Hochleistungs-Infrarot-Diode L-7104SF4BT KB: Präzision für anspruchsvolle Anwendungen
Wenn Sie eine zuverlässige und präzise Infrarot-Lichtquelle für anspruchsvolle technische Anwendungen suchen, ist die L-7104SF4BT KB Infrarot-Diode die optimale Wahl. Dieses Bauteil wurde speziell für Szenarien entwickelt, in denen eine gleichmäßige und spezifische IR-Strahlung bei 880 nm benötigt wird, und eignet sich ideal für Entwickler, Ingenieure und Systemintegratoren, die auf höchste Qualität und Leistung Wert legen.
Überragende Leistung und Materialqualität
Die L-7104SF4BT KB Infrarot-Diode zeichnet sich durch ihre herausragende Leistungsfähigkeit aus, die auf der fortschrittlichen GaAlAs (Gallium-Aluminium-Arsenid) Halbleitertechnologie basiert. Diese Materialwahl ermöglicht eine effiziente Umwandlung von elektrischer Energie in Infrarotlicht bei einer Wellenlänge von 880 nm. Im Vergleich zu Standard-Infrarot-Dioden bietet GaAlAs eine höhere Strahlungsleistung, verbesserte thermische Stabilität und eine längere Lebensdauer. Die präzise Abstimmung der Wellenlänge auf 880 nm ist entscheidend für viele industrielle und wissenschaftliche Anwendungen, bei denen eine spezifische Interaktion mit Materialien oder Sensoren erforderlich ist. Der breite Abstrahlwinkel von 50° sorgt für eine gute Abdeckung und Flexibilität in verschiedenen Systemkonfigurationen, während das standardisierte 3 mm T1-Gehäuse eine einfache Integration in bestehende Schaltungen und Fassungen ermöglicht.
Technische Spezifikationen und Vorteile
- GaAlAs-Technologie: Bietet eine überlegene Effizienz und Strahlungsleistung im Vergleich zu anderen Halbleitermaterialien.
- 880 nm Wellenlänge: Ideal für eine Vielzahl von IR-Detektions-, Mess- und Kommunikationsanwendungen.
- 50° Abstrahlwinkel: Ermöglicht eine breite und gleichmäßige Ausleuchtung des Zielbereichs.
- 3 mm T1-Gehäuse: Standardisierte Größe für einfache Montage und Kompatibilität.
- Hohe Zuverlässigkeit: Entwickelt für den langlebigen Einsatz in professionellen Umgebungen.
- Gleichmäßige Strahlungscharakteristik: Minimiert Schwankungen und sorgt für konsistente Ergebnisse.
- Optimierte thermische Eigenschaften: Gewährleistet stabile Leistung auch unter anspruchsvollen Betriebsbedingungen.
Anwendungsgebiete der L-7104SF4BT KB Infrarot-Diode
Die L-7104SF4BT KB Infrarot-Diode ist ein vielseitiges Bauteil, das in zahlreichen technischen Bereichen zum Einsatz kommt. Ihre spezifischen Eigenschaften machen sie zu einer bevorzugten Wahl für:
- Sensorik und Messtechnik: Als Lichtquelle für optische Sensoren, Abstandsmesser, Schranken, Codeleser und automatische Identifikationssysteme. Die präzise Wellenlänge von 880 nm ist oft für die Interaktion mit spezifischen Detektoren optimiert.
- Automatisierung und Robotik: Für Objekterkennung, Positionierungssysteme, Navigationshilfen und die Implementierung von Sicherheitslichtschranken in industriellen Umgebungen.
- Medizintechnik: In diagnostischen Geräten, therapeutischen Anwendungen (z.B. Photobiomodulation, sofern die Wellenlänge dafür geeignet ist und spezifische Zulassungen vorliegen) oder als Bestandteil von Überwachungssystemen.
- Sicherheitstechnik: Für Überwachungskameras mit Nachtsichtfunktion, Alarmsysteme und Zugangskontrollmechanismen.
- Telekommunikation: Als Bestandteil von IR-Datenübertragungssystemen oder als optische Schnittstelle.
- Forschung und Entwicklung: In Laborumgebungen für experimentelle Aufbauten, optische Studien und die Entwicklung neuer Technologien.
- Automobilindustrie: Für Abstandssensoren, Fahrerassistenzsysteme und Innenraumüberwachung.
Detaillierte Produktmerkmale
Die L-7104SF4BT KB Infrarot-Diode repräsentiert Spitzenklasse in der Halbleitertechnologie. Das Herzstück des Bauteils bildet ein Chip aus Gallium-Aluminium-Arsenid (GaAlAs). Dieses III-V-Halbleitermaterial ist bekannt für seine Fähigkeit, Licht im nahen Infrarotbereich mit hoher Effizienz zu emittieren. Die spezifische Zusammensetzung von Gallium (Ga) und Aluminium (Al) im Arsenid-Kristallgitter wird präzise kontrolliert, um die gewünschte Emissionswellenlänge von 880 nm zu erzielen. Diese Wellenlänge ist im Spektrum des nahen Infrarots besonders bedeutsam, da viele organische Materialien und bestimmte Detektortypen in diesem Bereich starke Absorptionen oder Reflexionen aufweisen, was sie für Mess- und Erkennungszwecke ideal macht.
Der Abstrahlwinkel von 50° ist ein entscheidender Faktor für die Anwendungsvielfalt. Er bietet einen Kompromiss zwischen einer fokussierten Strahlung und einer breiten Ausleuchtung. In Systemen, die eine gezielte Detektion über eine moderate Distanz erfordern, wie beispielsweise in berührungslosen Schaltern oder einfachen Distanzmessern, ist dieser Winkel optimal. Er ermöglicht eine ausreichende Strahlungsintensität am Zielobjekt, ohne dass eine aufwendige Optik zur Strahlformung erforderlich ist. Dies vereinfacht das Systemdesign und reduziert die Kosten.
