Hochleistungs-Infrarot-Diode für anspruchsvolle Anwendungen
Suchen Sie eine zuverlässige und leistungsstarke Infrarot-Diode für Ihre komplexen Elektronikprojekte oder kundenspezifischen Sensorlösungen? Die L-7104F3BT KB – Infrarot-Diode, GaAs, 940 nm, 34°, 3 mm, T1 bietet eine präzise und effiziente Infrarotlichtemission, die sie zur idealen Wahl für Entwickler, Ingenieure und anspruchsvolle Hobbyisten macht, die auf höchste Performance und Zuverlässigkeit angewiesen sind.
Hervorragende Leistung und Präzision
Die L-7104F3BT KB setzt neue Maßstäbe in puncto Infrarotemission. Mit ihrer Wellenlänge von 940 nm ist sie optimal für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, bei denen eine unsichtbare Lichtquelle mit hoher Effizienz benötigt wird. Die GaAs-Technologie (Galliumarsenid) gewährleistet eine robuste Leistung und eine lange Lebensdauer, selbst unter anspruchsvollen Betriebsbedingungen. Dies macht sie zu einer überlegenen Wahl gegenüber herkömmlichen Infrarot-Dioden, die möglicherweise Kompromisse bei Effizienz oder Langlebigkeit eingehen.
Optimale Abstrahlcharakteristik und Gehäusegröße
Mit einem Abstrahlwinkel von 34° bietet die L-7104F3BT KB eine fokussierte und dennoch gut verteilte Lichtemission. Dieser Winkel ist ideal für Anwendungen, bei denen eine gezielte Beleuchtung einer bestimmten Fläche erforderlich ist, ohne unerwünschte Streuung. Das T1-Gehäuse mit einem Durchmesser von 3 mm ist ein Standardformat, das eine einfache Integration in bestehende Schaltungen und Gehäuse ermöglicht. Diese sorgfältig ausgewählten Spezifikationen stellen sicher, dass Ihre Systeme präzise und zuverlässig funktionieren.
Vorteile der L-7104F3BT KB
- Hohe Effizienz: Die GaAs-Technologie sorgt für eine ausgezeichnete Umwandlung von elektrischer Energie in Infrarotlicht, was zu einer geringeren Wärmeentwicklung und höherer Leistung führt.
- Präzise Wellenlänge: Mit 940 nm ist die Diode ideal für Anwendungen, die eine spezifische, unsichtbare Wellenlänge erfordern, wie z.B. Fernbedienungen, Sicherheitssysteme und optische Sensoren.
- Gezielte Abstrahlung: Der Abstrahlwinkel von 34° ermöglicht eine kontrollierte Beleuchtung, was für präzise Messungen und zuverlässige Signalübertragungen unerlässlich ist.
- Robuste Bauweise: Das T1-Gehäuse und die hochwertige GaAs-Konstruktion gewährleisten eine außergewöhnliche Langlebigkeit und Widerstandsfähigkeit gegenüber Umwelteinflüssen.
- Breite Kompatibilität: Das Standard-T1-Gehäuse erleichtert den Austausch bestehender Komponenten und die Integration in neue Designs.
- Minimale Streuung: Im Vergleich zu Dioden mit breiteren Abstrahlwinkeln reduziert sich die Lichtstreuung, was die Signalqualität verbessert und Interferenzen minimiert.
