Der IRFHS 8342TR MOSFET: Leistung und Effizienz im kompakten Format
Entdecken Sie den IRFHS 8342TR, einen hochmodernen N-Kanal MOSFET, der speziell für anspruchsvolle Anwendungen in der Leistungselektronik entwickelt wurde. Dieser kleine, aber leistungsstarke Baustein vereint hohe Effizienz, schnelle Schaltzeiten und eine hervorragende thermische Performance in einem kompakten PQFN-6 Gehäuse. Wenn Sie auf der Suche nach einer zuverlässigen und platzsparenden Lösung für Ihre Schaltanwendungen sind, ist der IRFHS 8342TR die ideale Wahl.
Technische Daten im Überblick
Der IRFHS 8342TR überzeugt mit seinen beeindruckenden technischen Daten, die ihn zu einem vielseitigen Baustein für eine Vielzahl von Anwendungen machen. Hier die wichtigsten Spezifikationen:
- Typ: N-Kanal MOSFET
- Gehäuse: PQFN-6
- Drain-Source-Spannung (Vds): 30 V
- Dauerstrom (Id): 19 A
- Verlustleistung (Pd): 2,1 W
Diese Werte verdeutlichen, dass der IRFHS 8342TR trotz seiner geringen Größe eine beachtliche Leistung erbringt. Die niedrige Durchlassspannung (Rds(on)) sorgt für geringe Verluste und trägt somit zur Effizienz des Gesamtsystems bei.
Anwendungsbereiche: Vielseitigkeit in der Praxis
Der IRFHS 8342TR findet in einer Vielzahl von Anwendungen Verwendung, in denen Effizienz, Zuverlässigkeit und geringe Abmessungen entscheidend sind. Hier einige Beispiele:
- DC-DC Wandler: In portablen Geräten, Servern und Telekommunikationsanlagen sorgt der IRFHS 8342TR für eine effiziente Energieumwandlung.
- Lastschalter: Durch seine schnellen Schaltzeiten eignet er sich hervorragend für den Einsatz in Lastschaltern zum Schutz empfindlicher elektronischer Komponenten.
- Motorsteuerung: In kleinen Elektromotoren, beispielsweise in Drohnen oder Robotern, ermöglicht er eine präzise und effiziente Steuerung.
- Batteriemanagementsysteme (BMS): In Akku-betriebenen Geräten sorgt er für eine sichere und effiziente Lade- und Entladeregulierung.
Die Vielseitigkeit des IRFHS 8342TR macht ihn zu einem unverzichtbaren Baustein für Entwickler und Ingenieure, die innovative und effiziente Lösungen suchen.
Die Vorteile des PQFN-6 Gehäuses
Das PQFN-6 (Power Quad Flat No-Lead) Gehäuse bietet eine Reihe von Vorteilen gegenüber herkömmlichen Gehäuseformen:
- Kompakte Bauform: Das PQFN-6 Gehäuse ermöglicht eine hohe Packungsdichte auf der Leiterplatte, was besonders in portablen Geräten von Vorteil ist.
- Verbesserte thermische Performance: Die direkte Anbindung des MOSFET-Chips an die Leiterplatte sorgt für eine effiziente Wärmeableitung.
- Geringe Induktivität: Die kurze Verbindung zwischen Chip und Leiterplatte minimiert die Induktivität, was zu schnelleren Schaltzeiten führt.
- Hohe Zuverlässigkeit: Das PQFN-6 Gehäuse ist robust und widerstandsfähig gegenüber Umwelteinflüssen.
Durch die Kombination aus kompakter Bauform und hervorragender thermischer Performance ist das PQFN-6 Gehäuse ideal für Anwendungen, in denen Platz und Effizienz eine entscheidende Rolle spielen.
Warum der IRFHS 8342TR die richtige Wahl ist
Der IRFHS 8342TR ist mehr als nur ein MOSFET – er ist eine Investition in die Zukunft Ihrer Elektronikprojekte. Erleben Sie die Kombination aus Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit, die diesen Baustein auszeichnet. Hier sind einige Gründe, warum Sie sich für den IRFHS 8342TR entscheiden sollten:
- Hohe Effizienz: Minimieren Sie Verluste und maximieren Sie die Leistung Ihrer Schaltungen.
- Kompakte Bauform: Sparen Sie Platz auf der Leiterplatte und ermöglichen Sie innovative Designs.
