SC 5302 – Der Schlüssel zu Höchstleistung in Ihren Elektronikprojekten
Entdecken Sie den SC 5302, einen leistungsstarken HF-Bipolartransistor, der Ihre Elektronikprojekte auf ein neues Level hebt. Dieser NPN-Transistor vereint Robustheit, Präzision und beeindruckende Leistung in einem kompakten TO-3PML-Gehäuse. Ob für anspruchsvolle Verstärker, zuverlässige Schaltnetzteile oder innovative HF-Anwendungen – der SC 5302 ist die ideale Wahl für Entwickler und Ingenieure, die keine Kompromisse eingehen.
Technische Brillanz im Detail
Der SC 5302 wurde entwickelt, um höchsten Ansprüchen gerecht zu werden. Seine beeindruckenden technischen Daten sprechen für sich:
- Transistortyp: NPN Bipolar
- Maximale Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo): 800V
- Kollektorstrom (Ic): 15A
- Verlustleistung (Pd): 75W
- Gehäuse: TO-3PML
Diese Spezifikationen ermöglichen den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen, bei denen hohe Spannungen und Ströme gefordert sind. Der SC 5302 zeichnet sich durch seine Stabilität und Zuverlässigkeit aus, selbst unter anspruchsvollen Betriebsbedingungen.
Anwendungsbereiche, die begeistern
Lassen Sie Ihrer Kreativität freien Lauf! Der SC 5302 eröffnet Ihnen unzählige Möglichkeiten in der Welt der Elektronik. Hier sind nur einige Beispiele:
- Leistungsverstärker: Erleben Sie Klangqualität in einer neuen Dimension. Der SC 5302 sorgt für eine saubere und verzerrungsfreie Verstärkung Ihrer Audiosignale.
- Schaltnetzteile: Bauen Sie effiziente und zuverlässige Netzteile, die Ihre Geräte mit der benötigten Energie versorgen.
- HF-Anwendungen: Nutzen Sie die hervorragenden HF-Eigenschaften des SC 5302 für anspruchsvolle Funk- und Kommunikationssysteme.
- Motorsteuerungen: Realisieren Sie präzise und leistungsstarke Motorsteuerungen für eine Vielzahl von Anwendungen.
- Industrielle Steuerungssysteme: Der SC 5302 bewährt sich in rauen Umgebungen und sorgt für einen zuverlässigen Betrieb Ihrer Systeme.
Die Vorteile des SC 5302 im Überblick
Was macht den SC 5302 so besonders? Hier sind die wichtigsten Vorteile, die Sie überzeugen werden:
- Hohe Spannungsfestigkeit: Mit einer maximalen Kollektor-Emitter-Spannung von 800V bietet der SC 5302 einen großen Sicherheitsspielraum für anspruchsvolle Anwendungen.
- Hoher Stromtragfähigkeit: Der SC 5302 kann Ströme bis zu 15A zuverlässig verarbeiten, was ihn ideal für leistungsstarke Anwendungen macht.
- Hohe Verlustleistung: Mit einer Verlustleistung von 75W bietet der SC 5302 genügend Reserven, um auch unter Volllast einen stabilen Betrieb zu gewährleisten.
- Robustes Gehäuse: Das TO-3PML-Gehäuse sorgt für eine optimale Wärmeableitung und schützt den Transistor vor äußeren Einflüssen.
- Hohe Zuverlässigkeit: Der SC 5302 wurde entwickelt, um auch unter anspruchsvollen Bedingungen einen zuverlässigen Betrieb zu gewährleisten.
