Zum Inhalt springen
Lan.deLan.de
  • Alle Kategorien
  • Alle Kategorien
    • Magazin
    • 3D Druck / CNC
    • Bauelemente (aktiv)
    • Bauelemente (mechanisch)
    • Bauelemente (passiv)
    • Büro & Kommunikation
    • Büro- & Taschenrechner
    • Bürostühle
    • Chipkartentechnik
    • Diverses
    • Entwicklerboards
    • Foto & Video
    • Gestalten & Dekorieren
    • Haus- & Sicherheitstechnik
    • Kleben & Verpacken
    • Lichttechnik
    • Messtechnik & Werkstattbedarf
    • Pantry / Facility
    • PC-Arbeitsplatz
    • PC-Technik
    • Präsentation
    • Speichermedien & Zubehör
    • Stromversorgung
    • TV-Empfangstechnik
    • Unterhaltungselektronik
  • Magazin
  • Entwicklerboards
  • Stromversorgung
  • Messtechnik
  • Haus- und Sicherheitstechnik
  • Netzwerktechnik
  • PC-Technik
Startseite » Bauelemente, aktiv » Transistoren » IGBT-Transistoren » IGBT-Chips
IXDN 75N120 - IGBT

IXDN 75N120 – IGBT, N-Kanal, 1200 V, 150 A, 630 W, SOT-227B

35,60 €

  • Lieferzeit: 1-2 Werktage
  • ab Lager

Zum Partnershop

Artikelnummer: 9612581f1b6c Kategorie: IGBT-Chips
  • Automatisierte Fertigung (3D Druck/CNC)
  • Bauelemente, aktiv
    • Dioden, Gleichrichter, Triacs etc.
    • ICs & Controller
    • Optoelektronik
    • Programmer / Entwicklungstools
    • Röhren
    • Signalakustik
    • Transistoren
      • Bipolar-Transistoren (BJTs)
      • IGBT-Transistoren
        • IGBT-Chips
        • IGBT-Module
      • Uni-/Bipolartransistoren (FETs)
  • Bauelemente, mechanisch
  • Bauelemente, passiv
  • Büro & Kommunikation
  • Büro-/Taschenrechner
  • Bürostühle
  • Chipkartentechnik
  • Diverses
  • Entwicklerboards
  • Foto & Video
  • Gestalten & Dekorieren
  • Haus- und Sicherheitstechnik
  • Kleben & Verpacken
  • Lichttechnik
  • Messtechnik und Werkstattbedarf
  • Pantry / Facility
  • PC-Arbeitsplatz
  • PC-Technik
  • Präsentation
  • Speichermedien & Zubehör
  • Stromversorgung
  • TV-Empfangstechnik
  • Unterhaltungselektronik
Partner
Beschreibung

## IXDN 75N120 – Der Schlüssel zu höchster Leistung in Ihren Anwendungen

In der Welt der Leistungselektronik, wo Effizienz und Zuverlässigkeit an erster Stelle stehen, präsentiert sich der IXDN 75N120 als eine unverzichtbare Komponente für Ingenieure und Technikbegeisterte. Dieser robuste IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) vereint modernste Technologie mit herausragender Performance, um Ihre anspruchsvollsten Projekte zu beflügeln. Erleben Sie, wie der IXDN 75N120 Ihre Designs transformiert und Ihnen neue Möglichkeiten eröffnet.

Inhalt

Toggle
    • Unvergleichliche Leistung und Robustheit
    • Technische Daten im Überblick
    • Das SOT-227B Gehäuse – Kompakte Bauweise für maximale Effizienz
    • Anwendungsbereiche – Wo der IXDN 75N120 glänzt
    • Warum der IXDN 75N120 die richtige Wahl ist
  • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IXDN 75N120
    • 1. Was ist ein IGBT und wie funktioniert er?
    • 2. Für welche Anwendungen ist der IXDN 75N120 besonders geeignet?
    • 3. Welche Vorteile bietet das SOT-227B Gehäuse?
    • 4. Wie schütze ich den IXDN 75N120 vor Überspannungen?
    • 5. Wo finde ich detaillierte technische Datenblätter und Applikationshinweise für den IXDN 75N120?
    • 6. Kann ich den IXDN 75N120 auch für andere Spannungen als 1200V verwenden?
    • 7. Was muss ich bei der Kühlung des IXDN 75N120 beachten?
    • 8. Gibt es alternative IGBTs zum IXDN 75N120?

Unvergleichliche Leistung und Robustheit

Der IXDN 75N120 ist ein N-Kanal IGBT, der speziell für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen entwickelt wurde. Mit einer beeindruckenden Sperrspannung von 1200 V und einem kontinuierlichen Kollektorstrom von 150 A bietet dieser Transistor die nötige Leistung, um auch unter extremen Bedingungen zuverlässig zu arbeiten. Seine Verlustleistung von 630 W ermöglicht es Ihnen, energieeffiziente und leistungsstarke Systeme zu realisieren. Der IXDN 75N120 ist nicht nur ein Bauteil, sondern ein Versprechen für höchste Zuverlässigkeit und Performance.

