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IRFS3306PBF - MOSFET N-Kanal

IRFS3306PBF – MOSFET N-Kanal, 60 V, 120 A, Rds(on) 0,0033 Ohm, D2Pak

3,40 €

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Artikelnummer: 0500542310a7 Kategorie: MOSFETs
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Inhalt

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  • IRFS3306PBF – Der Schlüssel zu Effizienz und Leistung in Ihren Projekten
    • Technische Daten, die überzeugen
    • Anwendungsbereiche, die begeistern
    • Die Vorteile auf einen Blick
    • Technische Details im Überblick
    • Der IRFS3306PBF – Mehr als nur ein MOSFET
    • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IRFS3306PBF

IRFS3306PBF – Der Schlüssel zu Effizienz und Leistung in Ihren Projekten

Tauchen Sie ein in die Welt der Leistungselektronik mit dem IRFS3306PBF, einem N-Kanal MOSFET, der Ihre Projekte auf ein neues Level hebt. Dieses Kraftpaket vereint höchste Effizienz, beeindruckende Leistungsfähigkeit und unübertroffene Zuverlässigkeit in einem kompakten D2Pak-Gehäuse. Ob Sie an innovativen Schaltnetzteilen, leistungsstarken Motorsteuerungen oder energieeffizienten DC-DC-Wandlern arbeiten – der IRFS3306PBF ist die ideale Wahl, um Ihre Visionen Wirklichkeit werden zu lassen.

Der IRFS3306PBF ist mehr als nur ein Bauteil; er ist ein Versprechen. Ein Versprechen für stabile Performance, für minimale Verluste und für die Gewissheit, dass Ihre Schaltungen auch unter anspruchsvollsten Bedingungen zuverlässig funktionieren. Lassen Sie sich von der Leistungsfähigkeit dieses MOSFETs inspirieren und entdecken Sie neue Möglichkeiten in Ihren Elektronikprojekten.

Technische Daten, die überzeugen

Der IRFS3306PBF überzeugt mit einer beeindruckenden Kombination technischer Spezifikationen, die ihn zu einem idealen Kandidaten für eine Vielzahl von Anwendungen machen:

  • N-Kanal MOSFET: Ermöglicht schnelle Schaltvorgänge und hohe Effizienz.
  • Sperrspannung (Vds): 60 V – Bietet ausreichend Spielraum für diverse Applikationen.
  • Dauerstrom (Id): 120 A – Bewältigt auch anspruchsvolle Lasten mit Bravour.
  • Einschaltwiderstand (Rds(on)): 0,0033 Ohm – Minimiert Leistungsverluste und sorgt für höchste Effizienz.
  • Gehäuse: D2Pak – Ermöglicht eine effiziente Wärmeableitung und einfache Montage.

Diese Daten sprechen für sich. Der IRFS3306PBF ist darauf ausgelegt, höchste Ansprüche zu erfüllen und Ihnen in Ihren Projekten maximale Performance zu bieten.

Anwendungsbereiche, die begeistern

Die Vielseitigkeit des IRFS3306PBF kennt kaum Grenzen. Hier sind nur einige Beispiele, wie Sie diesen leistungsstarken MOSFET in Ihren Projekten einsetzen können:

  • Schaltnetzteile: Erzielen Sie höchste Effizienz und Zuverlässigkeit in Ihren Stromversorgungen.
  • Motorsteuerungen: Steuern Sie Motoren präzise und effizient, egal ob für Robotik, Modellbau oder industrielle Anwendungen.
  • DC-DC-Wandler: Wandeln Sie Spannungen verlustarm und zuverlässig um.
  • Batteriemanagementsysteme (BMS): Schützen Sie Ihre Akkus und optimieren Sie deren Lebensdauer.
  • Wechselrichter: Wandeln Sie Gleichstrom in Wechselstrom um, beispielsweise für Solaranlagen oder USV-Systeme.

Lassen Sie Ihrer Kreativität freien Lauf und entdecken Sie die unzähligen Möglichkeiten, die der IRFS3306PBF Ihnen bietet. Er ist der perfekte Partner, um Ihre Ideen in die Realität umzusetzen.

Die Vorteile auf einen Blick

Warum sollten Sie sich für den IRFS3306PBF entscheiden? Hier sind die wichtigsten Vorteile, die er Ihnen bietet:

  • Höchste Effizienz: Der extrem niedrige Einschaltwiderstand minimiert Leistungsverluste und spart Energie.
  • Hohe Leistungsfähigkeit: Bewältigt auch anspruchsvolle Lasten problemlos.
  • Zuverlässigkeit: Dank seiner robusten Bauweise und hochwertigen Materialien ist der IRFS3306PBF ein zuverlässiger Partner für Ihre Projekte.
  • Einfache Montage: Das D2Pak-Gehäuse ermöglicht eine einfache und effiziente Wärmeableitung.
  • Vielseitigkeit: Geeignet für eine breite Palette von Anwendungen in der Leistungselektronik.

