IXBH16N170A – Der Hochvolt-BiMOSFET für Ihre anspruchsvollen Projekte
Tauchen Sie ein in die Welt der Hochleistungselektronik mit dem IXBH16N170A, einem N-Kanal HV-BiMOSFET, der neue Maßstäbe in Sachen Effizienz und Zuverlässigkeit setzt. Dieser Transistor ist nicht einfach nur ein Bauteil, sondern ein Schlüssel zur Verwirklichung innovativer Ideen und zur Optimierung bestehender Anwendungen. Stellen Sie sich vor, Sie könnten Ihre Projekte mit einer Komponente ausstatten, die selbst unter extremen Bedingungen eine herausragende Performance bietet. Der IXBH16N170A macht es möglich!
Ob in der Leistungselektronik, bei der Entwicklung von Schaltnetzteilen oder in anspruchsvollen Motorsteuerungen – dieser MOSFET ist Ihr zuverlässiger Partner. Erleben Sie, wie sich die Grenzen des Machbaren verschieben, wenn Sie auf die Leistungsfähigkeit und Robustheit des IXBH16N170A setzen.
Technische Daten im Überblick
Der IXBH16N170A überzeugt durch seine beeindruckenden technischen Daten, die ihn zu einer idealen Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen machen:
- Sperrspannung (VDS): 1700 V – Für Anwendungen, die höchste Spannungsfestigkeit erfordern.
- Dauerstrom (ID): 16 A – Ermöglicht die Steuerung signifikanter Lasten.
- Verlustleistung (PD): 150 W – Bietet ausreichend Spielraum für anspruchsvolle Aufgaben.
- Gehäuse: TO-247AD – Garantiert eine effiziente Wärmeableitung und einfache Montage.
- Technologie: HV-BiMOSFET – Vereint die Vorteile von Bipolar- und MOSFET-Transistoren für optimale Leistung.
- N-Kanal: Ermöglicht eine einfache Ansteuerung und hohe Schaltgeschwindigkeiten.
Diese Spezifikationen sind nicht nur Zahlen, sondern das Versprechen einer außergewöhnlichen Performance. Sie geben Ihnen die Sicherheit, dass der IXBH16N170A auch unter anspruchsvollen Bedingungen zuverlässig arbeitet.
Detaillierte Spezifikationen im Überblick:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| VDS (Drain-Source-Spannung) | 1700 | V |
| ID (Drain-Strom) | 16 | A |
| IDM (Puls-Drain-Strom) | 48 | A |
| VGS (Gate-Source-Spannung) | ±30 | V |
| PD (Verlustleistung) | 150 | W |
| RDS(on) (Drain-Source-Widerstand) | 0.65 | Ohm |
| Qg (Gate Ladung) | 70 | nC |
| trr (Reverse Recovery Time) | 300 | ns |
| Gehäuse | TO-247AD | – |
Diese Tabelle bietet Ihnen einen noch tieferen Einblick in die technischen Fähigkeiten des IXBH16N170A. Nutzen Sie diese Informationen, um fundierte Entscheidungen zu treffen und das Potenzial dieses Bauteils voll auszuschöpfen.
Anwendungsbereiche, die begeistern
Der IXBH16N170A ist ein wahrer Alleskönner, wenn es um anspruchsvolle Anwendungen geht. Hier sind einige Bereiche, in denen dieser MOSFET seine Stärken voll ausspielen kann:
- Schaltnetzteile: Erreichen Sie höchste Effizienz und Zuverlässigkeit in Ihren Stromversorgungen.
- Motorsteuerungen: Kontrollieren Sie Motoren präzise und zuverlässig, auch unter schwierigen Bedingungen.
- Induktionserwärmung: Nutzen Sie die hohe Schaltgeschwindigkeit und Spannungsfestigkeit für effiziente Erwärmungsprozesse.
- Lasersysteme: Profitieren Sie von der präzisen Steuerung und der hohen Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Laseranwendungen.
- Hochspannungsverstärker: Erzeugen Sie starke Signale mit minimalen Verzerrungen.
- Erneuerbare Energien: Optimieren Sie Wechselrichter und Laderegler für Solaranlagen und Windkraftanlagen.
Diese Liste ist nur ein Auszug der vielfältigen Einsatzmöglichkeiten des IXBH16N170A. Lassen Sie Ihrer Kreativität freien Lauf und entdecken Sie neue Anwendungen, in denen dieser MOSFET Ihr Projekt zum Erfolg führt.