Technische Daten im Überblick

Hier finden Sie die wichtigsten technischen Daten des IXDN 75N120 übersichtlich zusammengefasst:

Parameter Wert
Typ IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Kanal N-Kanal
Sperrspannung (VCES) 1200 V
Kollektorstrom (IC) 150 A
Verlustleistung (Ptot) 630 W
Gehäuse SOT-227B

Das SOT-227B Gehäuse – Kompakte Bauweise für maximale Effizienz

Der IXDN 75N120 wird im robusten und kompakten SOT-227B Gehäuse geliefert. Dieses Gehäuse zeichnet sich durch seine hervorragende Wärmeableitung aus, was für die Langlebigkeit und Zuverlässigkeit des IGBTs von entscheidender Bedeutung ist. Die einfache Montage und die geringe Baugröße ermöglichen eine platzsparende Integration in Ihre Schaltungen und Systeme. Das SOT-227B Gehäuse ist ein Synonym für Effizienz und Zuverlässigkeit.

Anwendungsbereiche – Wo der IXDN 75N120 glänzt

Der IXDN 75N120 ist ein wahrer Alleskönner und eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen in den Bereichen Leistungselektronik, erneuerbare Energien und industrielle Automatisierung. Hier sind einige Beispiele:

  • Frequenzumrichter: Steuern Sie die Drehzahl von Elektromotoren präzise und effizient.
  • Schweißgeräte: Erzielen Sie perfekte Schweißergebnisse dank der hohen Leistung und Zuverlässigkeit des IXDN 75N120.
  • Induktionserwärmung: Erwärmen Sie Metalle schnell und effizient für industrielle Prozesse.
  • USV-Systeme (Unterbrechungsfreie Stromversorgung): Schützen Sie Ihre empfindlichen Geräte vor Stromausfällen.
  • Erneuerbare Energien: Wandeln Sie Solar- und Windenergie effizient in nutzbaren Strom um.
  • Elektrofahrzeuge: Steuern Sie die Leistung von Elektromotoren in Elektroautos und Hybridfahrzeugen.

Die Vielseitigkeit des IXDN 75N120 macht ihn zur idealen Wahl für eine breite Palette von Anwendungen, bei denen hohe Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit gefordert sind.

Warum der IXDN 75N120 die richtige Wahl ist

Der IXDN 75N120 ist mehr als nur ein IGBT. Er ist ein Versprechen für höchste Qualität, Zuverlässigkeit und Performance. Mit diesem Transistor erhalten Sie:

  • Hervorragende Leistung: Bewältigen Sie anspruchsvolle Aufgaben mit Leichtigkeit.
  • Hohe Zuverlässigkeit: Verlassen Sie sich auf eine lange Lebensdauer und geringe Ausfallraten.
  • Effiziente Wärmeableitung: Profitieren Sie von der optimalen Kühlung durch das SOT-227B Gehäuse.
  • Vielseitigkeit: Nutzen Sie den IXDN 75N120 in einer Vielzahl von Anwendungen.
  • Einfache Integration: Sparen Sie Zeit und Kosten bei der Implementierung in Ihre Schaltungen.

Investieren Sie in den IXDN 75N120 und erleben Sie, wie Ihre Projekte neue Höhen erreichen. Lassen Sie sich von der Leistung und Zuverlässigkeit dieses außergewöhnlichen IGBTs begeistern!

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IXDN 75N120

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum IXDN 75N120. Wenn Sie weitere Fragen haben, zögern Sie nicht, uns zu kontaktieren.

1. Was ist ein IGBT und wie funktioniert er?

Ein IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ist ein Halbleiterbauelement, das die Eigenschaften eines Bipolartransistors (BJT) und eines Feldeffekttransistors (MOSFET) vereint. Er wird wie ein MOSFET über eine Gate-Spannung gesteuert, besitzt aber wie ein BJT einen niedrigen Durchlasswiderstand, was zu geringeren Verlusten führt. Dies macht ihn ideal für Hochleistungsanwendungen.

2. Für welche Anwendungen ist der IXDN 75N120 besonders geeignet?

Der IXDN 75N120 eignet sich hervorragend für Frequenzumrichter, Schweißgeräte, Induktionserwärmung, USV-Systeme, erneuerbare Energien (Solar- und Windenergie) und Elektrofahrzeuge. Überall dort, wo hohe Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit gefordert sind, ist der IXDN 75N120 die richtige Wahl.

