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IRFR3504ZPBF - MOSFET N-Ch 40V 42A 0

IRFR3504ZPBF – MOSFET N-Ch 40V 42A 0,009R TO252AA

1,25 €

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Artikelnummer: 7d4c5feefad9 Kategorie: MOSFETs
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  • IRFR3504ZPBF – Der Schlüssel zu effizienter Leistung in Ihren Elektronikprojekten
  • Technische Highlights des IRFR3504ZPBF
    • Detaillierte Spezifikationen im Überblick
  • Die Vorteile des IRFR3504ZPBF im Detail
  • Anwendungsbeispiele, die inspirieren
  • Wichtige Hinweise zur Verwendung
  • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IRFR3504ZPBF
  • Fazit: Der IRFR3504ZPBF – Ihr Partner für effiziente Leistung

IRFR3504ZPBF – Der Schlüssel zu effizienter Leistung in Ihren Elektronikprojekten

Tauchen Sie ein in die Welt der Leistungselektronik mit dem IRFR3504ZPBF, einem N-Kanal MOSFET, der Ihre Projekte auf ein neues Level hebt. Dieser robuste und zuverlässige Baustein ist mehr als nur ein elektronisches Bauteil – er ist der Schlüssel zu effizienter Energieverwaltung und präziser Steuerung in einer Vielzahl von Anwendungen. Ob Sie ein erfahrener Ingenieur sind, der nach der optimalen Lösung für seine Designs sucht, oder ein ambitionierter Bastler, der seine ersten Schritte in der Welt der Leistungselektronik unternimmt, der IRFR3504ZPBF wird Sie mit seiner Performance und Vielseitigkeit begeistern.

Technische Highlights des IRFR3504ZPBF

Der IRFR3504ZPBF ist ein N-Kanal MOSFET, der speziell für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde, bei denen es auf Effizienz und Zuverlässigkeit ankommt. Hier sind die wichtigsten technischen Daten, die diesen MOSFET auszeichnen:

  • N-Kanal MOSFET: Ermöglicht schnelle Schaltvorgänge und hohe Effizienz.
  • Spannung (Vdss): 40V – Ideal für Anwendungen mit mittleren Spannungsanforderungen.
  • Strom (Id): 42A – Bietet ausreichend Leistung für eine Vielzahl von Lasten.
  • Einschaltwiderstand (Rds(on)): 0,009 Ohm – Minimiert Leistungsverluste und sorgt für einen kühlen Betrieb.
  • Gehäuse: TO252AA (DPAK) – Ermöglicht eine einfache Montage und effiziente Wärmeableitung.

Diese Spezifikationen machen den IRFR3504ZPBF zu einer ausgezeichneten Wahl für Anwendungen wie:

  • DC-DC Wandler
  • Motorsteuerungen
  • Lastschalter
  • Batteriemanagementsysteme
  • Leistungsverstärker

Detaillierte Spezifikationen im Überblick

Für einen schnellen Überblick über die wichtigsten technischen Daten haben wir Ihnen eine Tabelle zusammengestellt:

Parameter Wert Einheit
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) 42 A
Puls-Drain-Strom (Idm) 180 A
Gate-Source-Spannung (Vgs) ±20 V
Einschaltwiderstand (Rds(on)) bei Vgs = 10V 0.009 Ω
Gesamt-Gate-Ladung (Qg) 26 nC
Leistungsverlust (Pd) 68 W
Betriebstemperatur -55 bis +175 °C
Gehäuse TO252AA (DPAK)

Diese detaillierten Spezifikationen ermöglichen es Ihnen, den IRFR3504ZPBF präzise in Ihre Schaltungsdesigns zu integrieren und seine Leistung optimal zu nutzen.

