IXFH 26N50P – Der N-Kanal MOSFET für anspruchsvolle Anwendungen
Sie suchen nach einem zuverlässigen und leistungsstarken MOSFET für Ihre nächste Elektronikentwicklung? Der IXFH 26N50P ist ein N-Kanal MOSFET, der mit seinen beeindruckenden Spezifikationen und seiner robusten Bauweise überzeugt. Er ist die ideale Wahl für Anwendungen, die hohe Spannungen und Ströme erfordern. Tauchen Sie ein in die Welt der Leistungselektronik und entdecken Sie, was dieser MOSFET zu bieten hat!
Technische Details, die überzeugen
Der IXFH 26N50P zeichnet sich durch folgende Merkmale aus:
- N-Kanal MOSFET: Ermöglicht effizientes Schalten und Verstärken von Signalen.
- Sperrspannung (Vds): 500 V – Bietet eine hohe Sicherheitsmarge für anspruchsvolle Anwendungen.
- Dauerstrom (Id): 26 A – Liefert ausreichend Leistung für eine Vielzahl von Anwendungen.
- Rds(on) (typisch): 0,23 Ohm – Minimiert Leistungsverluste und sorgt für einen effizienten Betrieb.
- Gehäuse: TO-247 – Bietet eine hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage.
Diese Kombination aus hoher Spannungsfestigkeit, hohem Strom und niedrigem Einschaltwiderstand macht den IXFH 26N50P zu einer exzellenten Wahl für leistungselektronische Schaltungen.
Anwendungsbereiche – Wo der IXFH 26N50P glänzt
Der IXFH 26N50P ist ein vielseitiger MOSFET, der in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden kann:
- Schaltnetzteile: Effiziente Energieumwandlung für Computer, Server und andere elektronische Geräte.
- Motorsteuerungen: Präzise Steuerung von Elektromotoren in Robotik, Automatisierung und Elektrofahrzeugen.
- Wechselrichter: Umwandlung von Gleichstrom in Wechselstrom für Solaranlagen, USV-Systeme und netzunabhängige Stromversorgung.
- Leistungsverstärker: Verstärkung von Signalen in Audio- und HF-Anwendungen.
- Schweißgeräte: Steuerung des Schweißstroms für präzise und zuverlässige Schweißarbeiten.
Die hohe Belastbarkeit und die guten Schalteigenschaften des IXFH 26N50P ermöglichen den Einsatz in anspruchsvollen Anwendungen, die Zuverlässigkeit und Effizienz erfordern.
Technische Daten im Überblick
Um Ihnen einen noch besseren Überblick zu verschaffen, hier eine Tabelle mit den wichtigsten technischen Daten:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Drain-Source-Spannung (Vds) | 500 | V |
| Gate-Source-Spannung (Vgs) | ±30 | V |
| Dauerstrom (Id) bei 25°C | 26 | A |
| Pulsstrom (Idm) | 104 | A |
| Verlustleistung (Pd) bei 25°C | 300 | W |
| Einschaltwiderstand (Rds(on)) typ. | 0,23 | Ohm |
| Gehäuse | TO-247 | – |
Diese Tabelle verdeutlicht die Leistungsfähigkeit des IXFH 26N50P und seine Eignung für eine breite Palette von Anwendungen.
Warum der IXFH 26N50P die richtige Wahl ist
Die Wahl des richtigen MOSFETs ist entscheidend für die Performance und Zuverlässigkeit Ihrer elektronischen Schaltungen. Der IXFH 26N50P bietet Ihnen:
- Hohe Zuverlässigkeit: Robuste Bauweise und hochwertige Materialien garantieren einen zuverlässigen Betrieb auch unter anspruchsvollen Bedingungen.
- Hohe Effizienz: Der niedrige Einschaltwiderstand (Rds(on)) minimiert Leistungsverluste und sorgt für einen effizienten Betrieb.
- Einfache Handhabung: Das TO-247 Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage und eine gute Wärmeableitung.
- Vielseitigkeit: Der IXFH 26N50P ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, von Schaltnetzteilen bis hin zu Motorsteuerungen.
Mit dem IXFH 26N50P investieren Sie in einen MOSFET, der Ihnen langfristig Freude bereiten wird. Er ist die ideale Wahl für alle, die Wert auf Leistung, Zuverlässigkeit und Effizienz legen.
Erwecken Sie Ihre Projekte zum Leben
Stellen Sie sich vor, wie Sie mit dem IXFH 26N50P Ihre eigenen leistungsstarken Projekte realisieren können. Ob Sie nun einen effizienten Wechselrichter für Ihre Solaranlage bauen oder eine präzise Motorsteuerung für Ihren Roboter entwickeln möchten – der IXFH 26N50P ist Ihr zuverlässiger Partner.
Lassen Sie Ihrer Kreativität freien Lauf und entdecken Sie die unendlichen Möglichkeiten, die Ihnen dieser MOSFET bietet. Bestellen Sie noch heute den IXFH 26N50P und starten Sie Ihr nächstes Elektronikprojekt!
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IXFH 26N50P
Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum IXFH 26N50P:
- Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?
Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, bei dem der Stromfluss zwischen Source und Drain durch ein elektrisches Feld gesteuert wird. „N-Kanal“ bezieht sich auf die Art des Halbleitermaterials, das den Kanal bildet.
- Was bedeutet Rds(on) und warum ist ein niedriger Wert wichtig?
Rds(on) ist der Drain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand. Ein niedriger Rds(on)-Wert bedeutet weniger Leistungsverluste und somit eine höhere Effizienz der Schaltung. Weniger Verlustleistung bedeutet auch weniger Wärmeentwicklung.
- Kann ich den IXFH 26N50P auch bei höheren Temperaturen betreiben?
Der IXFH 26N50P ist für einen bestimmten Temperaturbereich spezifiziert. Die genauen Werte finden Sie im Datenblatt des Herstellers. Bei höheren Temperaturen muss die Verlustleistung reduziert werden, um eine Beschädigung des MOSFETs zu vermeiden.
- Wie montiere ich den IXFH 26N50P richtig?
Der IXFH 26N50P wird im TO-247 Gehäuse geliefert, welches eine einfache Montage auf Kühlkörpern ermöglicht. Verwenden Sie Wärmeleitpaste zwischen dem MOSFET und dem Kühlkörper, um eine optimale Wärmeableitung zu gewährleisten.
- Wo finde ich das Datenblatt des IXFH 26N50P?
Das Datenblatt des IXFH 26N50P finden Sie in der Regel auf der Webseite des Herstellers oder auf einschlägigen Elektronik-Webseiten. Das Datenblatt enthält detaillierte Informationen zu den elektrischen Eigenschaften, den maximalen Betriebswerten und den empfohlenen Anwendungsbedingungen.
- Welche Alternativen gibt es zum IXFH 26N50P?
Es gibt verschiedene Alternativen zum IXFH 26N50P, abhängig von den spezifischen Anforderungen Ihrer Anwendung. Einige mögliche Alternativen sind MOSFETs mit ähnlichen Spannungs- und Stromwerten, aber möglicherweise unterschiedlichen Rds(on)-Werten oder Gehäusetypen.
- Ist der IXFH 26N50P ESD-empfindlich?
Ja, MOSFETs sind generell ESD-empfindlich. Achten Sie darauf, beim Umgang mit dem IXFH 26N50P ESD-Schutzmaßnahmen zu treffen, wie z.B. das Tragen eines Erdungsarmbands.
