IXTP75N10P – Der Schlüssel zu Höchstleistung in Ihren Schaltungen
Tauchen Sie ein in die Welt der effizienten Leistungselektronik mit dem IXTP75N10P, einem N-Kanal MOSFET, der Ihre Schaltungen auf ein neues Level hebt. Dieser robuste und zuverlässige Baustein ist der ideale Partner für anspruchsvolle Anwendungen, die hohe Ströme und niedrige Verluste erfordern. Erleben Sie die Freiheit, Ihre Ideen ohne Kompromisse umzusetzen und die Grenzen des Machbaren neu zu definieren.
Unübertroffene Performance für Ihre Visionen
Der IXTP75N10P ist mehr als nur ein MOSFET – er ist ein Versprechen für herausragende Leistung und Stabilität. Mit einer Sperrspannung von 100V und einem Dauerstrom von 75A meistert er selbst die anspruchsvollsten Aufgaben mühelos. Seine geringe Durchlasswiderstand (Rds(on)) von lediglich 0,025 Ohm minimiert die Verluste und maximiert die Effizienz Ihrer Schaltung. Das bedeutet weniger Wärmeentwicklung, höhere Zuverlässigkeit und mehr Energie für das, was wirklich zählt: Ihre Innovationen.
Stellen Sie sich vor, Sie entwickeln ein leistungsstarkes Netzteil, einen effizienten Motorcontroller oder eine innovative Solaranlage. Der IXTP75N10P bietet Ihnen die Grundlage für eine stabile und zuverlässige Performance. Seine Fähigkeit, hohe Ströme bei geringen Verlusten zu schalten, ermöglicht es Ihnen, das volle Potenzial Ihrer Designs auszuschöpfen und Ergebnisse zu erzielen, die Ihre Erwartungen übertreffen.
Technische Details, die überzeugen:
| Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Typ | N-Kanal MOSFET |
| Sperrspannung (Vds) | 100V |
| Dauerstrom (Id) | 75A |
| Verlustleistung (Pd) | 360W |
| Durchlasswiderstand (Rds(on)) | 0,025 Ohm |
| Gehäuse | TO-220AB |
Warum der IXTP75N10P die richtige Wahl ist
In einer Welt, in der Effizienz und Zuverlässigkeit entscheidend sind, setzt der IXTP75N10P neue Maßstäbe. Seine robuste Bauweise und seine herausragenden elektrischen Eigenschaften machen ihn zur idealen Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen:
- Schaltnetzteile: Erzielen Sie höchste Effizienz und Stabilität in Ihren Netzteilen.
- Motorsteuerungen: Kontrollieren Sie Motoren präzise und effizient mit hoher Strombelastbarkeit.
- DC-DC Wandler: Wandeln Sie Spannungen effizient und zuverlässig um.
- Solaranwendungen: Nutzen Sie die Sonnenenergie optimal durch effizientes Schalten und Wandeln.
- Industrielle Anwendungen: Bewältigen Sie anspruchsvolle Aufgaben in industriellen Umgebungen mit einem robusten und zuverlässigen MOSFET.
Der IXTP75N10P ist mehr als nur ein Bauteil – er ist eine Investition in die Zukunft Ihrer Projekte. Seine Langlebigkeit und Zuverlässigkeit sorgen dafür, dass Ihre Schaltungen auch unter extremen Bedingungen einwandfrei funktionieren. Vertrauen Sie auf die Qualität und Leistung dieses MOSFETs und realisieren Sie Ihre innovativsten Ideen.
Das TO-220AB Gehäuse – Ein Garant für einfache Integration
Das TO-220AB Gehäuse ist ein Industriestandard, der für seine einfache Handhabung und gute Wärmeableitung bekannt ist. Der IXTP75N10P im TO-220AB Gehäuse lässt sich problemlos in bestehende Schaltungen integrieren und ermöglicht eine effiziente Kühlung, um die maximale Leistung des MOSFETs zu gewährleisten. Dies vereinfacht den Designprozess und spart wertvolle Zeit und Ressourcen.