Mit dem IRFS3306PBF investieren Sie in ein Bauteil, das Ihnen langfristig Freude bereiten wird. Er ist die ideale Wahl für alle, die Wert auf Qualität, Leistung und Zuverlässigkeit legen.

Technische Details im Überblick

Für alle, die es genau wissen wollen, hier eine detaillierte Tabelle mit den wichtigsten technischen Daten des IRFS3306PBF:

Parameter Wert Einheit
Sperrspannung (Vds) 60 V
Gate-Source-Spannung (Vgs) ±20 V
Dauerstrom (Id) 120 A
Pulsstrom (Idm) 480 A
Einschaltwiderstand (Rds(on) @ Vgs=10V) 0.0033 Ohm
Einschaltwiderstand (Rds(on) @ Vgs=4.5V) 0.0045 Ohm
Verlustleistung (Pd) 200 W
Betriebstemperatur -55 bis +175 °C
Gehäuse D2Pak

Diese Daten bestätigen die hohe Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit des IRFS3306PBF. Er ist ein Bauteil, auf das Sie sich verlassen können.

Der IRFS3306PBF – Mehr als nur ein MOSFET

Der IRFS3306PBF ist nicht einfach nur ein elektronisches Bauelement. Er ist ein Baustein für Innovation, ein Schlüssel zu Effizienz und ein Garant für zuverlässige Leistung. Er ermöglicht es Ihnen, Ihre Ideen zu verwirklichen, Grenzen zu überschreiten und neue Maßstäbe zu setzen.

Stellen Sie sich vor, Sie entwickeln ein revolutionäres Elektrofahrzeug, das dank des IRFS3306PBF eine unglaubliche Reichweite erzielt. Oder Sie bauen ein hochmodernes Solarsystem, das mit maximaler Effizienz saubere Energie erzeugt. Mit dem IRFS3306PBF sind Ihrer Fantasie keine Grenzen gesetzt.

Investieren Sie in Ihre Zukunft und wählen Sie den IRFS3306PBF – den MOSFET, der Ihre Projekte auf ein neues Level hebt.

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IRFS3306PBF

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum IRFS3306PBF. Sollten Sie weitere Fragen haben, zögern Sie nicht, uns zu kontaktieren.

  1. Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?

    Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, bei dem der Stromfluss durch einen N-Kanal zwischen Source und Drain gesteuert wird. Die Steuerung erfolgt durch Anlegen einer Spannung an das Gate.

  2. Was bedeutet RDS(on) und warum ist ein niedriger Wert wichtig?

    RDS(on) steht für „Drain-Source On-Resistance“ und bezeichnet den Widerstand zwischen Drain und Source, wenn der MOSFET eingeschaltet ist. Ein niedriger Wert bedeutet geringere Leistungsverluste und eine höhere Effizienz der Schaltung.

  3. Kann ich den IRFS3306PBF auch bei niedrigeren Gate-Spannungen betreiben?

    Ja, der IRFS3306PBF kann auch bei niedrigeren Gate-Spannungen betrieben werden. Beachten Sie jedoch, dass der RDS(on) bei niedrigeren Spannungen etwas höher sein kann, was zu höheren Verlusten führen kann.

  4. Wie kühle ich den IRFS3306PBF richtig?

    Eine effektive Kühlung ist wichtig, um die maximale Leistung des IRFS3306PBF zu nutzen. Verwenden Sie einen geeigneten Kühlkörper, der auf das D2Pak-Gehäuse passt, und achten Sie auf eine gute Wärmeübertragung zwischen MOSFET und Kühlkörper. Wärmeleitpaste kann hier hilfreich sein.

  5. Welche Schutzmaßnahmen sollte ich beim Umgang mit dem IRFS3306PBF beachten?

    MOSFETs sind empfindlich gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD). Vermeiden Sie es, den IRFS3306PBF ohne ESD-Schutzmaßnahmen zu berühren. Verwenden Sie eine geerdete Arbeitsfläche und ein ESD-Armband.

  6. Ist der IRFS3306PBF RoHS-konform?

    Ja, der IRFS3306PBF ist RoHS-konform und erfüllt die Anforderungen der Europäischen Richtlinie zur Beschränkung der Verwendung bestimmter gefährlicher Stoffe in Elektro- und Elektronikgeräten.

  7. Kann ich den IRFS3306PBF für PWM-Anwendungen verwenden?

    Ja, der IRFS3306PBF ist sehr gut für PWM (Pulsweitenmodulation)-Anwendungen geeignet, da er schnelle Schaltzeiten und geringe Schaltverluste aufweist.

Bewertungen: 4.6 / 5. 724

Zusätzliche Informationen
Marke

Infineon

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