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IRLML 6244 - MOSFET

IRLML 6244 – MOSFET, N-Kanal, 20 V, 6,3 A, RDS(on) 0,021 Ohm, SOT-23

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Artikelnummer: cc8cef4cbd5c Kategorie: MOSFETs
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Beschreibung

Inhalt

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  • IRLML6244: Präziser N-Kanal MOSFET für anspruchsvolle Schaltungen
  • Unübertroffene Leistung und Effizienz für Ihre Anwendungen
  • Vorteile des IRLML6244 MOSFET im Überblick
  • Technische Spezifikationen im Detail
  • Anwendungsgebiete für höchste Ansprüche
  • Produkteigenschaften im Vergleich
  • Tiefgehende technische Einblicke
  • FAQ – Häufig gestellte Fragen zu IRLML6244 – MOSFET, N-Kanal, 20 V, 6,3 A, RDS(on) 0,021 Ohm, SOT-23
    • Was ist die Hauptanwendung für den IRLML6244 MOSFET?
    • Kann der IRLML6244 mit einer niedrigeren Gate-Spannung angesteuert werden?
    • Welche Vorteile bietet der niedrige RDS(on)-Wert von 0,021 Ohm?
    • Ist der IRLML6244 für Hochfrequenzanwendungen geeignet?
    • Was bedeutet die SOT-23 Bauform für die Anwendung?
    • Wie unterscheidet sich der IRLML6244 von anderen MOSFETs?
    • Ist der IRLML6244 für den Einsatz in der Automobilindustrie geeignet?

IRLML6244: Präziser N-Kanal MOSFET für anspruchsvolle Schaltungen

Suchen Sie nach einer hocheffizienten und zuverlässigen Lösung für das Schalten und Steuern von Leistung in Ihren elektronischen Projekten? Der IRLML6244 MOSFET, ein N-Kanal-Transistor mit einer Spannungsfestigkeit von 20 V und einem Dauerstrom von 6,3 A, bietet genau diese Leistung. Dank seines extrem niedrigen Einschaltwiderstands von nur 0,021 Ohm ist er die ideale Wahl für Entwickler und Maker, die maximale Effizienz und minimale Energieverluste anstreben, insbesondere in kompakten Designs.

Unübertroffene Leistung und Effizienz für Ihre Anwendungen

Der IRLML6244 N-Kanal MOSFET übertrifft herkömmliche Lösungen durch seine herausragenden elektrischen Eigenschaften, die direkt in verbesserte Systemleistung und reduzierte Wärmeentwicklung resultieren. Der außergewöhnlich niedrige RDS(on)-Wert von 0,021 Ohm bedeutet, dass bei gleichem Stromfluss deutlich weniger Energie als Wärme verloren geht. Dies ist entscheidend für Anwendungen, bei denen Effizienz oberste Priorität hat, wie beispielsweise in energiesparenden Schaltnetzteilen, Batteriemanagementsystemen oder motorgesteuerten Geräten. Die geringe Gate-Ladung sorgt zudem für schnelle Schaltzeiten, was für hochfrequente Anwendungen unerlässlich ist, und minimiert den Energieverbrauch während des Schaltvorgangs.

Vorteile des IRLML6244 MOSFET im Überblick

  • Extrem niedriger Einschaltwiderstand (RDS(on)): Nur 0,021 Ohm für minimale Leistungsverluste und höhere Effizienz.
  • Hohe Strombelastbarkeit: Geeignet für Dauertröme von bis zu 6,3 A, was eine breite Palette von Leistungsanwendungen ermöglicht.
  • Geringe Gate-Ladung: Ermöglicht schnelle Schaltvorgänge und reduziert den Steueraufwand.
  • Kompakte SOT-23 Bauform: Ideal für platzbeschränkte Designs, Leiterplattenmontage und automatisierte Bestückungsprozesse.
  • Hohe Zuverlässigkeit: Entwickelt für robuste Leistung unter verschiedenen Betriebsbedingungen.
  • Vielseitige N-Kanal Konfiguration: Ermöglicht einfache Integration in gängige Schaltungen zur Leistungssteuerung.

