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ISZ019N03L5S - MOSFET

ISZ019N03L5S – MOSFET, N-Kanal, 30 V, 40A, RDS(on) 0,0016 Ohm, QFN-8

2,60 €

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Artikelnummer: c300d3cad54a Kategorie: MOSFETs
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Beschreibung

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  • ISZ019N03L5S – Der N-Kanal MOSFET für höchste Ansprüche
    • Technische Daten im Überblick
    • Anwendungsbereiche des ISZ019N03L5S
    • Vorteile des ISZ019N03L5S
    • Der Unterschied liegt im Detail: Warum der ISZ019N03L5S heraussticht
    • Technische Tabelle
    • Fazit: Der ISZ019N03L5S – Mehr als nur ein MOSFET
    • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum ISZ019N03L5S

ISZ019N03L5S – Der N-Kanal MOSFET für höchste Ansprüche

Entdecken Sie den ISZ019N03L5S, einen hochmodernen N-Kanal MOSFET, der speziell für anspruchsvolle Anwendungen in der Leistungselektronik entwickelt wurde. Dieser MOSFET vereint Effizienz, Leistung und Zuverlässigkeit in einem kompakten QFN-8 Gehäuse und setzt neue Maßstäbe in Bezug auf Schaltgeschwindigkeit und geringe Verluste. Erleben Sie, wie der ISZ019N03L5S Ihre Projekte auf ein neues Level hebt und Ihnen ermöglicht, innovative Lösungen zu realisieren.

In der Welt der Elektronik ist Leistung entscheidend. Der ISZ019N03L5S bietet Ihnen genau das: Eine beeindruckende Kombination aus hoher Stromtragfähigkeit, extrem niedrigem Einschaltwiderstand und schnellem Schaltverhalten. Ob in DC-DC-Wandlern, Motorsteuerungen oder Lastschaltern – dieser MOSFET ist die ideale Wahl, wenn es darum geht, Energie effizient zu verwalten und gleichzeitig die Wärmeentwicklung zu minimieren. Stellen Sie sich vor, wie Sie mit diesem Bauteil die Performance Ihrer Schaltungen optimieren und die Lebensdauer Ihrer Produkte verlängern können.

Technische Daten im Überblick

Hier sind die wichtigsten technischen Daten des ISZ019N03L5S, die seine Leistungsfähigkeit und Vielseitigkeit unterstreichen:

  • Typ: N-Kanal MOSFET
  • Spannung (Vds): 30 V
  • Strom (Id): 40 A
  • Einschaltwiderstand (Rds(on)): 0,0016 Ohm (typisch)
  • Gehäuse: QFN-8

Diese beeindruckenden Spezifikationen ermöglichen es Ihnen, den ISZ019N03L5S in einer Vielzahl von Anwendungen einzusetzen, in denen höchste Effizienz und Zuverlässigkeit gefordert sind. Von der Energieversorgung bis zur Robotik – dieser MOSFET ist ein Schlüsselbaustein für Ihre innovativen Projekte.

Anwendungsbereiche des ISZ019N03L5S

Der ISZ019N03L5S ist ein echtes Multitalent und eignet sich hervorragend für eine breite Palette von Anwendungen:

  • DC-DC-Wandler: Optimieren Sie die Effizienz Ihrer Spannungswandler und minimieren Sie Verluste.
  • Motorsteuerungen: Steuern Sie Motoren präzise und effizient, von kleinen Robotern bis hin zu leistungsstarken Elektrowerkzeugen.
  • Lastschalter: Schalten Sie Lasten schnell und zuverlässig, mit minimalem Spannungsabfall.
  • Batteriemanagementsysteme (BMS): Schützen Sie Ihre Batterien und maximieren Sie ihre Lebensdauer durch präzise Steuerung und Überwachung.
  • Leistungselektronik: Verbessern Sie die Performance Ihrer Leistungselektronik-Schaltungen mit diesem hochleistungsfähigen MOSFET.

Stellen Sie sich vor, Sie entwickeln ein neues Elektrofahrzeug. Der ISZ019N03L5S könnte eine Schlüsselrolle in der Motorsteuerung spielen, indem er die Effizienz des Antriebsstrangs maximiert und die Reichweite des Fahrzeugs erhöht. Oder vielleicht arbeiten Sie an einem innovativen Robotik-Projekt. Mit diesem MOSFET können Sie die Bewegungen des Roboters präzise steuern und gleichzeitig den Energieverbrauch minimieren. Die Möglichkeiten sind endlos!

Vorteile des ISZ019N03L5S

Was macht den ISZ019N03L5S so besonders? Hier sind einige der wichtigsten Vorteile, die er Ihnen bietet:

  • Hohe Effizienz: Der extrem niedrige Einschaltwiderstand (Rds(on)) minimiert die Verluste und sorgt für eine hohe Effizienz in Ihren Schaltungen.
  • Hohe Stromtragfähigkeit: Mit einem maximalen Strom von 40 A kann dieser MOSFET auch anspruchsvolle Lasten problemlos bewältigen.
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit: Die schnelle Schaltgeschwindigkeit ermöglicht es Ihnen, hochfrequente Schaltungen zu realisieren und die Performance Ihrer Anwendungen zu optimieren.
  • Kompaktes Gehäuse: Das QFN-8 Gehäuse spart Platz auf der Leiterplatte und ermöglicht eine einfache Integration in Ihre Designs.
  • Hohe Zuverlässigkeit: Der ISZ019N03L5S ist robust und zuverlässig, auch unter anspruchsvollen Bedingungen.

Die Kombination dieser Vorteile macht den ISZ019N03L5S zu einer ausgezeichneten Wahl für alle, die höchste Ansprüche an Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit stellen. Es ist mehr als nur ein Bauteil – es ist ein Werkzeug, das Ihnen hilft, Ihre Visionen zu verwirklichen.

