IRFP 250N – MOSFET, N-Kanal, 200 V, 30 A, RDS(on) 0.075 R, TO-247AC

IRFP250NPbFHEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibungen:HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-247-Gehäuse wird bevorzugt für kommerziell-industrielle Anwendungen verwendet, bei denen höhere Leistungen den Einsatz von TO-220-Bauteilen ausschließen. Das TO-247-Gehäuse ist dem früheren TO-218-Gehäuse ähnlich, aber aufgrund seiner isolierten Montagebohrung überlegen.Merkmale:• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Dynamischer dv/dt-Wert• 175°C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Vollständige Avalanche-Bewertung• Einfaches Parallelisieren• Einfache Antriebsanforderungen• TO-247AC• Bleifrei