Technische Spezifikationen im Detail

Die präzisen elektrischen Kennwerte des IRLML6244 machen ihn zu einer bevorzugten Komponente für anspruchsvolle Designs. Die maximale Drain-Source-Spannung (Vds) von 20 V stellt sicher, dass der Transistor auch bei moderaten Spannungen sicher arbeitet. Die kontinuierliche Drain-Strombelastbarkeit von 6,3 A ermöglicht den Einsatz in Systemen, die einen signifikanten Stromfluss erfordern, ohne dass Kompromisse bei der Zuverlässigkeit eingegangen werden müssen. Die charakteristische Gate-Source-Schwellenspannung (VGS(th)) liegt typischerweise im Bereich von 1-2 V, was eine einfache Ansteuerung mit geringen Spannungen ermöglicht, oft direkt von Mikrocontrollern oder Logikschaltungen.

Anwendungsgebiete für höchste Ansprüche

Der IRLML6244 N-Kanal MOSFET findet breite Anwendung in verschiedenen Bereichen der Elektronikentwicklung. Seine Effizienz und kompakte Bauform prädestinieren ihn für den Einsatz in mobilen Geräten, tragbaren Elektronikprodukten und IoT-Anwendungen, wo Energieeffizienz und geringe Abmessungen von entscheidender Bedeutung sind. In der Automobilindustrie kann er für Steuerungsaufgaben in Innenraumbeleuchtungssystemen oder als Schalter für kleinere Lasten eingesetzt werden. Auch im Bereich der Niedervolt-Stromversorgungen, der Batteriemanagementsysteme (BMS), als Lastschalter für Sensoren oder Aktoren sowie in der Robotertechnik zur Steuerung von Motoren oder Servos spielt er seine Stärken aus. Seine Fähigkeit, schnell und verlustarm zu schalten, macht ihn zudem zu einem wertvollen Bestandteil von Hochfrequenz-Schaltungen und DC/DC-Wandlern.

Produkteigenschaften im Vergleich

Merkmal Spezifikation / Beschreibung
Transistortyp N-Kanal MOSFET
Maximale Drain-Source-Spannung (Vds) 20 V
Dauerhafter Drain-Strom (Id) 6,3 A
Einschaltwiderstand (RDS(on)) 0,021 Ohm bei Vgs=4.5V, Id=6.3A
Gate-Schwellenspannung (VGS(th)) Typischerweise 1,0 – 2,0 V
Gehäuseform SOT-23
Schaltfrequenz-Eignung Sehr gut geeignet für Hochfrequenzanwendungen dank geringer Gate-Ladung
Montageart Oberflächenmontage (SMD)

Tiefgehende technische Einblicke

Die fundamentale Leistungsfähigkeit des IRLML6244 wird durch die optimierte Halbleiterstruktur und die fortschrittliche Prozessfertigung erreicht. Der N-Kanal-Aufbau ermöglicht eine effiziente Steuerung des Stromflusses durch Anlegen einer positiven Spannung an das Gate im Verhältnis zur Source. Die niedrige Durchlassspannung, die sich direkt im geringen RDS(on)-Wert widerspiegelt, ist das Ergebnis einer sorgfältigen Dotierung und Kanalstrukturierung, die den elektrischen Widerstand während des leitenden Zustands minimiert. Dies reduziert die joulesche Erwärmung (I²R-Verluste), was insbesondere bei anhaltend hohen Stromflüssen von großer Bedeutung ist und die thermische Belastung der umliegenden Komponenten verringert. Die Kapazitäten des Transistors, wie die Gate-Source-Kapazität (Cgs), Gate-Drain-Kapazität (Cgd) und Drain-Source-Kapazität (Cds), sind ebenfalls so optimiert, dass sie die Lade- und Entladezeiten des Gates während des Schaltvorgangs minimieren. Eine geringe Gate-Ladung bedeutet, dass weniger Energie benötigt wird, um das Gate auf die Schwellenspannung zu bringen und den Transistor vollständig zu öffnen (anzusteuern) oder zu schließen. Dies führt zu schnelleren Schaltzeiten und reduziert den Stromverbrauch der Ansteuerschaltung.

