MSC035SMA170S – SiC-MOSFET N-Kanal, 1700 V, 59 A, Rds(on) 0,035 Ohm, TO-268 (D3P

MSC035SMA170S, 1700 V, 35 mOhm, Silicon Carbide N-Channel Power MOSFETBeschreibungDie Siliziumkarbid (SiC) Power-MOSFET-Produktlinie von Microsemi bietet eine höhere Leistung als Silizium-MOSFET- und Silizium-IGBT-Lösungen und senkt gleichzeitig die Gesamtbetriebskosten für Hochspannungsanwendungen. The MSC035SMA170S device is a 1700 V, 35 mO SiC MOSFET in a TO-268 (D3PAK) package.Merkmale:• Niedrige Kapazitäten und geringe Gate-Ladung• Schnelle Schaltgeschwindigkeit aufgrund des niedrigen Gate-Innenwiderstands (ESR)• Stabiler Betrieb bei hoher Sperrschichttemperatur, TJ(max) = 175 °C• Schnelle und zuverlässige Body-Diode• Hervorragende Avalanche-Robustheit• RoHS-konformVorteile:• Hoher Wirkungsgrad für ein leichteres, kompakteres System• Einfache Ansteuerung und einfache Parallelschaltung• Verbesserte thermische Eigenschaften und geringere Schaltverluste• Keine externe Freilaufdiode mehr erforderlich• Geringere Betriebskosten für das SystemAnwendungen:• PV-Wechselrichter, Umrichter und industrielle Motorantriebe• Intelligente Netzübertragung und -verteilung• Induktionserwärmung und Schweißen• H/EV-Antriebsstrang und EV-Ladegeräte• Energieversorgung und -verteilung