MJ 11016 ISC – Darlington-Transistor, NPN, 120V, 30A, 200W, TO-3

INCHANGE Semiconductor Silicon NPN Darlington Power TransistorBeschreibung:· Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung- V(BR)CEO= 120V(Min.)· Hohe Gleichstromverstärkung : hFE= 1000(Min.)@IC= 20A· Niedrige Kollektor-Sättigungsspannung- VCE (sat)= 3.0V(Max.)@ IC= 20A· Ergänzung zu PNP MJ11015· Minimale Lot-to-Lot-Variationen für robuste Geräteleistung und zuverlässigen BetriebAnwendungen:· Ausgelegt für den Einsatz als Ausgabegeräte in komplementärenVerstärker-Anwendungen.