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IRLB4030PBF - MOSFET N-LogL 100V 180A 370W 0

IRLB4030PBF – MOSFET N-LogL 100V 180A 370W 0,0043R TO220AB

3,70 €

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Artikelnummer: 143205bca13c Kategorie: MOSFETs
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Beschreibung

Inhalt

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  • IRLB4030PBF – Höchstleistungs-MOSFET für anspruchsvolle Schaltanwendungen
  • Überlegene Leistung durch fortschrittliche Technologie
  • Kernvorteile des IRLB4030PBF
  • Anwendungsgebiete und technische Spitzenleistung
  • Konstruktion und Thermomanagement
  • Technische Daten im Detail
  • FAQ – Häufig gestellte Fragen zu IRLB4030PBF – MOSFET N-LogL 100V 180A 370W 0,0043R TO220AB
    • Was bedeutet „Logic Level“ bei diesem MOSFET?
    • Ist eine externe Kühlung für den IRLB4030PBF notwendig?
    • Welche Art von Anwendungen ist der IRLB4030PBF besonders gut geeignet?
    • Kann dieser MOSFET in Auto-Anwendungen eingesetzt werden?
    • Wie unterscheidet sich der IRLB4030PBF von anderen MOSFETs mit ähnlichen Spezifikationen?
    • Kann der IRLB4030PBF mit höheren Gate-Spannungen als 10V angesteuert werden?
    • Wie wichtig ist die Auswahl des richtigen Kühlkörpers für den IRLB4030PBF?

IRLB4030PBF – Höchstleistungs-MOSFET für anspruchsvolle Schaltanwendungen

Benötigen Sie eine extrem leistungsfähige und zuverlässige Lösung für das Schalten hoher Ströme und Spannungen in Ihren elektronischen Systemen? Der IRLB4030PBF – ein N-Kanal Logic Level MOSFET – wurde speziell entwickelt, um die Effizienz und Robustheit von Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen, DC-DC-Konvertern und vielen anderen energieintensiven Anwendungen signifikant zu verbessern. Seine überragenden Spezifikationen machen ihn zur idealen Wahl für Ingenieure und Entwickler, die maximale Performance und Zuverlässigkeit ohne Kompromisse erwarten.

Überlegene Leistung durch fortschrittliche Technologie

Der IRLB4030PBF setzt neue Maßstäbe in Bezug auf Effizienz und Belastbarkeit. Im Vergleich zu Standard-MOSFETs bietet dieser Baustein eine deutlich geringere Durchlasswiderstand (RDS(on)) bei gleichzeitig höherer Stromtragfähigkeit. Dies reduziert Leistungsverluste und die damit verbundene Wärmeentwicklung erheblich, was zu kompakteren Designs, verlängerter Lebensdauer der Komponenten und gesteigerter Energieeffizienz führt. Die Logic Level Gate-Ansteuerung ermöglicht zudem die direkte Ansteuerung durch Mikrocontroller und Logikschaltungen, was den Schaltungsaufwand reduziert und die Systemintegration vereinfacht.

Kernvorteile des IRLB4030PBF

  • Extrem niedriger RDS(on): Mit einem typischen Wert von nur 0,0043 Ohm minimiert der IRLB4030PBF Spannungsabfälle und Leistungsverluste, was zu einer höheren Energieeffizienz führt.
  • Hohe Stromtragfähigkeit: 180 Ampere Dauerstrom (bei geeigneter Kühlung) ermöglichen den Einsatz in Anwendungen mit sehr hohen Stromanforderungen.
  • Robuste Spannungsfestigkeit: 100 Volt Drain-Source-Spannung bieten eine ausreichende Reserve für viele industrielle und automotive Anwendungen.
  • Hohe Verlustleistung: Bis zu 370 Watt Verlustleistung ermöglichen den Betrieb unter anspruchsvollen Bedingungen.
  • Logic Level Gate-Ansteuerung: Vereinfacht die Ansteuerung durch niedrige Gate-Spannungen (typischerweise 4.5V bis 10V), was die Kompatibilität mit gängigen Mikrocontrollern und digitalen Logikschaltungen gewährleistet.
  • TO-220AB Gehäuse: Bietet gute thermische Eigenschaften und eine einfache Montage auf Kühlkörpern für effektive Wärmeableitung.
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeiten: Optimiert für hohe Frequenzen, was für moderne Schaltnetzteile und andere Hochfrequenzanwendungen unerlässlich ist.

