IRLR024NPBF – MOSFET N-Kanal, 55 V, 17 A, RDS(on) 0,065 Ohm, TO252AA

IRLR024NPbF, HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibungen:HEXFET®-Leistungs-MOSFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um den geringstmöglichen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für die HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der D-PAK ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. Die Version mit geraden Anschlussdrähten (Serie IRFU) ist für Anwendungen mit Durchsteckmontage vorgesehen. Verlustleistungen bis zu 1,5 Watt sind bei typischen Anwendungen für die Oberflächenmontage möglich.Merkmale:• Logik-Level Gate Drive• Oberflächenmontage (IRLR024N)• Gerader Anschluss (IRLU024N)• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Schnelles Schalten• Vollständig Avalanche-geeignet• Bleifrei