Technische Spezifikationen im Detail
| Eigenschaft | Detail |
|---|---|
| Produktbezeichnung | L-7104F3BT KB |
| Typ | Infrarot-Diode |
| Halbleitermaterial | Galliumarsenid (GaAs) |
| Wellenlänge (Peak) | 940 nm |
| Abstrahlwinkel | 34° |
| Gehäusegröße | 3 mm (T1) |
| Betriebstemperatur | Optimiert für zuverlässige Leistung in einem breiten Temperaturbereich, typisch für Infrarot-Halbleiterkomponenten, gewährleistet Stabilität auch bei erhöhter Umgebungstemperatur. |
| Vorwärtsspannung (typisch) | Die Vorwärtsspannung ist für eine effiziente Stromversorgung optimiert und liegt im typischen Bereich für GaAs-Infrarot-Dioden, was eine einfache Integration in bestehende Schaltungen ermöglicht, ohne dass spezielle Spannungsregler erforderlich sind. |
Anwendungsgebiete der L-7104F3BT KB
Die Vielseitigkeit der L-7104F3BT KB macht sie zu einem unverzichtbaren Bauteil in zahlreichen technischen Bereichen. Ob in der Automobilindustrie für Fahrerassistenzsysteme, in der Sicherheitstechnik für Bewegungssensoren und Alarmanlagen, in der Medizintechnik für diagnostische Geräte, in der industriellen Automatisierung für optische Schranken und Abstandsmessungen oder in Unterhaltungselektronik wie Fernbedienungen – diese Infrarot-Diode liefert stets eine konsistente und präzise Performance.
Maximale Effizienz durch optimierte Technologie
Die Auswahl von Galliumarsenid (GaAs) als Halbleitermaterial ist kein Zufall. GaAs bietet im Vergleich zu anderen Materialien wie Silizium oder Gallium-Phosphid (GaP) überlegene Eigenschaften für die Emission von Infrarotlicht im Wellenlängenbereich um 940 nm. Dazu gehören eine höhere Quanteneffizienz, was bedeutet, dass mehr von der zugeführten elektrischen Energie in Licht umgewandelt wird. Dies resultiert in einer höheren Strahlungsleistung bei gleichem Stromverbrauch und reduziert die Wärmeentwicklung im Bauteil. Diese Effizienzsteigerung ist entscheidend für stromsparende Anwendungen und für Systeme, bei denen die Wärmeableitung eine Herausforderung darstellt. Die L-7104F3BT KB ist somit nicht nur eine Lichtquelle, sondern ein optimierter Energiekonverter.
Präzision in der Signalübertragung
Der Abstrahlwinkel von 34° ist ein kritischer Parameter, der die räumliche Verteilung des emittierten Lichts bestimmt. Ein Winkel von 34° ermöglicht eine gute Balance zwischen einer ausreichend breiten Ausleuchtung und einer dennoch gerichteten Abstrahlung. Dies ist essenziell für Anwendungen wie Lichtschranken, wo ein klar definierter und sicherer Signalpfad benötigt wird, oder für Entfernungsmesssysteme, die auf der Reflexion des Lichts basieren. Eine zu breite Abstrahlung könnte zu unerwünschten Reflexionen von Objekten außerhalb des Zielbereichs führen, während eine zu enge Abstrahlung die Erfassung des Zielobjekts erschweren könnte. Die L-7104F3BT KB liefert hier die ideale Mitte, um zuverlässige und präzise Messergebnisse zu erzielen.
Die Bedeutung des T1-Gehäuses
Das 3 mm T1-Gehäuse ist ein etablierter Standard in der Elektronikindustrie. Seine geringe Größe und die standardisierte Form ermöglichen eine einfache Montage auf Leiterplatten (PCBs) mittels Durchsteckmontage (Through-Hole Technology). Dies bedeutet, dass die Diode sicher in vorgebohrte Löcher gesteckt und von der Rückseite der Platine verlötet werden kann. Die kompakte Größe des T1-Gehäuses ist besonders vorteilhaft für Designs mit begrenztem Platzangebot, was in vielen modernen elektronischen Geräten der Fall ist. Darüber hinaus vereinfacht die Standardisierung die Beschaffung und den Austausch von Komponenten, da viele Hersteller und Distributionen diesen Gehäusetyp anbieten.
Qualität und Zuverlässigkeit, auf die Sie zählen können
Bei Lan.de verstehen wir, dass die Zuverlässigkeit von Elektronikkomponenten entscheidend für den Erfolg Ihrer Projekte ist. Die L-7104F3BT KB wird nach strengen Qualitätsstandards gefertigt, um eine konsistente Leistung und eine lange Lebensdauer zu gewährleisten. Die verwendete GaAs-Technologie ist bekannt für ihre Robustheit und Widerstandsfähigkeit gegenüber Temperaturschwankungen und mechanischer Beanspruchung. Dies bedeutet, dass Sie sich auf die L-7104F3BT KB verlassen können, auch in Umgebungen, in denen andere Komponenten versagen könnten.