Der Unterschied liegt im Detail: Warum der ISZ019N03L5S heraussticht

In der Welt der MOSFETs gibt es viele Optionen, aber der ISZ019N03L5S sticht durch seine herausragende Leistung und seine durchdachten Details hervor. Der extrem niedrige Rds(on) ist nicht nur eine Zahl im Datenblatt, sondern ein Versprechen für geringere Verluste, weniger Wärmeentwicklung und eine höhere Gesamteffizienz Ihres Systems. Die schnelle Schaltgeschwindigkeit ermöglicht präzisere Steuerung und optimierte Frequenzgänge, was besonders in anspruchsvollen Anwendungen wie Motorsteuerungen und DC-DC-Wandlern von Vorteil ist. Das kompakte QFN-8 Gehäuse spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte und ermöglicht eine dichtere Integration, was besonders in miniaturisierten Geräten von Bedeutung ist. Darüber hinaus sorgt die hohe Stromtragfähigkeit dafür, dass der MOSFET auch unter Last zuverlässig funktioniert und Ihre Schaltungen vor Überlastung schützt.

Aber es sind nicht nur die technischen Daten, die den ISZ019N03L5S auszeichnen. Es ist auch die Sorgfalt und Präzision, mit der er gefertigt wurde. Jeder MOSFET wird strengen Qualitätskontrollen unterzogen, um sicherzustellen, dass er höchsten Ansprüchen genügt. So können Sie sich darauf verlassen, dass Sie ein Produkt erhalten, das nicht nur leistungsstark, sondern auch zuverlässig und langlebig ist. Der ISZ019N03L5S ist mehr als nur ein Bauteil – er ist ein Versprechen für Qualität und Innovation.

Stellen Sie sich vor, Sie entwickeln ein neues medizinisches Gerät, das höchste Präzision und Zuverlässigkeit erfordert. Der ISZ019N03L5S könnte eine Schlüsselrolle bei der Steuerung der empfindlichen elektronischen Komponenten spielen und sicherstellen, dass das Gerät einwandfrei funktioniert. Oder vielleicht arbeiten Sie an einem Projekt im Bereich der erneuerbaren Energien. Mit diesem MOSFET können Sie die Effizienz Ihrer Solaranlagen oder Windkraftanlagen maximieren und einen Beitrag zum Umweltschutz leisten. Der ISZ019N03L5S ist ein Baustein für eine bessere Zukunft.

Technische Tabelle

Parameter Wert Einheit
Vds (Drain-Source-Spannung) 30 V
Id (Drain-Strom) 40 A
Rds(on) (Einschaltwiderstand) 0.0016 Ohm
Gehäuse QFN-8 –

Fazit: Der ISZ019N03L5S – Mehr als nur ein MOSFET

Der ISZ019N03L5S ist mehr als nur ein N-Kanal MOSFET. Er ist ein Schlüsselbaustein für Ihre innovativen Projekte, ein Garant für höchste Effizienz und Zuverlässigkeit, und ein Versprechen für eine bessere Zukunft. Mit seiner beeindruckenden Leistung, seinem kompakten Design und seiner breiten Palette von Anwendungen ist er die ideale Wahl für alle, die höchste Ansprüche an ihre Elektronik stellen. Entdecken Sie die Möglichkeiten, die Ihnen der ISZ019N03L5S bietet, und lassen Sie sich von seiner Leistung inspirieren.

Investieren Sie in den ISZ019N03L5S und erleben Sie den Unterschied. Sie werden es nicht bereuen!

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum ISZ019N03L5S

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum ISZ019N03L5S:

  1. Was bedeutet „N-Kanal“ bei einem MOSFET?
    Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, bei dem der Stromfluss zwischen Drain und Source durch ein elektrisches Feld gesteuert wird. „N-Kanal“ bezieht sich auf das Dotierungsmaterial im Kanal des Transistors, welches negativ geladene Ladungsträger (Elektronen) verwendet.
  2. Was bedeutet Rds(on) und warum ist es wichtig?
    RDS(on) ist der Drain-Source-Einschaltwiderstand. Ein niedrigerer Wert bedeutet geringere Verluste und eine höhere Effizienz, da weniger Energie in Wärme umgewandelt wird.
  3. Kann ich den ISZ019N03L5S für PWM-Anwendungen verwenden?
    Ja, aufgrund seiner schnellen Schaltgeschwindigkeit ist der ISZ019N03L5S sehr gut für PWM-Anwendungen geeignet.
  4. Wie montiere ich den ISZ019N03L5S richtig?
    Der ISZ019N03L5S wird als oberflächenmontierbares Bauelement (SMD) geliefert und erfordert Reflow-Löten. Beachten Sie das Datenblatt für spezifische Empfehlungen zum Lötprofil.
  5. Was sind typische Anwendungsbereiche für diesen MOSFET?
    Typische Anwendungen sind DC-DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und Batteriemanagementsysteme.
  6. Wo finde ich das Datenblatt für den ISZ019N03L5S?
    Das Datenblatt können Sie in unserem Downloadbereich finden, oder auf der Herstellerseite. Dort finden Sie detaillierte Informationen und Schaltpläne.
  7. Welche Alternativen gibt es zum ISZ019N03L5S?
    Es gibt viele Alternativen auf dem Markt, die ähnliche Spezifikationen aufweisen. Kontaktieren Sie uns gerne für eine persönliche Beratung, um die beste Option für Ihre spezifischen Bedürfnisse zu finden. Wir helfen Ihnen gerne weiter!

Bewertungen: 4.9 / 5. 614

Zusätzliche Informationen
Marke

Infineon

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