigkeiten und eine höhere Durchbruchspannung. - Welchen Vorteil bietet der niedrige Rds(on) Wert?
Ein niedriger Rds(on)-Wert (Durchlasswiderstand) bedeutet geringere Leistungsverluste während des Betriebs. Dies führt zu einer höheren Effizienz und weniger Wärmeentwicklung. - Kann ich den SCT3080KLGC11 parallel schalten?
Ja, der SCT3080KLGC11 kann parallel geschaltet werden, um den Strom zu erhöhen. Es ist jedoch wichtig, die korrekte Lastverteilung und das thermische Management zu berücksichtigen. - Welche Gate-Ansteuerspannung wird für den SCT3080KLGC11 empfohlen?
Die empfohlene Gate-Ansteuerspannung liegt typischerweise zwischen 15 V und 20 V für das Einschalten und zwischen -5 V und 0 V für das Ausschalten. Beachten Sie das Datenblatt für die genauen Spezifikationen. - Wie hoch ist die maximale Betriebstemperatur des SCT3080KLGC11?
Die maximale Betriebstemperatur des SCT3080KLGC11 beträgt typischerweise 175°C. Die genauen Werte entnehmen Sie bitte dem Datenblatt. - Ist der SCT3080KLGC11 RoHS-konform?
Ja, der SCT3080KLGC11 ist in der Regel RoHS-konform und entspricht den aktuellen Umweltstandards. - Wo finde ich ein Datenblatt für den SCT3080KLGC11?
Das Datenblatt für den SCT3080KLGC11 finden Sie auf der Website des Herstellers oder auf den Websites von Distributoren. - Welche Kühlkörper werden für den SCT3080KLGC11 empfohlen?
Die Wahl des Kühlkörpers hängt von der Verlustleistung und der Umgebungstemperatur ab. Es ist wichtig, einen Kühlkörper zu wählen, der die Temperatur des MOSFETs innerhalb der zulässigen Grenzen hält. Konsultieren Sie das Datenblatt und führen Sie thermische Simulationen durch, um den geeigneten Kühlkörper zu bestimmen.
