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IRFR3607PBF - MOSFET N-Ch 75V 56A 0

IRFR3607PBF – MOSFET N-Ch 75V 56A 0,009R TO252AA

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Artikelnummer: 818769c2ea99 Kategorie: MOSFETs
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Beschreibung

Inhalt

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  • IRFR3607PBF: Der Schlüssel zu effizienter Leistung in Ihren elektronischen Schaltungen
    • Technische Brillanz im Detail
    • Anwendungsbereiche, die begeistern
    • Vorteile, die überzeugen
    • Technische Daten im Detail
    • Der IRFR3607PBF: Mehr als nur ein MOSFET
    • Häufig gestellte Fragen (FAQ)
      • 1. Was bedeutet die Abkürzung „PBF“ im Namen IRFR3607PBF?
      • 2. Kann ich den IRFR3607PBF auch für Anwendungen mit niedrigeren Spannungen verwenden?
      • 3. Wie kann ich den IRFR3607PBF am besten kühlen?
      • 4. Was passiert, wenn ich den maximalen Strom (Id) des IRFR3607PBF überschreite?
      • 5. Gibt es alternative MOSFETs zum IRFR3607PBF?
      • 6. Wo finde ich ein Datenblatt für den IRFR3607PBF?
      • 7. Ist der IRFR3607PBF ESD-empfindlich?

IRFR3607PBF: Der Schlüssel zu effizienter Leistung in Ihren elektronischen Schaltungen

Entdecken Sie den IRFR3607PBF, einen leistungsstarken N-Kanal MOSFET, der speziell für anspruchsvolle Anwendungen in der Leistungselektronik entwickelt wurde. Dieser robuste und zuverlässige Baustein bietet eine beeindruckende Kombination aus hoher Spannungsfestigkeit, geringem Einschaltwiderstand und schnellen Schaltgeschwindigkeiten, um Ihre Schaltungen auf ein neues Level der Effizienz zu heben. Ob Sie innovative Motorsteuerungen, effiziente Netzteile oder andere leistungskritische Anwendungen realisieren möchten, der IRFR3607PBF ist Ihr idealer Partner.

Technische Brillanz im Detail

Der IRFR3607PBF zeichnet sich durch seine herausragenden technischen Spezifikationen aus, die ihn zu einer erstklassigen Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen machen. Hier sind einige der wichtigsten Merkmale im Überblick:

  • Spannungsfestigkeit (Vds): 75V – Bietet ausreichend Spielraum für anspruchsvolle Anwendungen und schützt Ihre Schaltung vor Überspannungen.
  • Dauerstrom (Id): 56A – Ermöglicht die Ansteuerung von leistungsstarken Lasten ohne Überhitzung.
  • Einschaltwiderstand (Rds(on)): 0,009 Ohm (typisch) – Minimiert die Verlustleistung und erhöht die Effizienz Ihrer Schaltung erheblich.
  • Gehäuse: TO-252AA (DPAK) – Ermöglicht eine effiziente Wärmeableitung und einfache Montage.
  • Technologie: Advanced HEXFET® Power MOSFET – Garantiert eine hohe Zuverlässigkeit und Robustheit.

Diese beeindruckenden Spezifikationen machen den IRFR3607PBF zu einem unverzichtbaren Baustein für jeden, der Wert auf Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit legt.

Anwendungsbereiche, die begeistern

Die Vielseitigkeit des IRFR3607PBF eröffnet eine breite Palette an Anwendungsmöglichkeiten in verschiedenen Bereichen der Elektronik. Lassen Sie sich von den folgenden Beispielen inspirieren:

  • Motorsteuerungen: Realisieren Sie präzise und effiziente Motorsteuerungen für Elektrowerkzeuge, Robotik und andere Anwendungen, die eine zuverlässige Leistungsübertragung erfordern.
  • Netzteile: Entwickeln Sie hocheffiziente Schaltnetzteile für Computer, Server und andere elektronische Geräte, die eine stabile und zuverlässige Stromversorgung benötigen.
  • DC-DC-Wandler: Konvertieren Sie Spannungen mit minimalen Verlusten in mobilen Geräten, Solaranlagen und anderen Anwendungen, die eine flexible Spannungsanpassung erfordern.
  • Batteriemanagementsysteme (BMS): Schützen Sie Ihre Akkus vor Überladung, Tiefentladung und Kurzschlüssen und verlängern Sie so deren Lebensdauer.
  • LED-Beleuchtung: Steuern Sie LEDs präzise und effizient, um eine optimale Helligkeit und Farbgenauigkeit zu gewährleisten.

Der IRFR3607PBF ist mehr als nur ein Bauteil – er ist ein Schlüssel zur Innovation und eröffnet Ihnen neue Möglichkeiten, Ihre elektronischen Schaltungen zu optimieren und zu verbessern.

Vorteile, die überzeugen

Die Entscheidung für den IRFR3607PBF bringt zahlreiche Vorteile mit sich, die Ihre Entwicklungsprozesse beschleunigen und die Leistung Ihrer Produkte verbessern. Hier sind einige der wichtigsten Vorteile im Überblick:

  • Hohe Effizienz: Der geringe Einschaltwiderstand minimiert die Verlustleistung und sorgt für einen hohen Wirkungsgrad Ihrer Schaltung.
  • Hohe Zuverlässigkeit: Die robuste Bauweise und die hochwertige Technologie gewährleisten eine lange Lebensdauer und einen zuverlässigen Betrieb.
  • Einfache Integration: Das TO-252AA Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage und eine effiziente Wärmeableitung.
  • Vielseitigkeit: Der IRFR3607PBF eignet sich für eine breite Palette von Anwendungen und bietet Ihnen maximale Flexibilität.
  • Kosteneffizienz: Die Kombination aus Leistung und Preis macht den IRFR3607PBF zu einer wirtschaftlichen Lösung für Ihre Projekte.

