Leistungsstarke Schaltlösungen für anspruchsvolle Elektronikanwendungen: Der IRFR48ZPBF MOSFET
Suchen Sie nach einem zuverlässigen und hocheffizienten N-Kanal MOSFET für Ihre anspruchsvollen Schaltanwendungen? Der IRFR48ZPBF ist die ideale Lösung für Ingenieure und Entwickler, die höchste Leistung und geringe Verluste in ihren Schaltungen benötigen. Dieser MOSFET wurde speziell für industrielle und Automotive-Anwendungen entwickelt und bietet eine herausragende Kombination aus Spannung, Strombelastbarkeit und niedriger Durchlassspannung.
Hervorragende Leistungsmerkmale des IRFR48ZPBF
Der IRFR48ZPBF hebt sich durch seine erstklassigen technischen Spezifikationen von Standard-MOSFETs ab. Seine Fähigkeit, bis zu 55 Volt zu sperren und dabei einen Dauerstrom von 42 Ampere zu bewältigen, macht ihn zu einer robusten Wahl für eine Vielzahl von Stromversorgungs- und Schaltungssteuerungsaufgaben. Der besonders niedrige Einschaltwiderstand von nur 0,011 Ohm minimiert Leistungsverluste, was zu einer höheren Energieeffizienz und geringeren Wärmeentwicklung führt. Dies ist entscheidend für Anwendungen, bei denen Effizienz und thermisches Management von größter Bedeutung sind.
Vorteile, die überzeugen
- Extrem niedriger Einschaltwiderstand (RDS(on)): Mit nur 0,011 Ohm minimiert der IRFR48ZPBF Spannungsabfälle und Leistungsverluste, was zu einer gesteigerten Gesamteffizienz und reduzierten Wärmeableitung führt.
- Hohe Strombelastbarkeit: Die Fähigkeit, bis zu 42 Ampere Dauerstrom zu schalten, ermöglicht den Einsatz in Hochleistungsanwendungen und stellt sicher, dass der MOSFET auch unter Last zuverlässig arbeitet.
- Robuste Spannungsfestigkeit: Mit einer Sperrspannung von 55 Volt ist dieser N-Kanal MOSFET für eine breite Palette von Anwendungen geeignet, die eine zuverlässige Isolierung und Schutzmechanismen erfordern.
- Optimiert für schnelles Schalten: Der IRFR48ZPBF zeichnet sich durch geringe Gate-Ladung und schnelle Schaltzeiten aus, was ihn ideal für PWM-Anwendungen (Pulsweitenmodulation) und andere Hochfrequenzschaltungen macht.
- Kompaktes TO-252AA Gehäuse: Das Surface-Mount-Gehäuse (DPAK) ermöglicht eine platzsparende Integration auf Leiterplatten und ist gut für automatisierte Bestückungsprozesse geeignet.
- Hohe Zuverlässigkeit und Lebensdauer: Durch die sorgfältige Auswahl von Materialien und die präzise Fertigung bietet der IRFR48ZPBF eine lange Betriebslebensdauer und hohe Zuverlässigkeit, selbst unter anspruchsvollen Umgebungsbedingungen.
- Geringe parasitäre Kapazitäten: Reduzierte parasitäre Kapazitäten tragen zu schnelleren Schaltvorgängen und geringeren Schaltverlusten bei.
- Hervorragende thermische Leistung: Das TO-252AA-Gehäuse ermöglicht eine effektive Wärmeableitung, was entscheidend für die Aufrechterhaltung der Leistung und Lebensdauer des Bauteils ist.
Technische Spezifikationen im Detail
| Merkmal | Spezifikation |
|---|---|
| Typ | N-Kanal MOSFET |
| Hersteller-Teilenummer | IRFR48ZPBF |
| Max. Drain-Source-Spannung (VDS) | 55 V |
| Max. Gate-Source-Spannung (VGS) | ±20 V |
| Max. Dauer-Drainstrom (ID) bei 25°C | 42 A |
| Max. Puls-Drainstrom (IDM) | 168 A (begrenzt durch Gehäusewärmeableitung) |
| Max. RDS(on) bei VGS=10V, ID=21A | 0,011 Ω |
| Typische Gate-Ladung (QG) | 29 nC (bei VGS=10V) |
| Typische Eingangs-Kapazität (Ciss) | 730 pF (bei VDS=25V, f=1MHz) |
| Typische Ausgangs-Kapazität (Coss) | 170 pF (bei VDS=25V, f=1MHz) |
| Typische Vorwärts-Übertragungs-Kapazität (Crss) | 140 pF (bei VDS=25V, f=1MHz) |
| Gehäuse-Typ | TO-252AA (DPAK) |
| Mounting-Typ | Surface Mount |
| Betriebstemperatur (TJ) | -55°C bis +175°C |
| Thermische Beständigkeit, Gehäuse zu Umgebung (RthJA) | Ca. 62 °C/W (typisch, auf einer FR-4 Leiterplatte mit 1 Unze Kupfer) |
| Thermische Beständigkeit, Gehäuse zu Kühlkörper (RthJC) | Ca. 1,3 °C/W (typisch) |
| Absolut Maximale Leistung (PD) bei 25°C | 140 W (begrenzt durch Gehäusewärmeableitung) |
Anwendungsgebiete für maximale Effizienz
Der IRFR48ZPBF N-Kanal MOSFET eignet sich hervorragend für eine breite Palette von Hochleistungsanwendungen, bei denen Effizienz, Zuverlässigkeit und kompakte Bauweise entscheidend sind. Seine herausragenden Eigenschaften machen ihn zur optimalen Wahl für:
- Leistungsschalter: In DC/DC-Wandlern und AC/DC-Stromversorgungen zur effizienten Steuerung von Stromflüssen.