Die SOT-23-Bauform ist ein Standard für oberflächenmontierte Bauteile und zeichnet sich durch ihre geringe Größe, ihr geringes Gewicht und ihre gute Wärmeleitfähigkeit aus. Diese Eigenschaften machen den IRLML6244 ideal für den Einsatz auf Leiterplatten mit hoher Komponentendichte, wo Platz eine kritische Ressource ist. Die dreibeinige Struktur des SOT-23-Gehäuses bietet eine Source-, Gate- und Drain-Anbindung, die eine einfache Integration in gängige Schaltungstopologien ermöglicht. Die Kontaktflächen sind für Reflow-Lötverfahren optimiert, was eine kostengünstige und zuverlässige Massenproduktion unterstützt.

Die Wahl des richtigen MOSFETs ist entscheidend für die Gesamtleistung und Zuverlässigkeit eines elektronischen Systems. Der IRLML6244 liefert hier eine herausragende Kombination aus Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit. Die spezifizierte Spannungsfestigkeit von 20 V ermöglicht eine sichere Anwendung in vielen Niedervoltsystemen, und die Strombelastbarkeit von 6,3 A deckt einen Großteil der typischen Lastanforderungen ab, ohne dass auf größere, teurere oder weniger effiziente Bauteile zurückgegriffen werden muss.

FAQ – Häufig gestellte Fragen zu IRLML6244 – MOSFET, N-Kanal, 20 V, 6,3 A, RDS(on) 0,021 Ohm, SOT-23

Was ist die Hauptanwendung für den IRLML6244 MOSFET?

Der IRLML6244 MOSFET ist ideal für Anwendungen, die hohe Effizienz, schnelles Schalten und geringe Leistungsverluste erfordern. Dies umfasst unter anderem Lastschaltungen, DC/DC-Wandler, Energieverwaltungssysteme, Motorsteuerungen und batteriebetriebene Geräte.

Kann der IRLML6244 mit einer niedrigeren Gate-Spannung angesteuert werden?

Ja, der IRLML6244 ist für eine Gate-Ansteuerung mit niedrigen Spannungen konzipiert. Die typische Gate-Schwellenspannung liegt zwischen 1 V und 2 V, was ihn gut mit Mikrocontrollern oder Logikbausteinen kompatibel macht.

Welche Vorteile bietet der niedrige RDS(on)-Wert von 0,021 Ohm?

Ein niedriger RDS(on)-Wert bedeutet, dass der Transistor im eingeschalteten Zustand einen sehr geringen Widerstand aufweist. Dies führt zu minimalen Leistungsverlusten in Form von Wärme und erhöht somit die Gesamteffizienz des elektronischen Systems.

Ist der IRLML6244 für Hochfrequenzanwendungen geeignet?

Absolut. Dank seiner geringen Gate-Ladung und der optimierten Übergangszeiten ist der IRLML6244 hervorragend für den Einsatz in Hochfrequenzschaltungen geeignet, wo schnelle Schaltvorgänge entscheidend sind.

Was bedeutet die SOT-23 Bauform für die Anwendung?

Die SOT-23 Bauform ist eine kompakte und verbreitete Gehäuseform für oberflächenmontierte Bauteile (SMD). Sie ermöglicht den Einsatz in platzbeschränkten Designs und ist gut für automatisierte Bestückungsprozesse geeignet.

Wie unterscheidet sich der IRLML6244 von anderen MOSFETs?

Der IRLML6244 zeichnet sich durch ein exzellentes Verhältnis von RDS(on) zu Fläche und Kosten aus, insbesondere in seiner kompakten Bauform. Er bietet eine sehr hohe Effizienz für seine Größe und Leistungsklasse.

Ist der IRLML6244 für den Einsatz in der Automobilindustrie geeignet?

Mit seiner Robustheit und Zuverlässigkeit kann der IRLML6244 für bestimmte Niedervolt-Anwendungen in der Automobilindustrie eingesetzt werden, vorausgesetzt, die spezifischen Temperaturbereiche und Zuverlässigkeitsanforderungen werden erfüllt.

Bewertungen: 4.7 / 5. 750

Zusätzliche Informationen
Marke

Infineon

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