Anwendungsgebiete und technische Spitzenleistung

Der IRLB4030PBF ist ein Meisterstück der Halbleitertechnik, dessen Konstruktion auf maximale Performance und Zuverlässigkeit ausgelegt ist. Seine N-Kanal-Konfiguration in Kombination mit der Logikpegel-Gate-Ansteuerung positioniert ihn als eine überlegene Lösung für eine Vielzahl von Anwendungen, bei denen Effizienz und robuste Leistungsfähigkeit im Vordergrund stehen. Ingenieure schätzen diesen MOSFET insbesondere für seine Fähigkeit, trotz hoher Strombelastung mit minimaler Wärmeentwicklung zu arbeiten. Dies wird durch fortschrittliche Fertigungsprozesse und optimierte Siliziumstrukturen ermöglicht, die einen äußerst niedrigen spezifischen Durchlasswiderstand erreichen.

Die hohe Stromtragfähigkeit von 180 Ampere, die durch die großzügige Chipfläche und die optimierte Metallisierung erzielt wird, macht ihn zum idealen Kandidaten für Hochstromanwendungen wie:

  • Leistungsstarke Schaltnetzteile: Effiziente Umsetzung von Energie mit minimalen Verlusten, entscheidend für Server, Telekommunikationsgeräte und industrielle Stromversorgungen.
  • Motorsteuerungen und Antriebe: Präzise und energieeffiziente Steuerung von Elektromotoren in industriellen Automatisierungssystemen, Elektrofahrzeugen und Robotik.
  • DC-DC-Konverter: Robuste und effiziente Spannungsregelung in einer Vielzahl von Leistungselektronikanwendungen.
  • Solarenergie-Systeme: Effiziente Umwandlung und Steuerung von Energie in Photovoltaik-Wechselrichtern.
  • Batterie-Management-Systeme (BMS): Zuverlässige Schaltung und Überwachung von Batterieströmen in Hochleistungsanwendungen.
  • Industrielle Stromverteilung: Sicheres und effizientes Schalten hoher Lastströme in industriellen Umgebungen.

Die 100V Drain-Source-Spannungsfestigkeit bietet eine signifikante Sicherheitsmarge für viele Anwendungen, die über den Bereich typischer 12V- oder 24V-Systeme hinausgehen. Dies ermöglicht den Einsatz in Systemen, die kurzzeitig höhere Spannungsspitzen erfahren können, ohne die Zuverlässigkeit zu beeinträchtigen.

Konstruktion und Thermomanagement

Das Herzstück des IRLB4030PBF bildet sein optimierter Silizium-Die, der auf modernsten Fertigungslinien mit präzisen Toleranzen hergestellt wird. Die verwendete N-Kanal-MOSFET-Architektur, kombiniert mit einer Tief-Drain-Struktur, ist speziell darauf ausgelegt, sowohl den statischen als auch den dynamischen Durchlasswiderstand zu minimieren. Dies resultiert in einer verbesserten thermischen Effizienz, da weniger Energie in Form von Wärme verloren geht. Die Gehäuseform TO-220AB ist ein etablierter Standard in der Leistungselektronik und bietet eine solide Basis für die Wärmeableitung. Durch die Integration auf einem geeigneten Kühlkörper kann die beeindruckende Verlustleistung von 370 Watt optimal abgeführt werden, was die Langlebigkeit und Leistungsfähigkeit des Bauteils unter Dauerbelastung sicherstellt.