- Motorsteuerungen: In industriellen Antrieben und elektrischen Fahrzeugen zur präzisen Steuerung von Elektromotoren, wo schnelle Schaltfrequenzen und hohe Ströme gefragt sind.
- Schaltnetzteile (SMPS): Zur effizienten Energieumwandlung und -steuerung in Netzteilen für Computer, Telekommunikation und Unterhaltungselektronik.
- Lastschalter: Zum Schalten von Lasten mit hohen Strömen in verschiedenen industriellen Automatisierungs- und Steuerungssystemen.
- Konverter-Designs: In Synchronous-Buck- und Boost-Konvertern zur Maximierung der Energieeffizienz und Minimierung von Verlusten.
- Batteriemanagementsysteme: Zur Überwachung und Steuerung von Lade- und Entladevorgängen in Energiespeichersystemen.
- Automobil-Elektronik: Aufgrund seiner Robustheit und Zuverlässigkeit ist er ideal für anspruchsvolle Umgebungen im Fahrzeugbereich.
Die überlegene Wahl gegenüber Standardlösungen
Im Vergleich zu generischen MOSFETs bietet der IRFR48ZPBF signifikante Vorteile. Sein herausragend niedriger RDS(on)-Wert reduziert ohmsche Verluste erheblich, was bei hohen Strömen zu einer geringeren Wärmeentwicklung führt. Dies verlängert nicht nur die Lebensdauer des Bauteils, sondern reduziert auch die Anforderungen an die Kühlung, was wiederum Kosten und Platz auf der Leiterplatte spart. Die optimierte Gate-Ladung und die schnellen Schaltzeiten ermöglichen den Einsatz in Hochfrequenzanwendungen, wo Standard-MOSFETs an ihre Grenzen stoßen würden. Die robuste Bauweise und die hohe Spannungsfestigkeit gewährleisten zudem eine überlegene Zuverlässigkeit, insbesondere in industriellen und Automotive-Umgebungen, wo Betriebssicherheit und Langlebigkeit oberste Priorität haben.
FAQ – Häufig gestellte Fragen zu IRFR48ZPBF – MOSFET N-Ch 55V 42A 0,011R TO252AA
Was bedeutet N-Kanal MOSFET?
Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, der einen N-dotierten Kanal nutzt, um den Stromfluss zwischen Source und Drain zu steuern. Er wird durch eine positive Spannung am Gate eingeschaltet.
Welche Vorteile bietet das TO-252AA Gehäuse?
Das TO-252AA Gehäuse, auch DPAK genannt, ist ein Oberflächenmontage-Gehäuse, das sich durch seine kompakte Größe und gute Wärmeableitung auszeichnet. Es ist ideal für platzsparende Designs und die automatische Bestückung.
Was ist der Einschaltwiderstand (RDS(on)) und warum ist er wichtig?
Der Einschaltwiderstand gibt den Widerstand zwischen Drain und Source an, wenn der MOSFET vollständig eingeschaltet ist. Ein niedriger RDS(on)-Wert minimiert Leistungsverluste und Wärmeentwicklung, was zu einer höheren Effizienz und Langlebigkeit des Systems führt.
Für welche Arten von Anwendungen ist der IRFR48ZPBF besonders gut geeignet?
Der IRFR48ZPBF ist ideal für Hochleistungs-Schaltanwendungen, wie z.B. Schaltnetzteile, Motorsteuerungen, DC/DC-Wandler und Lastschalter, insbesondere dort, wo hohe Ströme und Effizienz gefordert sind.
Wie wirkt sich die hohe Strombelastbarkeit auf die Anwendungsflexibilität aus?
Die Fähigkeit, bis zu 42 Ampere Dauerstrom zu bewältigen, ermöglicht den Einsatz in einer Vielzahl von leistungsintensiven Anwendungen, ohne dass zusätzliche parallele Bauteile oder aufwendige Stromverteilungslösungen erforderlich sind.
Was bedeutet die Kennzeichnung „ZPBF“ bei diesem MOSFET?
Die Kennzeichnung „ZPBF“ deutet in der Regel auf die Verwendung von bleifreien Materialien (Pb-free) gemäß den RoHS-Richtlinien hin, was für umweltfreundliche Elektronikfertigung von Bedeutung ist.
Kann dieser MOSFET in Automotive-Anwendungen eingesetzt werden?
Ja, der IRFR48ZPBF ist aufgrund seiner Robustheit, Zuverlässigkeit und seines erweiterten Temperaturbereichs gut für anspruchsvolle Automotive-Anwendungen geeignet, sofern die spezifischen Automotive-Qualifikationsstandards erfüllt werden.