Die einfache Montage des TO-220AB Gehäuses ermöglicht eine schnelle und unkomplizierte Integration in Ihre Projekte. Dank der weit verbreiteten Verfügbarkeit von Kühlkörpern und Zubehör können Sie die Wärmeableitung optimal an Ihre spezifischen Anforderungen anpassen und die Lebensdauer des IXTP75N10P maximieren.
Entfesseln Sie Ihr Potenzial mit dem IXTP75N10P
Der IXTP75N10P ist nicht nur ein Produkt, sondern ein Werkzeug, mit dem Sie Ihre Visionen verwirklichen können. Er bietet Ihnen die Leistung, Zuverlässigkeit und Flexibilität, die Sie benötigen, um Ihre Projekte erfolgreich umzusetzen. Lassen Sie sich von den Möglichkeiten inspirieren und entdecken Sie, wie der IXTP75N10P Ihre Schaltungen auf ein neues Level hebt.
Bestellen Sie noch heute Ihren IXTP75N10P und erleben Sie die Leistungsfähigkeit dieses außergewöhnlichen MOSFETs. Wir sind überzeugt, dass er Sie begeistern wird und Ihnen dabei helfen wird, Ihre Ziele zu erreichen. Machen Sie sich bereit, die Zukunft der Leistungselektronik zu gestalten!
Häufig gestellte Fragen (FAQ)
1. Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?
Ein N-Kanal MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ist ein spannungsgesteuerter Schalter. Der Stromfluss zwischen Source und Drain wird durch die Spannung am Gate gesteuert. Bei einem N-Kanal MOSFET fließt Strom, wenn eine positive Spannung am Gate anliegt.
2. Kann ich den IXTP75N10P parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?
Ja, es ist möglich, MOSFETs parallel zu schalten, um den Gesamtstrom zu erhöhen. Allerdings ist es wichtig, Maßnahmen zu ergreifen, um eine gleichmäßige Stromverteilung zu gewährleisten. Dies kann durch den Einsatz von kleinen Widerständen in Reihe mit jedem MOSFET erreicht werden.
3. Welche Kühlung wird für den IXTP75N10P empfohlen?
Die erforderliche Kühlung hängt von der Verlustleistung und der Umgebungstemperatur ab. Für Anwendungen, bei denen der MOSFET nahe an seiner maximalen Verlustleistung betrieben wird, ist die Verwendung eines Kühlkörpers unerlässlich. Die Größe des Kühlkörpers sollte so gewählt werden, dass die maximale Junction-Temperatur des MOSFETs nicht überschritten wird.
4. Wie berechne ich die Verlustleistung des IXTP75N10P?
Die Verlustleistung kann mit der Formel P = I² * Rds(on) berechnet werden, wobei I der Strom durch den MOSFET und Rds(on) der Durchlasswiderstand ist. Es ist wichtig zu beachten, dass die Verlustleistung auch von der Schaltfrequenz und der Duty Cycle abhängen kann.
5. Was ist der Unterschied zwischen Vds und Vgs?
Vds steht für Drain-Source-Spannung und ist die Spannung zwischen dem Drain- und Source-Anschluss des MOSFETs. Vgs steht für Gate-Source-Spannung und ist die Spannung zwischen dem Gate- und Source-Anschluss. Vgs steuert den Stromfluss zwischen Drain und Source.
6. Wo finde ich das Datenblatt für den IXTP75N10P?
Das Datenblatt für den IXTP75N10P finden Sie auf der Website des Herstellers (IXYS/Littelfuse) oder über Suchmaschinen wie Google. Das Datenblatt enthält detaillierte Informationen über die elektrischen Eigenschaften, thermischen Eigenschaften und Abmessungen des MOSFETs.
7. Ist der IXTP75N10P ESD-empfindlich?
Ja, MOSFETs sind generell ESD-empfindlich. Es ist wichtig, beim Umgang mit dem IXTP75N10P ESD-Schutzmaßnahmen zu treffen, wie z.B. das Tragen eines Erdungsarmbandes und das Arbeiten auf einer ESD-geschützten Oberfläche.