Warum der IXBH16N170A die richtige Wahl ist
Die Entscheidung für den richtigen MOSFET ist entscheidend für den Erfolg Ihres Projekts. Hier sind einige Gründe, warum der IXBH16N170A eine ausgezeichnete Wahl ist:
- Hohe Spannungsfestigkeit: Mit 1700 V Sperrspannung sind Sie auf der sicheren Seite, auch bei anspruchsvollen Anwendungen.
- Robuste Bauweise: Das TO-247AD Gehäuse sorgt für eine effiziente Wärmeableitung und lange Lebensdauer.
- Hohe Schaltgeschwindigkeit: Ermöglicht präzise und effiziente Steuerungsprozesse.
- Geringer Durchlasswiderstand: Minimiert Verluste und erhöht die Effizienz Ihrer Schaltungen.
- Zuverlässigkeit: Der IXBH16N170A wurde entwickelt, um auch unter extremen Bedingungen zuverlässig zu arbeiten.
Der IXBH16N170A ist mehr als nur ein Bauteil – er ist eine Investition in die Qualität und Zuverlässigkeit Ihrer Projekte. Erleben Sie den Unterschied, den ein hochwertiger MOSFET ausmachen kann!
Der IXBH16N170A – Mehr als nur ein Transistor
Wir wissen, dass Sie bei Ihren Projekten keine Kompromisse eingehen wollen. Deshalb bieten wir Ihnen mit dem IXBH16N170A einen MOSFET, der höchsten Ansprüchen genügt. Er ist das Ergebnis jahrelanger Erfahrung und kontinuierlicher Weiterentwicklung. Er ist ein Bauteil, auf das Sie sich verlassen können, Tag für Tag.
Bestellen Sie noch heute Ihren IXBH16N170A und erleben Sie die Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit dieses außergewöhnlichen MOSFETs. Bringen Sie Ihre Projekte auf das nächste Level und lassen Sie sich von den Möglichkeiten inspirieren!
FAQ – Häufig gestellte Fragen
Wir möchten sicherstellen, dass Sie alle Informationen haben, die Sie für eine fundierte Entscheidung benötigen. Hier sind einige häufig gestellte Fragen zum IXBH16N170A:
1. Für welche Anwendungen ist der IXBH16N170A am besten geeignet?
Der IXBH16N170A eignet sich hervorragend für Schaltnetzteile, Motorsteuerungen, Induktionserwärmung, Lasersysteme, Hochspannungsverstärker und Anwendungen im Bereich erneuerbare Energien.
2. Welche Vorteile bietet das TO-247AD Gehäuse?
Das TO-247AD Gehäuse bietet eine effiziente Wärmeableitung, was die Lebensdauer des MOSFETs verlängert und seine Zuverlässigkeit erhöht. Außerdem ermöglicht es eine einfache Montage.
3. Was bedeutet die Angabe „1700 V Sperrspannung“?
Die Sperrspannung von 1700 V gibt an, bis zu welcher Spannung der MOSFET sperren kann, ohne Schaden zu nehmen. Dies ist besonders wichtig in Hochspannungsanwendungen.
4. Was ist der Unterschied zwischen einem BiMOSFET und einem herkömmlichen MOSFET?
Ein BiMOSFET kombiniert die Vorteile von Bipolar- und MOSFET-Transistoren. Er bietet eine höhere Stromtragfähigkeit und eine geringere Durchlassspannung im Vergleich zu herkömmlichen MOSFETs.
5. Kann ich den IXBH16N170A auch für PWM-Anwendungen verwenden?
Ja, der IXBH16N170A eignet sich sehr gut für PWM-Anwendungen aufgrund seiner hohen Schaltgeschwindigkeit und geringen Schaltverluste.
6. Wo finde ich detailliertere technische Informationen zum IXBH16N170A?
Detailliertere technische Informationen finden Sie im Produktdatenblatt, das Sie auf unserer Website herunterladen können.
7. Was muss ich bei der Ansteuerung des IXBH16N170A beachten?
Achten Sie auf eine korrekte Ansteuerung des Gates mit der empfohlenen Gate-Source-Spannung. Vermeiden Sie Überspannungen und sorgen Sie für eine ausreichende Wärmeableitung.