Technische Daten im Detail

Merkmal Spezifikation
Typ N-Kanal Logic Level MOSFET
Hersteller-Teilenummer IRLB4030PBF
V_DS (Drain-Source Spannung) 100 V
I_D (Dauerstrom @ 25°C) 180 A
P_D (Verlustleistung @ 25°C) 370 W
RDS(on) (Typisch) 0,0043 Ω
RDS(on) (Maximal @ Vgs, Id) Typischerweise unter 0,005 Ω bei Logic Level Gate-Ansteuerung
Gate-Schwellenspannung (V_GS(th)) Typischerweise im Bereich von 1V bis 2V, optimiert für Logic Level
Gate-Ladung (Qg) Optisch optimiert für schnelle Schaltvorgänge
Gehäuse TO-220AB
Betriebstemperatur -55°C bis +175°C

FAQ – Häufig gestellte Fragen zu IRLB4030PBF – MOSFET N-LogL 100V 180A 370W 0,0043R TO220AB

Was bedeutet „Logic Level“ bei diesem MOSFET?

Logic Level bedeutet, dass der MOSFET mit niedrigeren Gate-Spannungen effektiv angesteuert werden kann, typischerweise ab 4.5V bis 10V. Dies ermöglicht die direkte Ansteuerung durch gängige Mikrocontroller und digitale Logikchips, ohne dass zusätzliche Pegelwandler erforderlich sind.

Ist eine externe Kühlung für den IRLB4030PBF notwendig?

Aufgrund seiner hohen Leistungsdichte und der Möglichkeit, bis zu 370W zu dissipieren, ist für Anwendungen, die nahe am Nennstrom oder der Verlustleistung arbeiten, eine angemessene Kühlung mittels eines Kühlkörpers unerlässlich, um eine Überhitzung und Beschädigung zu vermeiden.

Welche Art von Anwendungen ist der IRLB4030PBF besonders gut geeignet?

Er ist ideal für Hochleistungsanwendungen wie Schaltnetzteile, Motorsteuerungen, DC-DC-Konverter, Solarenergie-Systeme und industrielle Stromversorgungen, bei denen hohe Ströme, Spannungen und Effizienz gefordert sind.

Kann dieser MOSFET in Auto-Anwendungen eingesetzt werden?

Ja, die hohe Spannungsfestigkeit von 100V und die robuste Bauweise machen ihn für viele Automotive-Anwendungen geeignet, insbesondere dort, wo hohe Ströme und Zuverlässigkeit gefragt sind. Beachten Sie jedoch immer die spezifischen Temperaturanforderungen und Spannungsspitzen im Fahrzeug.

Wie unterscheidet sich der IRLB4030PBF von anderen MOSFETs mit ähnlichen Spezifikationen?

Der Hauptunterschied liegt in der Kombination aus einem extrem niedrigen RDS(on) von 0,0043 Ohm bei Logic Level Gate-Ansteuerung und einer hohen Stromtragfähigkeit von 180A. Dies führt zu einer überlegenen Effizienz und reduzierten Wärmeentwicklung im Vergleich zu vielen Standard-MOSFETs.

Kann der IRLB4030PBF mit höheren Gate-Spannungen als 10V angesteuert werden?

Ja, der MOSFET kann auch mit höheren Gate-Spannungen (bis zur maximal zulässigen Vgs) angesteuert werden, was den Durchlasswiderstand weiter senken kann. Allerdings ist die „Logic Level“-Eigenschaft primär auf die effiziente Ansteuerung mit niedrigeren Spannungen ausgelegt.

Wie wichtig ist die Auswahl des richtigen Kühlkörpers für den IRLB4030PBF?

Die Auswahl eines adäquaten Kühlkörpers ist entscheidend für die Leistung und Lebensdauer des IRLB4030PBF, besonders bei hoher Belastung. Ein gut dimensionierter Kühlkörper sorgt dafür, dass die Verlustleistung effektiv abgeführt wird und die Sperrschichttemperatur innerhalb zulässiger Grenzen bleibt.

Bewertungen: 4.9 / 5. 673

Zusätzliche Informationen
Marke

Infineon

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