IRFI540NPbF , HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibungHEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Power-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220 Full Pak macht zusätzliche isolierende Hardware in kommerziell-industriellen Anwendungen überflüssig. Die verwendete Vergussmasse sorgt für eine hohe Isolationsfähigkeit und einen geringen thermischen Widerstand zwischen dem Tab und dem externen Kühlkörper. Diese Isolierung entspricht der Verwendung einer 100-Mikron-Glimmer-Barriere bei Standard-TO-220-Produkten. Das Fullpak wird mit einem einzelnen Clip oder einer einzelnen Schraubbefestigung auf einem Kühlkörper montiert.Zielanwendungen• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Isoliertes Gehäuse• Hochspannungsisolation = 2,5KVRMS• Kriechstrecke zwischen Kühlkörper und Leiterplatte = 4,8 mm• Vollständig Avalanche-geeignet• Bleifrei
IRFI 540N – MOSFET, N-CH, 100 V, 20 A, RDS(on) 0,052 Ohm, TO-220-Fullpak
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