Die Vorteile des IRFR3504ZPBF im Detail

Was macht den IRFR3504ZPBF so besonders und warum sollten Sie ihn für Ihre Projekte wählen? Hier sind die überzeugendsten Vorteile:

  • Hohe Effizienz: Der extrem niedrige Einschaltwiderstand (Rds(on)) minimiert Leistungsverluste und ermöglicht einen kühlen Betrieb, was die Lebensdauer des MOSFET und der umliegenden Komponenten verlängert.
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit: Der IRFR3504ZPBF schaltet schnell und effizient, was ihn ideal für Anwendungen macht, die hohe Frequenzen erfordern.
  • Robuste Bauweise: Das TO252AA (DPAK) Gehäuse bietet eine hervorragende Wärmeableitung und ermöglicht eine einfache Montage auf Kühlkörpern, um eine optimale Betriebstemperatur zu gewährleisten.
  • Zuverlässigkeit: Der IRFR3504ZPBF ist ein zuverlässiger Baustein, der auch unter anspruchsvollen Bedingungen eine stabile Leistung liefert.
  • Vielseitigkeit: Dank seiner optimalen Spezifikationen ist der IRFR3504ZPBF für eine breite Palette von Anwendungen geeignet.

Stellen Sie sich vor, wie Sie mit dem IRFR3504ZPBF Ihre eigenen DC-DC Wandler bauen, die effizienter und zuverlässiger sind als je zuvor. Oder wie Sie Ihre Motorsteuerungen optimieren, um eine präzisere und reaktionsschnellere Leistung zu erzielen. Mit dem IRFR3504ZPBF sind Ihrer Kreativität keine Grenzen gesetzt.

Anwendungsbeispiele, die inspirieren

Der IRFR3504ZPBF ist ein echter Allrounder und findet in den unterschiedlichsten Bereichen Anwendung. Lassen Sie sich von diesen Beispielen inspirieren:

  • DC-DC Wandler für erneuerbare Energien: Nutzen Sie den IRFR3504ZPBF, um effiziente DC-DC Wandler für Solaranlagen oder Windkraftanlagen zu entwickeln und die gewonnene Energie optimal zu nutzen.
  • Motorsteuerungen für Robotik: Steuern Sie die Motoren Ihrer Roboter präzise und zuverlässig mit dem IRFR3504ZPBF und realisieren Sie komplexe Bewegungsabläufe.
  • Batteriemanagementsysteme für Elektrofahrzeuge: Sorgen Sie für eine effiziente und sichere Batterieverwaltung in Elektrofahrzeugen mit dem IRFR3504ZPBF und maximieren Sie die Reichweite.
  • LED-Beleuchtungssysteme: Steuern Sie LED-Beleuchtungssysteme präzise und dimmen Sie das Licht sanft und flackerfrei mit dem IRFR3504ZPBF.
  • Audioverstärker: Nutzen Sie den IRFR3504ZPBF in Audioverstärkern, um eine hohe Klangqualität und einen klaren Sound zu erzielen.

Diese Beispiele zeigen nur einen kleinen Ausschnitt der unzähligen Möglichkeiten, die der IRFR3504ZPBF bietet. Mit diesem MOSFET können Sie Ihre eigenen innovativen Projekte realisieren und die Zukunft der Elektronik mitgestalten.

Wichtige Hinweise zur Verwendung

Um das Beste aus dem IRFR3504ZPBF herauszuholen und einen sicheren Betrieb zu gewährleisten, beachten Sie bitte folgende Hinweise:

  • Korrekte Kühlung: Stellen Sie sicher, dass der IRFR3504ZPBF ausreichend gekühlt wird, um eine Überhitzung zu vermeiden. Verwenden Sie Kühlkörper oder andere geeignete Kühlmethoden, um die Betriebstemperatur im zulässigen Bereich zu halten.
  • Gate-Ansteuerung: Verwenden Sie einen geeigneten Gate-Treiber, um den IRFR3504ZPBF schnell und effizient zu schalten. Achten Sie auf die korrekte Ansteuerung der Gate-Source-Spannung (Vgs), um Schäden am MOSFET zu vermeiden.
  • ESD-Schutz: Behandeln Sie den IRFR3504ZPBF vorsichtig und vermeiden Sie elektrostatische Entladungen (ESD), die den MOSFET beschädigen können. Verwenden Sie ESD-Schutzmaßnahmen wie Erdungsarmbänder und antistatische Arbeitsflächen.
  • Spannungs- und Stromgrenzen: Achten Sie darauf, dass die maximal zulässigen Spannungs- und Stromgrenzen des IRFR3504ZPBF nicht überschritten werden, um Schäden am MOSFET und der umliegenden Schaltung zu vermeiden.