Die Bauform der Diode ist ein 3 mm T1-Gehäuse. Dies ist eine gängige und standardisierte Größe für Leuchtdioden (LEDs) und Infrarot-Dioden. Das Gehäuse besteht typischerweise aus einem transparenten oder transluzenten Kunststoff, der die Lichtemission ermöglicht und die interne Halbleiterstruktur schützt. Die mechanische Stabilität und die Anschlussdrähte sind für eine einfache Lötverbindung oder die Bestückung auf Leiterplatten ausgelegt. Die thermische Belastbarkeit des Gehäuses ist entscheidend, da Infrarot-Dioden bei höherer Leistung Wärme entwickeln können. Die L-7104SF4BT KB ist für den Betrieb innerhalb spezifizierter thermischer Grenzen ausgelegt, um eine zuverlässige Funktion über lange Zeiträume zu gewährleisten.
| Merkmal | Spezifikation / Beschreibung |
|---|---|
| Halbleitermaterial | Gallium-Aluminium-Arsenid (GaAlAs) |
| Wellenlänge (Peak) | 880 nm (nahes Infrarot) |
| Abstrahlwinkel | 50° (Halbwertsbreite) |
| Gehäusegröße | 3 mm T1-Standard |
| Optische Leistung (typisch) | Hoch, optimiert für 880 nm |
| Vorwärtsspannung (typisch) | Variiert je nach Strom, typischerweise im Bereich von 1.2V bis 1.6V |
| Anwendungsbereiche | Sensorik, Automatisierung, Sicherheit, Messtechnik |
| Zertifizierungen | Entspricht Industriestandards für Halbleiterbauteile |
Häufig gestellte Fragen (FAQ)
FAQ – Häufig gestellte Fragen zu L-7104SF4BT KB – Infrarot-Diode, GaAlAs, 880 nm, 50°, 3 mm, T1
Welche Vorteile bietet die GaAlAs-Technologie gegenüber anderen IR-Diodenmaterialien?
Die GaAlAs-Technologie ermöglicht eine höhere optische Ausgangsleistung und eine bessere Effizienz bei der Umwandlung von elektrischer Energie in Infrarotlicht. Sie zeichnet sich zudem durch eine verbesserte thermische Stabilität und eine längere Lebensdauer aus, was sie für anspruchsvolle und langlebige Anwendungen prädestiniert.
Ist die L-7104SF4BT KB für die Nachtsicht in Überwachungskameras geeignet?
Ja, die Wellenlänge von 880 nm liegt im nahen Infrarotbereich, der von vielen Kamerasensoren gut erfasst wird, auch wenn das menschliche Auge ihn nicht sehen kann. Dies macht sie zu einer idealen Lichtquelle zur Verbesserung der Nachtsichtfähigkeit von Überwachungskameras.
Wie beeinflusst der Abstrahlwinkel von 50° die Anwendung?
Ein Abstrahlwinkel von 50° bietet eine gute Balance zwischen einer fokussierten Strahlung und einer breiten Abdeckung. Dies ist ideal für Anwendungen, bei denen das Zielobjekt über eine moderate Distanz beleuchtet werden muss, ohne dass eine zusätzliche Optik zur Strahlformung erforderlich ist. Dies vereinfacht das Systemdesign.
Kann diese Infrarot-Diode direkt an Mikrocontroller-Pins angeschlossen werden?
Die direkte Ansteuerung hängt von den spezifischen Strom- und Spannungsanforderungen der Diode und den Ausgangsparametern des Mikrocontrollers ab. Oftmals ist ein Vorwiderstand zur Strombegrenzung erforderlich, um die Diode vor Überlastung zu schützen und eine optimale Leistung zu gewährleisten. Die genauen Werte sollten anhand des Datenblatts des Mikrocontrollers und der Spezifikationen der Infrarot-Diode berechnet werden.
Für welche Art von Sensoren ist die Wellenlänge von 880 nm besonders gut geeignet?
Die Wellenlänge von 880 nm ist ideal für Silizium-Photodioden und Fototransistoren, da diese Detektoren in diesem Bereich eine hohe Empfindlichkeit aufweisen. Sie eignet sich auch gut für Anwendungen, bei denen die Wechselwirkung mit bestimmten organischen Materialien oder chemischen Substanzen im nahen Infrarotspektrum relevant ist.
Wie ist die Lebensdauer dieser Infrarot-Diode unter typischen Betriebsbedingungen zu erwarten?
Dioden auf GaAlAs-Basis, wie die L-7104SF4BT KB, bieten typischerweise eine sehr lange Lebensdauer, oft im Bereich von Zehntausenden von Stunden, vorausgesetzt, sie werden innerhalb ihrer spezifizierten Betriebsgrenzen betrieben (z.B. hinsichtlich Strom, Temperatur und Pulsbetrieb). Die genaue Lebensdauer kann je nach spezifischem Anwendungsprofil variieren.
Kann die L-7104SF4BT KB für die IR-Kommunikation (z.B. Fernbedienungen) verwendet werden?
Obwohl die Wellenlänge von 880 nm für die IR-Kommunikation geeignet ist, sind Fernbedienungen oft auf spezifische Modulationsfrequenzen und Leistungsstufen ausgelegt. Die L-7104SF4BT KB kann als Senderkomponente dienen, erfordert aber möglicherweise eine sorgfältige Anpassung der Treiberschaltung und eine Prüfung auf Kompatibilität mit den Standards der Empfangsgeräte.
