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IRFP7530PBF - MOSFET N-Ch 60V 195A 341W 0

IRFP7530PBF – MOSFET N-Ch 60V 195A 341W 0,002R TO247AC

2,75 €

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Artikelnummer: 1953b6ea36c6 Kategorie: MOSFETs
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Beschreibung

Inhalt

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  • IRFP7530PBF: Der ultimative N-Kanal MOSFET für Ihre anspruchsvollsten Projekte
    • Leistungsmerkmale, die begeistern
    • Anwendungsbereiche, die inspirieren
    • Technische Details im Überblick
    • Warum der IRFP7530PBF Ihre erste Wahl sein sollte
    • Bestellen Sie Ihren IRFP7530PBF noch heute und erleben Sie den Unterschied!
    • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IRFP7530PBF
      • 1. Was bedeutet die Bezeichnung „PBF“ im Namen IRFP7530PBF?
      • 2. Kann ich den IRFP7530PBF auch in Audio-Verstärkern verwenden?
      • 3. Wie kühle ich den IRFP7530PBF richtig, um seine maximale Leistung zu erreichen?
      • 4. Gibt es eine empfohlene Gate-Ansteuerung für den IRFP7530PBF?
      • 5. Wo finde ich ein Datenblatt für den IRFP7530PBF?
      • 6. Ist der IRFP7530PBF empfindlich gegenüber statischer Elektrizität (ESD)?
      • 7. Kann ich den IRFP7530PBF parallel schalten, um noch höhere Ströme zu erreichen?

IRFP7530PBF: Der ultimative N-Kanal MOSFET für Ihre anspruchsvollsten Projekte

Sind Sie auf der Suche nach einem Leistungstransistor, der selbst unter extremsten Bedingungen zuverlässig performt? Der IRFP7530PBF ist mehr als nur ein MOSFET – er ist das Herzstück Ihrer innovativsten Schaltungen, der Garant für höchste Effizienz und unerschütterliche Stabilität. Tauchen Sie ein in die Welt der kompromisslosen Leistung und entdecken Sie, was der IRFP7530PBF für Ihre Projekte bedeuten kann.

Leistungsmerkmale, die begeistern

Der IRFP7530PBF ist ein N-Kanal MOSFET, der speziell für Anwendungen entwickelt wurde, die eine hohe Stromtragfähigkeit und geringe Schaltverluste erfordern. Seine beeindruckenden technischen Daten sprechen für sich:

  • Spannungsfestigkeit (Vds): 60V – Bietet Spielraum für anspruchsvolle Anwendungen und schützt vor Überspannungen.
  • Dauerstrom (Id): 195A – Ermöglicht den Betrieb bei hohen Lasten ohne Leistungseinbußen.
  • Verlustleistung (Pd): 341W – Zeigt die Fähigkeit, große Wärmemengen effizient abzuleiten, was die Zuverlässigkeit erhöht.
  • Einschaltwiderstand (Rds(on)): 0,002 Ohm – Minimiert die Verluste und steigert die Effizienz Ihrer Schaltungen erheblich.
  • Gehäuse: TO247AC – Bietet eine hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage.

Diese Kombination aus hoher Leistung und geringem Widerstand macht den IRFP7530PBF zur idealen Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen, bei denen Effizienz und Zuverlässigkeit entscheidend sind.

Anwendungsbereiche, die inspirieren

Der IRFP7530PBF ist ein wahrer Allrounder und findet in zahlreichen Bereichen Anwendung, in denen es auf kompromisslose Leistung ankommt:

  • Schaltnetzteile (SMPS): Erzielen Sie höchste Effizienz in Ihren Stromversorgungen und minimieren Sie Energieverluste.
  • Motorsteuerungen: Steuern Sie leistungsstarke Motoren präzise und zuverlässig.
  • DC-DC Wandler: Konvertieren Sie Spannungen effizient und stabil, auch unter hohen Lasten.
  • Wechselrichter: Wandeln Sie Gleichstrom in Wechselstrom mit minimalen Verlusten um.
  • Industrielle Automatisierung: Steuern Sie komplexe Prozesse präzise und zuverlässig.
  • Erneuerbare Energien: Optimieren Sie die Leistung von Solarwechselrichtern und Windturbinen.

Der IRFP7530PBF ist nicht nur ein Bauteil, sondern ein Schlüssel zur Optimierung Ihrer Anwendungen und zur Erschließung neuer Möglichkeiten.

Technische Details im Überblick

Für den anspruchsvollen Anwender, der jedes Detail verstehen möchte, bieten wir hier eine detaillierte Übersicht der technischen Spezifikationen:

Parameter Wert Einheit
Vds (Drain-Source Spannung) 60 V
Id (Drain Strom, kontinuierlich) 195 A
Idm (Drain Strom, gepulst) 780 A
Vgs (Gate-Source Spannung) ±20 V
Rds(on) (Drain-Source Widerstand) 0.002 Ohm
Pd (Verlustleistung) 341 W
Qg (Gate Ladung) 180 nC
Rise Time 45 ns
Fall Time 40 ns
Operating Temperature -55 to +175 °C
Gehäuse TO-247AC

Diese detaillierten Informationen ermöglichen es Ihnen, den IRFP7530PBF optimal in Ihre Schaltungen zu integrieren und das volle Potenzial dieses leistungsstarken MOSFETs auszuschöpfen.