Technische Daten im Detail
Für alle, die es genau wissen wollen, hier eine detaillierte Übersicht der technischen Daten:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Maximale Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) | 800 | V |
| Maximale Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo) | 800 | V |
| Maximale Emitter-Basis-Spannung (Vebo) | 7 | V |
| Kollektorstrom (Ic) | 15 | A |
| Spitzenkollektorstrom (Icm) | 30 | A |
| Verlustleistung (Pd) | 75 | W |
| Stromverstärkung (hFE) | 5 – 20 | – |
| Übergangsfrequenz (ft) | 30 | MHz |
| Betriebstemperaturbereich | -65 bis +150 | °C |
| Gehäuse | TO-3PML | – |
Ihr Projekt, unsere Leidenschaft
Wir verstehen, dass Ihre Projekte mehr als nur Arbeit sind – sie sind Ausdruck Ihrer Kreativität und Innovationskraft. Der SC 5302 ist mehr als nur ein Bauteil; er ist ein Partner, der Sie dabei unterstützt, Ihre Visionen zu verwirklichen. Vertrauen Sie auf die Leistung und Zuverlässigkeit des SC 5302 und bringen Sie Ihre Elektronikprojekte auf das nächste Level. Bestellen Sie noch heute und erleben Sie den Unterschied!
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum SC 5302
1. Was bedeutet die Bezeichnung NPN bei einem Bipolartransistor?
NPN bezieht sich auf die Anordnung der Halbleitermaterialien im Transistor. Er besteht aus einer Schicht von P-dotiertem Material (Basis), die zwischen zwei Schichten von N-dotiertem Material (Emitter und Kollektor) liegt. NPN-Transistoren werden häufig verwendet, da sie in der Regel eine höhere Elektronenmobilität aufweisen als PNP-Transistoren.
2. Welche Bedeutung hat die Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)?
Die Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) gibt die maximale Spannung an, die zwischen dem Kollektor und dem Emitter des Transistors angelegt werden darf, ohne dass es zu einem Durchbruch kommt. Es ist wichtig, diesen Wert nicht zu überschreiten, um eine Beschädigung des Transistors zu vermeiden. Für den SC 5302 beträgt Vceo 800V.
3. Was ist der Unterschied zwischen Kollektorstrom (Ic) und Spitzenkollektorstrom (Icm)?
Der Kollektorstrom (Ic) ist der kontinuierliche Strom, der durch den Kollektor fließen kann, ohne den Transistor zu beschädigen. Der Spitzenkollektorstrom (Icm) ist der maximale Strom, der kurzzeitig fließen darf. Für den SC 5302 beträgt Ic 15A und Icm 30A.
4. Welche Rolle spielt die Verlustleistung (Pd)?
Die Verlustleistung (Pd) gibt an, wie viel Leistung der Transistor in Wärme umwandeln kann, ohne beschädigt zu werden. Eine höhere Verlustleistung ermöglicht den Einsatz des Transistors in leistungsstärkeren Anwendungen. Für den SC 5302 beträgt Pd 75W.
5. Wie beeinflusst die Stromverstärkung (hFE) die Schaltung?
Die Stromverstärkung (hFE), auch Beta genannt, gibt an, wie stark der Kollektorstrom durch den Basisstrom gesteuert wird. Ein höherer Wert bedeutet, dass ein kleiner Basisstrom einen größeren Kollektorstrom steuern kann. Der SC 5302 hat eine hFE von 5 bis 20.
6. Was ist bei der Kühlung des SC 5302 zu beachten?
Aufgrund seiner relativ hohen Verlustleistung kann es notwendig sein, den SC 5302 mit einem Kühlkörper zu versehen, um eine Überhitzung zu vermeiden. Die Größe des Kühlkörpers hängt von der tatsächlichen Verlustleistung und der Umgebungstemperatur ab.
7. Ist der SC 5302 ESD-empfindlich?
Wie die meisten Halbleiterbauelemente ist auch der SC 5302 empfindlich gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD). Es ist wichtig, beim Umgang mit dem Transistor ESD-Schutzmaßnahmen zu ergreifen, wie z.B. das Tragen eines Erdungsarmbands und die Verwendung einer ESD-sicheren Arbeitsfläche.
