IRFR 9120N – Der P-Kanal MOSFET für Ihre anspruchsvollen Projekte
Entdecken Sie den IRFR 9120N, einen leistungsstarken P-Kanal MOSFET, der mit seinen herausragenden Eigenschaften und seiner Zuverlässigkeit neue Maßstäbe setzt. Dieser MOSFET ist die ideale Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen, bei denen es auf effizientes Schalten und eine robuste Performance ankommt. Ob in der Leistungselektronik, in Motorsteuerungen oder in der Batterieverwaltung – der IRFR 9120N überzeugt durch seine Vielseitigkeit und seine Fähigkeit, auch unter anspruchsvollen Bedingungen Höchstleistungen zu erbringen.
Lassen Sie sich von der Leistungsfähigkeit des IRFR 9120N inspirieren und realisieren Sie innovative Lösungen, die Ihre Erwartungen übertreffen. Dieser MOSFET ist mehr als nur ein Bauteil – er ist der Schlüssel zu einer neuen Dimension der elektronischen Schaltungstechnik.
Technische Daten im Überblick
Der IRFR 9120N zeichnet sich durch folgende technische Spezifikationen aus:
- Kanaltyp: P-Kanal
- Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): -100V
- Maximaler kontinuierlicher Drain-Strom (Id): -6,6A
- Verlustleistung (Pd): 40W
- Gehäuseform: D-PAK (TO-252)
- RDS(on) (bei Vgs=-10V): 0.4 Ohm
- Gate Charge (Qg): 13 nC
Diese beeindruckenden Werte ermöglichen den Einsatz des IRFR 9120N in einer breiten Palette von Anwendungen, die eine hohe Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit erfordern.
Anwendungsbereiche des IRFR 9120N
Die Vielseitigkeit des IRFR 9120N macht ihn zum idealen Bauteil für zahlreiche Anwendungen:
- Leistungselektronik: Effiziente Schaltung in Netzteilen, DC-DC-Wandlern und Invertern.
- Motorsteuerungen: Präzise Steuerung von Motoren in verschiedenen Anwendungen.
- Batterieverwaltungssysteme (BMS): Zuverlässige Überwachung und Steuerung von Batterielade- und Entladeprozessen.
- Beleuchtungssysteme: Steuerung von LED-Beleuchtungen und anderen Lichtquellen.
- Audio-Verstärker: Einsatz in Verstärkern für eine klare und verzerrungsfreie Klangwiedergabe.
Der IRFR 9120N bietet Ihnen die Flexibilität, Ihre Ideen in die Realität umzusetzen und innovative Lösungen zu entwickeln.
Die Vorteile des IRFR 9120N im Detail
Der IRFR 9120N bietet eine Vielzahl von Vorteilen, die ihn von anderen MOSFETs abheben:
- Hohe Spannungsfestigkeit: Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von -100V bietet der IRFR 9120N einen großen Spielraum für anspruchsvolle Anwendungen.
- Geringer Einschaltwiderstand (RDS(on)): Der niedrige RDS(on) von 0.4 Ohm minimiert die Verluste und erhöht die Effizienz Ihrer Schaltungen.
- Effiziente Wärmeableitung: Das D-PAK Gehäuse ermöglicht eine effektive Wärmeableitung und sorgt für eine stabile Performance auch bei hohen Temperaturen.
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit: Der IRFR 9120N ermöglicht schnelle Schaltvorgänge und somit eine präzise Steuerung Ihrer Anwendungen.
- Hohe Zuverlässigkeit: Der IRFR 9120N ist ein robustes und zuverlässiges Bauteil, das auch unter anspruchsvollen Bedingungen eine lange Lebensdauer bietet.
Mit dem IRFR 9120N setzen Sie auf Qualität und Zuverlässigkeit, die sich in Ihren Projekten auszahlen werden.
Das D-PAK Gehäuse: Kompakt und leistungsstark
Das D-PAK (TO-252) Gehäuse des IRFR 9120N vereint Kompaktheit und Leistungsfähigkeit auf ideale Weise. Es ermöglicht eine einfache Montage und eine effiziente Wärmeableitung, was zu einer stabilen und zuverlässigen Performance des MOSFETs beiträgt. Die geringe Baugröße des D-PAK Gehäuses ermöglicht zudem den Einsatz des IRFR 9120N in platzkritischen Anwendungen.
Warum der IRFR 9120N die richtige Wahl für Sie ist
Wenn Sie auf der Suche nach einem leistungsstarken und zuverlässigen P-Kanal MOSFET sind, der Ihnen die Flexibilität gibt, Ihre Ideen in die Realität umzusetzen, dann ist der IRFR 9120N die richtige Wahl für Sie. Mit seinen herausragenden Eigenschaften und seiner Vielseitigkeit ist er der ideale Baustein für innovative Lösungen in den Bereichen Leistungselektronik, Motorsteuerungen, Batterieverwaltung und vielem mehr.