Warum der IRFP7530PBF Ihre erste Wahl sein sollte

In einer Welt, in der Leistung und Effizienz entscheidend sind, setzt der IRFP7530PBF neue Maßstäbe. Er bietet nicht nur herausragende technische Daten, sondern auch die Gewissheit, dass Ihre Projekte auf einer soliden Basis stehen.

  • Unübertroffene Leistung: Der IRFP7530PBF bietet die Leistung, die Sie für Ihre anspruchsvollsten Anwendungen benötigen.
  • Höchste Effizienz: Minimieren Sie Verluste und maximieren Sie die Energieeffizienz Ihrer Schaltungen.
  • Zuverlässigkeit: Vertrauen Sie auf die Robustheit und Langlebigkeit dieses MOSFETs, auch unter extremen Bedingungen.
  • Vielseitigkeit: Nutzen Sie den IRFP7530PBF in einer Vielzahl von Anwendungen und profitieren Sie von seiner Flexibilität.
  • Einfache Integration: Das TO247AC-Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage und optimale Wärmeableitung.

Der IRFP7530PBF ist mehr als nur ein Bauteil – er ist eine Investition in die Zukunft Ihrer Projekte.

Bestellen Sie Ihren IRFP7530PBF noch heute und erleben Sie den Unterschied!

Warten Sie nicht länger und profitieren Sie von den herausragenden Eigenschaften des IRFP7530PBF. Bestellen Sie noch heute und erleben Sie, wie dieser MOSFET Ihre Projekte auf ein neues Level hebt. Wir sind davon überzeugt, dass Sie von der Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit des IRFP7530PBF begeistert sein werden.

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IRFP7530PBF

Wir verstehen, dass Sie möglicherweise Fragen zum IRFP7530PBF haben. Hier finden Sie Antworten auf einige der häufigsten Fragen:

1. Was bedeutet die Bezeichnung „PBF“ im Namen IRFP7530PBF?

Die Bezeichnung „PBF“ steht für „Pb-Free“ und bedeutet, dass der IRFP7530PBF bleifrei ist und den RoHS-Richtlinien entspricht. Dies ist wichtig für Umweltfreundlichkeit und die Einhaltung internationaler Standards.

2. Kann ich den IRFP7530PBF auch in Audio-Verstärkern verwenden?

Obwohl der IRFP7530PBF primär für Schaltanwendungen entwickelt wurde, kann er auch in Audio-Verstärkern eingesetzt werden, insbesondere in Class-D-Verstärkern, wo seine hohe Schaltgeschwindigkeit und geringen Verluste von Vorteil sind. Es ist jedoch wichtig, die spezifischen Anforderungen des Verstärkers zu berücksichtigen.

3. Wie kühle ich den IRFP7530PBF richtig, um seine maximale Leistung zu erreichen?

Um die maximale Leistung des IRFP7530PBF zu erreichen, ist eine effektive Kühlung unerlässlich. Verwenden Sie einen passenden Kühlkörper und Wärmeleitpaste, um eine gute Wärmeübertragung zu gewährleisten. Die Größe des Kühlkörpers hängt von der Verlustleistung und der Umgebungstemperatur ab. Berechnen Sie die benötigte Kühlleistung sorgfältig, um Überhitzung zu vermeiden.

4. Gibt es eine empfohlene Gate-Ansteuerung für den IRFP7530PBF?

Ja, eine geeignete Gate-Ansteuerung ist entscheidend für die optimale Leistung des IRFP7530PBF. Verwenden Sie einen Gate-Treiber, der die benötigte Gate-Ladung schnell liefern kann, um Schaltverluste zu minimieren. Ein Gate-Vorwiderstand kann verwendet werden, um Schwingungen zu reduzieren und die Schaltgeschwindigkeit zu steuern.

5. Wo finde ich ein Datenblatt für den IRFP7530PBF?

Ein detailliertes Datenblatt für den IRFP7530PBF finden Sie auf der Webseite des Herstellers (z.B. Infineon) oder auf verschiedenen Elektronik-Webseiten. Das Datenblatt enthält alle wichtigen technischen Spezifikationen, Diagramme und Anwendungsrichtlinien.

6. Ist der IRFP7530PBF empfindlich gegenüber statischer Elektrizität (ESD)?

Ja, wie alle MOSFETs ist auch der IRFP7530PBF empfindlich gegenüber statischer Elektrizität. Beachten Sie die üblichen ESD-Schutzmaßnahmen beim Umgang mit dem Bauteil, wie z.B. das Tragen eines Erdungsarmbands und die Verwendung von ESD-sicheren Arbeitsflächen.

7. Kann ich den IRFP7530PBF parallel schalten, um noch höhere Ströme zu erreichen?

Ja, es ist möglich, mehrere IRFP7530PBF parallel zu schalten, um höhere Ströme zu bewältigen. Achten Sie jedoch darauf, dass die MOSFETs gut aufgeteilt sind und gleiche Gate-Ansteuerungen haben, um Stromungleichverteilung und thermisches Durchgehen zu vermeiden. Ein kleiner Gate-Widerstand für jeden MOSFET kann die Stabilität verbessern.

Bewertungen: 4.9 / 5. 412

Zusätzliche Informationen
Marke

Infineon

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