- Schnelle Schaltzeiten: Optimieren Sie die Performance Ihrer Anwendungen durch schnelle und präzise Schaltvorgänge.
- Zuverlässigkeit: Verlassen Sie sich auf einen robusten und langlebigen Baustein.
Der IRFHS 8342TR ist die perfekte Wahl für Entwickler und Ingenieure, die innovative und effiziente Lösungen suchen. Er ist ein Schlüsselbaustein für eine Vielzahl von Anwendungen und ermöglicht es Ihnen, Ihre Elektronikprojekte auf ein neues Level zu heben.
Optimieren Sie Ihre Projekte mit dem IRFHS 8342TR
Stellen Sie sich vor, Sie entwickeln ein neues, bahnbrechendes Gerät. Jede Komponente muss perfekt sein, um die bestmögliche Leistung zu erzielen. Hier kommt der IRFHS 8342TR ins Spiel. Er bietet die Leistung und Effizienz, die Sie benötigen, um Ihre Visionen zu verwirklichen. Egal, ob Sie einen energieeffizienten DC-DC Wandler, einen präzisen Motorcontroller oder ein intelligentes Batteriemanagementsystem entwickeln – der IRFHS 8342TR ist die ideale Wahl.
Dieser MOSFET ist nicht nur ein Bauteil, sondern ein Partner in Ihrem Entwicklungsprozess. Er unterstützt Sie dabei, Ihre Ziele zu erreichen und innovative Produkte zu schaffen, die die Welt verändern können. Nutzen Sie die Vorteile des IRFHS 8342TR und erleben Sie, wie er Ihre Elektronikprojekte optimiert.
Technische Daten im Detail
Um Ihnen einen noch detaillierteren Einblick in die technischen Fähigkeiten des IRFHS 8342TR zu geben, finden Sie hier eine Tabelle mit den wichtigsten Parametern:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Drain-Source-Spannung (Vds) | 30 | V |
| Gate-Source-Spannung (Vgs) | ±20 | V |
| Dauerstrom (Id) | 19 | A |
| Pulsstrom (Idm) | 80 | A |
| Verlustleistung (Pd) | 2,1 | W |
| Durchlasswiderstand (Rds(on) @ Vgs=10V) | 0,0075 | Ω |
| Gate-Ladung (Qg) | 12 | nC |
| Schaltzeit (td(on)) | 6 | ns |
| Schaltzeit (td(off)) | 25 | ns |
Diese detaillierten Spezifikationen ermöglichen es Ihnen, den IRFHS 8342TR optimal in Ihre Schaltungen zu integrieren und seine Leistung voll auszuschöpfen.
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IRFHS 8342TR
Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum IRFHS 8342TR. Wenn Ihre Frage nicht dabei ist, zögern Sie nicht, uns zu kontaktieren!
1. Was bedeutet die Bezeichnung N-Kanal MOSFET?
Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, bei dem der Stromfluss durch einen N-dotierten Kanal zwischen Source und Drain gesteuert wird. Die Steuerung erfolgt über eine Spannung am Gate-Anschluss.
2. Welche Vorteile bietet das PQFN-6 Gehäuse?
Das PQFN-6 Gehäuse zeichnet sich durch seine kompakte Bauform, verbesserte thermische Performance, geringe Induktivität und hohe Zuverlässigkeit aus.
3. Für welche Anwendungen ist der IRFHS 8342TR besonders geeignet?
Der IRFHS 8342TR eignet sich ideal für DC-DC Wandler, Lastschalter, Motorsteuerungen und Batteriemanagementsysteme.
4. Wie hoch ist die maximale Drain-Source-Spannung (Vds) des IRFHS 8342TR?
Die maximale Drain-Source-Spannung (Vds) beträgt 30 V.
5. Was ist der Dauerstrom (Id) des IRFHS 8342TR?
Der Dauerstrom (Id) beträgt 19 A.
6. Wie kann ich die Wärmeableitung des IRFHS 8342TR optimieren?
Eine gute Wärmeableitung kann durch die Verwendung einer geeigneten Leiterplatte mit Kupferflächen und Kühlkörpern erreicht werden.
7. Wo finde ich das Datenblatt des IRFHS 8342TR?
Das Datenblatt des IRFHS 8342TR finden Sie auf der Herstellerseite oder in unserer Produktdokumentation.