Investieren Sie in Qualität und Performance – investieren Sie in den IRFR 9120N.
Technische Daten im Detail
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Drain-Source-Spannung (Vds) | -100 | V |
| Gate-Source-Spannung (Vgs) | ±20 | V |
| Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) | -6.6 | A |
| Puls-Drain-Strom (Idm) | -26 | A |
| Verlustleistung (Pd) bei Ta=25°C | 40 | W |
| Betriebs- und Lagertemperatur | -55 bis +175 | °C |
| RDS(on) bei Vgs=-10V, Id=-3.3A | 0.4 | Ohm |
| Gate Charge (Qg) bei Vgs=-10V, Id=-6.6A | 13 | nC |
| Eingangskapazität (Ciss) | 580 | pF |
| Ausgangskapazität (Coss) | 100 | pF |
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IRFR 9120N
Was bedeutet die Bezeichnung „P-Kanal“ bei einem MOSFET?
Ein P-Kanal MOSFET leitet Strom, wenn die Gate-Source-Spannung (Vgs) negativer als die Schwellenspannung ist. Im Gegensatz dazu leitet ein N-Kanal MOSFET, wenn die Vgs positiver als die Schwellenspannung ist. P-Kanal MOSFETs werden oft in High-Side-Schaltungen verwendet, wo die Last an die positive Versorgungsspannung angeschlossen ist.
Wie berechne ich die Verlustleistung im IRFR 9120N?
Die Verlustleistung (Pd) im IRFR 9120N kann mit der Formel Pd = Id² * RDS(on) berechnet werden. Dabei ist Id der Drain-Strom und RDS(on) der Einschaltwiderstand. Es ist wichtig, die Verlustleistung zu berücksichtigen, um sicherzustellen, dass der MOSFET nicht überhitzt und beschädigt wird.
Kann ich den IRFR 9120N auch bei höheren Temperaturen einsetzen?
Der IRFR 9120N ist für einen Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C ausgelegt. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass die Leistungsparameter des MOSFETs bei höheren Temperaturen abnehmen können. Achten Sie daher auf eine ausreichende Kühlung, um eine optimale Performance zu gewährleisten.
Was ist der Unterschied zwischen dem D-PAK und anderen Gehäuseformen?
Das D-PAK (TO-252) Gehäuse ist eine oberflächenmontierbare Bauform, die eine gute Wärmeableitung und eine kompakte Bauweise ermöglicht. Im Vergleich zu anderen Gehäuseformen wie TO-220 ist das D-PAK kleiner und leichter, was es ideal für platzkritische Anwendungen macht.
Wie schütze ich den IRFR 9120N vor Überspannung?
Um den IRFR 9120N vor Überspannung zu schützen, können Sie eine TVS-Diode (Transient Voltage Suppression) parallel zum Drain-Source-Anschluss schalten. Diese Diode leitet Überspannungen ab und verhindert so eine Beschädigung des MOSFETs.
Welche Alternativen gibt es zum IRFR 9120N?
Abhängig von Ihren spezifischen Anforderungen gibt es verschiedene Alternativen zum IRFR 9120N. Einige Beispiele sind der IRF9Z24N, der IRF4905 oder der IRLML6401. Es ist wichtig, die technischen Daten der Alternativen sorgfältig zu prüfen, um sicherzustellen, dass sie Ihren Anforderungen entsprechen.
Wie wähle ich den richtigen Kühlkörper für den IRFR 9120N aus?
Die Wahl des richtigen Kühlkörpers hängt von der Verlustleistung (Pd) und der Umgebungstemperatur ab. Berechnen Sie die benötigte Kühlkörperleistung, um die maximale Betriebstemperatur des MOSFETs innerhalb der Spezifikationen zu halten. Achten Sie auf einen guten thermischen Kontakt zwischen dem MOSFET und dem Kühlkörper, um eine effektive Wärmeableitung zu gewährleisten.
Wo finde ich detaillierte Datenblätter und Anwendungsbeispiele für den IRFR 9120N?
Detaillierte Datenblätter und Anwendungsbeispiele für den IRFR 9120N finden Sie auf der Website des Herstellers (z.B. Infineon oder Vishay) sowie auf verschiedenen Elektronik-Websites und in Foren. Diese Ressourcen bieten Ihnen wertvolle Informationen und helfen Ihnen bei der optimalen Nutzung des MOSFETs.