Technische Daten im Detail

Um Ihnen einen umfassenden Überblick über die technischen Eigenschaften des IRFR3607PBF zu geben, haben wir die wichtigsten Daten in einer Tabelle zusammengefasst:

Parameter Wert Einheit
Drain-Source-Spannung (Vds) 75 V
Gate-Source-Spannung (Vgs) ±20 V
Dauerstrom (Id) bei Tc=25°C 56 A
Pulsstrom (Idm) 240 A
Verlustleistung (Pd) bei Tc=25°C 94 W
Einschaltwiderstand (Rds(on)) bei Vgs=10V 0.009 Ohm
Gate-Ladung (Qg) 37 nC
Anstiegszeit (tr) 13 ns
Fallzeit (tf) 14 ns
Gehäuse TO-252AA (DPAK)

Diese detaillierten Informationen helfen Ihnen bei der Auswahl des richtigen Bauteils für Ihre spezifischen Anforderungen.

Der IRFR3607PBF: Mehr als nur ein MOSFET

Der IRFR3607PBF ist mehr als nur ein elektronisches Bauteil. Er ist ein Werkzeug, das Ihnen hilft, Ihre Visionen zu verwirklichen. Er ist ein Partner, auf den Sie sich verlassen können. Und er ist ein Schlüssel zu innovativen und leistungsstarken elektronischen Schaltungen. Entdecken Sie die Möglichkeiten, die Ihnen der IRFR3607PBF bietet, und bringen Sie Ihre Projekte auf ein neues Level!

Häufig gestellte Fragen (FAQ)

1. Was bedeutet die Abkürzung „PBF“ im Namen IRFR3607PBF?

Die Abkürzung „PBF“ steht für „Pb-Free“, was bedeutet, dass das Bauteil bleifrei ist und den RoHS-Richtlinien entspricht. Dies ist wichtig für umweltfreundliche Anwendungen und die Einhaltung internationaler Standards.

2. Kann ich den IRFR3607PBF auch für Anwendungen mit niedrigeren Spannungen verwenden?

Ja, der IRFR3607PBF kann auch für Anwendungen mit niedrigeren Spannungen verwendet werden, solange die maximale Drain-Source-Spannung (Vds) von 75V nicht überschritten wird. Es ist wichtig, die Spezifikationen des Bauteils zu beachten und sicherzustellen, dass die Betriebsparameter innerhalb der zulässigen Grenzen liegen.

3. Wie kann ich den IRFR3607PBF am besten kühlen?

Um den IRFR3607PBF effektiv zu kühlen, empfiehlt es sich, einen Kühlkörper zu verwenden, der auf das TO-252AA Gehäuse abgestimmt ist. Die Größe des Kühlkörpers hängt von der Verlustleistung und der Umgebungstemperatur ab. Es ist wichtig, eine gute thermische Verbindung zwischen dem Bauteil und dem Kühlkörper herzustellen, z.B. durch die Verwendung von Wärmeleitpaste.

4. Was passiert, wenn ich den maximalen Strom (Id) des IRFR3607PBF überschreite?

Wenn der maximale Strom (Id) des IRFR3607PBF überschritten wird, kann dies zu einer Überhitzung des Bauteils und im schlimmsten Fall zu einer Beschädigung oder Zerstörung führen. Es ist daher wichtig, den Strom durch den MOSFET sorgfältig zu überwachen und sicherzustellen, dass er innerhalb der zulässigen Grenzen bleibt.

5. Gibt es alternative MOSFETs zum IRFR3607PBF?

Ja, es gibt alternative MOSFETs zum IRFR3607PBF, die ähnliche Spezifikationen aufweisen. Einige Beispiele sind der IRLB8721PBF oder der IRF3704. Die Wahl des richtigen MOSFETs hängt jedoch von den spezifischen Anforderungen der Anwendung ab. Es ist wichtig, die Datenblätter der verschiedenen Bauteile zu vergleichen und sicherzustellen, dass sie den Anforderungen entsprechen.

6. Wo finde ich ein Datenblatt für den IRFR3607PBF?

Ein Datenblatt für den IRFR3607PBF finden Sie in der Regel auf der Website des Herstellers International Rectifier (jetzt Infineon Technologies) oder auf verschiedenen Elektronik-Websites, die technische Datenblätter anbieten. Die Suche nach „IRFR3607PBF datasheet“ in einer Suchmaschine sollte schnell zum gewünschten Ergebnis führen.

7. Ist der IRFR3607PBF ESD-empfindlich?

Ja, wie die meisten MOSFETs ist auch der IRFR3607PBF ESD-empfindlich. Es ist daher wichtig, beim Umgang mit dem Bauteil ESD-Schutzmaßnahmen zu ergreifen, wie z.B. das Tragen eines Erdungsarmbandes und das Arbeiten auf einer ESD-geschützten Oberfläche.

Bewertungen: 4.7 / 5. 625

Zusätzliche Informationen
Marke

Infineon

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