Wenn Sie diese Hinweise beachten, können Sie den IRFR3504ZPBF sicher und zuverlässig in Ihren Projekten einsetzen und seine volle Leistung entfalten.

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IRFR3504ZPBF

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum IRFR3504ZPBF:

  1. Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?

    Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, bei dem der Stromfluss zwischen Source und Drain durch ein elektrisches Feld gesteuert wird, das an das Gate angelegt wird. „N-Kanal“ bezieht sich auf das Dotierungsmaterial im Kanal des Transistors, das hauptsächlich aus Elektronen besteht. Diese Bauweise ermöglicht schnelle Schaltgeschwindigkeiten und hohe Effizienz.

  2. Wie finde ich den passenden Kühlkörper für den IRFR3504ZPBF?

    Die Wahl des richtigen Kühlkörpers hängt von der Verlustleistung (Pd) des IRFR3504ZPBF und der Umgebungstemperatur ab. Berechnen Sie die benötigte Kühlkörpergröße anhand der thermischen Widerstände und der maximal zulässigen Chiptemperatur. Im Datenblatt des IRFR3504ZPBF finden Sie detaillierte Informationen zu den thermischen Eigenschaften.

  3. Kann ich den IRFR3504ZPBF auch für PWM-Anwendungen verwenden?

    Ja, der IRFR3504ZPBF ist sehr gut für PWM (Pulsweitenmodulation) Anwendungen geeignet, da er schnelle Schaltgeschwindigkeiten besitzt. Achten Sie jedoch darauf, dass die Schaltverluste bei hohen Frequenzen berücksichtigt werden und eine ausreichende Kühlung gewährleistet ist.

  4. Welche alternativen MOSFETs gibt es zum IRFR3504ZPBF?

    Es gibt verschiedene alternative MOSFETs, die ähnliche Spezifikationen wie der IRFR3504ZPBF aufweisen. Beispiele hierfür sind der IRLB8721, der IRLZ44N oder der FQP30N06L. Vergleichen Sie die Datenblätter, um den optimalen MOSFET für Ihre spezifische Anwendung zu finden.

  5. Wie schütze ich den IRFR3504ZPBF vor Überspannung?

    Um den IRFR3504ZPBF vor Überspannung zu schützen, können Sie TVS-Dioden (Transient Voltage Suppressor) parallel zum Drain-Source-Anschluss schalten. Diese Dioden leiten Überspannungen ab und verhindern, dass der MOSFET beschädigt wird.

  6. Wo finde ich ein Datenblatt für den IRFR3504ZPBF?

    Ein Datenblatt für den IRFR3504ZPBF finden Sie auf der Webseite des Herstellers (Infineon Technologies) oder auf verschiedenen Elektronik-Webseiten, die technische Datenblätter anbieten. Geben Sie einfach „IRFR3504ZPBF datasheet“ in eine Suchmaschine ein.

  7. Was bedeutet PbF in der Produktbezeichnung IRFR3504ZPBF?

    PbF steht für „Lead-Free“, was bedeutet, dass der IRFR3504ZPBF bleifrei ist und den RoHS-Richtlinien (Restriction of Hazardous Substances) entspricht. Dies ist wichtig für umweltfreundliche Elektronikprodukte.

Wir hoffen, dass diese FAQ Ihre Fragen beantwortet haben. Wenn Sie weitere Fragen haben, zögern Sie nicht, uns zu kontaktieren.

Fazit: Der IRFR3504ZPBF – Ihr Partner für effiziente Leistung

Der IRFR3504ZPBF ist ein leistungsstarker und vielseitiger N-Kanal MOSFET, der sich ideal für eine breite Palette von Anwendungen eignet. Seine hohe Effizienz, schnelle Schaltgeschwindigkeit und robuste Bauweise machen ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für anspruchsvolle Projekte. Egal, ob Sie ein erfahrener Ingenieur oder ein ambitionierter Bastler sind, der IRFR3504ZPBF wird Sie mit seiner Performance und Zuverlässigkeit begeistern. Investieren Sie in den IRFR3504ZPBF und erleben Sie, wie er Ihre Elektronikprojekte auf ein neues Level hebt. Bestellen Sie jetzt und starten Sie noch heute mit Ihren innovativen Projekten!

Bewertungen: 4.7 / 5. 498

Zusätzliche Informationen
Marke

Infineon

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