FAQ – Häufig gestellte Fragen zu L-7104F3BT KB – Infrarot-Diode, GaAs, 940 nm, 34°, 3 mm, T1
Was ist die Hauptanwendung für eine 940 nm Infrarot-Diode?
Eine 940 nm Infrarot-Diode wie die L-7104F3BT KB wird häufig in Anwendungen eingesetzt, die eine unsichtbare Lichtquelle für die Signalübertragung oder Detektion erfordern. Dazu gehören unter anderem Fernbedienungen, Sicherheitssysteme (z.B. Bewegungsmelder), optische Sensoren, Barcode-Scanner, medizinische Geräte und in der Automobilindustrie für Sensoren.
Warum ist GaAs (Galliumarsenid) ein wichtiges Material für diese Diode?
Galliumarsenid (GaAs) ist ein Halbleitermaterial, das sich hervorragend für die Emission von Licht in bestimmten Wellenlängenbereichen, einschließlich des Infrarotbereichs um 940 nm, eignet. Es bietet eine höhere Effizienz und Leistung im Vergleich zu anderen Materialien wie Silizium für diese spezifischen Emissionsbereiche und ermöglicht eine robustere und langlebigere Komponente.
Was bedeutet der Abstrahlwinkel von 34° für die Leistung?
Ein Abstrahlwinkel von 34° bedeutet, dass das von der Diode emittierte Infrarotlicht in einem Kegel mit diesem Winkel verteilt wird. Dies ermöglicht eine gezielte Beleuchtung eines bestimmten Bereichs, was für präzise Messungen, Signalübertragung und die Vermeidung von unerwünschter Lichtstreuung wichtig ist.
Ist das T1-Gehäuse mit 3 mm Durchmesser standardisiert?
Ja, das T1-Gehäuse mit einem Durchmesser von 3 mm ist ein sehr verbreiteter und standardisierter Gehäusetyp für kleine elektronische Bauteile, insbesondere für LEDs und Infrarot-Dioden. Dies erleichtert die Integration in verschiedene Leiterplattendesigns und den Austausch.
Welche Art von Stromversorgung wird für diese Infrarot-Diode benötigt?
Die L-7104F3BT KB ist eine Halbleiterdiode und benötigt eine Gleichspannung (DC) zur Ansteuerung. Die spezifischen Strom- und Spannungsanforderungen (Vorwärtsspannung, maximaler Strom) sind in den detaillierteren technischen Datenblättern des Herstellers zu finden, aber sie ist so konzipiert, dass sie mit gängigen Niederspannungs-Gleichstromquellen kompatibel ist.
Kann diese Diode auch für Nachtsicht-Anwendungen verwendet werden?
Obwohl die Diode Infrarotlicht emittiert, das für das menschliche Auge unsichtbar ist, wird sie in der Regel nicht direkt in Nachtsichtgeräten verwendet, die auf dem Verstärken von Umgebungslicht basieren. Sie kann jedoch als Infrarot-Beleuchtungsquelle in Systemen dienen, die mit Infrarot-Kameras oder Sensoren kombiniert werden, um die Sichtbarkeit in dunklen Umgebungen zu verbessern.
Welche Faktoren beeinflussen die Lebensdauer dieser Infrarot-Diode?
Die Lebensdauer der L-7104F3BT KB wird hauptsächlich durch die Betriebsbedingungen wie Stromstärke, Spannung und Umgebungstemperatur beeinflusst. Eine Unterschreitung der maximal zulässigen Werte und eine gute Wärmeableitung tragen maßgeblich zur Verlängerung der Lebensdauer bei. Die hochwertige GaAs-Konstruktion sorgt bereits für eine intrinsisch hohe Robustheit.
