IXBH9N160G – HV-BiMOSFET N-Ch, 1600 V, 9 A, 100 W, TO-247AD

Hochspannungs-BiMOSFET Monolithisch bipolar MOS-Transistor, N-Kanal, AnreicherungsmodusMerkmale:Hochspannungs-PaketErsetzt Hochspannungs-Darlingtons und in Reihe geschaltete MOSFETsNiedrigerer effektiver RDSONMOS-Tor einschaltenEinfachheit des AntriebsMOSFET-kompatibel für 10V Einschaltspannung am GateMonolithische KonstruktionHohe SperrspannungsfähigkeitSehr schnelle AbschaltmerkmaleInternationales Standard-GehäuseFähigkeit zur Rückwärtsleitung (Reverse Conducting)Vorteile:Anforderung für Low Gate-AntriebHohe LeistungsdichteApplikationen:Flyback-KonverterDC-ChopperUnterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)Stromversorgungen für Schaltnetzteile und ResonanzmodusCRT-AblenkungLampen-Vorschaltgeräte