3. Welche Vorteile bietet das SOT-227B Gehäuse?

Das SOT-227B Gehäuse bietet eine hervorragende Wärmeableitung, eine kompakte Bauweise und eine einfache Montage. Dies trägt zur Langlebigkeit und Zuverlässigkeit des IGBTs bei und ermöglicht eine platzsparende Integration in Ihre Schaltungen.

4. Wie schütze ich den IXDN 75N120 vor Überspannungen?

Um den IXDN 75N120 vor Überspannungen zu schützen, empfiehlt es sich, geeignete Schutzschaltungen wie Snubber-Netzwerke oder Varistoren einzusetzen. Diese Schaltungen begrenzen die auftretenden Spannungsspitzen und verhindern eine Beschädigung des IGBTs.

5. Wo finde ich detaillierte technische Datenblätter und Applikationshinweise für den IXDN 75N120?

Detaillierte technische Datenblätter und Applikationshinweise finden Sie in der Regel auf der Webseite des Herstellers oder bei autorisierten Distributoren. Dort finden Sie alle relevanten Informationen zur optimalen Verwendung des IXDN 75N120.

6. Kann ich den IXDN 75N120 auch für andere Spannungen als 1200V verwenden?

Der IXDN 75N120 ist für eine maximale Sperrspannung von 1200V ausgelegt. Eine Verwendung bei höheren Spannungen kann zur Beschädigung des Bauteils führen. Eine Verwendung bei niedrigeren Spannungen ist möglich, jedoch sollte beachtet werden, dass die Performance des IGBTs möglicherweise nicht optimal ausgenutzt wird.

7. Was muss ich bei der Kühlung des IXDN 75N120 beachten?

Eine effektive Kühlung ist entscheidend für die Lebensdauer und Zuverlässigkeit des IXDN 75N120. Stellen Sie sicher, dass der IGBT ausreichend mit einem Kühlkörper verbunden ist und dass eine gute Wärmeableitung gewährleistet ist. Die Größe des Kühlkörpers sollte an die Verlustleistung und die Umgebungsbedingungen angepasst sein.

8. Gibt es alternative IGBTs zum IXDN 75N120?

Ja, es gibt alternative IGBTs mit ähnlichen Spezifikationen. Die Wahl des geeigneten IGBTs hängt jedoch von den spezifischen Anforderungen Ihrer Anwendung ab. Berücksichtigen Sie bei der Auswahl Kriterien wie Sperrspannung, Kollektorstrom, Verlustleistung, Gehäuse und Preis.

Bewertungen: 4.6 / 5. 782

Zusätzliche Informationen
Marke

IXYS

Ähnliche Produkte

IKA15N65F5 - IGBT-Transistor

IKA15N65F5 – IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 14A, 33,3W, TO-220-Fullpak

1,65 €
DG15X06T1 - IGBT-Transistor

DG15X06T1 – IGBT-Transistor, N-Kanal, 600 V, 27 A, 235 W, TO-220

1,70 €
DG120X07T2 - IGBT-Transistor

DG120X07T2 – IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 240 A, 1250 W, TO-247 Plus

11,30 €
DG20X06T1 - IGBT-Transistor

DG20X06T1 – IGBT-Transistor, N-Kanal, 600 V, 42 A, 313 W, TO-220

1,70 €
DG50X12T2 - IGBT-Transistor

DG50X12T2 – IGBT-Transistor, N-Kanal, 1200 V, 100 A, 1049 W, TO-247 Plus

7,70 €
IKP10N60T - IGBT-Transistor

IKP10N60T – IGBT-Transistor, N-CH, 600V, 24A, 110W, TO-220

2,20 €
DG25X12T2 - IGBT-Transistor

DG25X12T2 – IGBT-Transistor, N-Kanal, 1200 V, 50 A, 573 W, TO-247

3,85 €
IKZ75N65EH5 - IGBT-Transistor

IKZ75N65EH5 – IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 90A, 395W, TO-247-4

6,35 €
  • Impressum
  • Datenschutz
Copyright 2025 © lan.de
  • lan.de Logo
  • Magazin
  • 3D Druck / CNC
  • Bauelemente (aktiv)
  • Bauelemente (mechanisch)
  • Bauelemente (passiv)
  • Büro & Kommunikation
  • Büro- & Taschenrechner
  • Bürostühle
  • Chipkartentechnik
  • Diverses
  • Entwicklerboards
  • Foto & Video
  • Gestalten & Dekorieren
  • Haus- & Sicherheitstechnik
  • Kleben & Verpacken
  • Lichttechnik
  • Messtechnik & Werkstattbedarf
  • Pantry / Facility
  • PC-Arbeitsplatz
  • PC-Technik
  • Präsentation
  • Speichermedien & Zubehör
  • Stromversorgung
  • TV-Empfangstechnik
  • Unterhaltungselektronik
Anzeige*
Close

zum Angebot
35,60 €