INCHANGE Semiconductor Silicon PNP Darlington Power TransistorBeschreibung:· Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung…- V(BR)CEO= -120V(Min.)· Hohe Gleichstromverstärkung — hFE= 1000(Min.)@IC= -20A· Niedrige Kollektor-Sättigungsspannung…- VCE (sat)= -3.0V(Max.)@ IC= -20A· Komplement zu NPN MJ11016Anwendungen:· Ausgelegt für den Einsatz als Ausgabegeräte in komplementärenVerstärker-Anwendungen.
MJ 11015 ISC – Darlington-Transistor, PNP, 120V, 30A, 200W, TO-3
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