IRFHM830 – Der N-Kanal MOSFET für höchste Ansprüche
Entdecken Sie den IRFHM830, einen hochmodernen N-Kanal MOSFET, der die Leistungselektronik auf ein neues Level hebt. Mit seinen beeindruckenden Spezifikationen und dem kompakten QFN-8 Gehäuse ist dieser MOSFET die ideale Lösung für eine Vielzahl von Anwendungen, bei denen Effizienz, Zuverlässigkeit und geringer Platzbedarf entscheidend sind. Tauchen Sie ein in die Welt der innovativen Schaltungstechnik und erleben Sie, wie der IRFHM830 Ihre Projekte beflügeln kann.
Technische Highlights, die überzeugen
Der IRFHM830 besticht durch seine herausragenden technischen Daten, die ihn von anderen MOSFETs abheben. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 30 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 21 A bietet er ausreichend Leistungsreserven für anspruchsvolle Anwendungen. Der extrem niedrige Einschaltwiderstand (Rds(on)) von nur 0,003 Ohm minimiert die Verluste und sorgt für einen hocheffizienten Betrieb. Dies führt nicht nur zu einer geringeren Wärmeentwicklung, sondern auch zu einer längeren Lebensdauer Ihrer Schaltungen.
Das QFN-8 Gehäuse ermöglicht eine optimale Wärmeableitung und einen geringen Platzbedarf auf der Leiterplatte. Dies ist besonders wichtig in modernen Elektronikgeräten, in denen die Miniaturisierung eine entscheidende Rolle spielt. Der IRFHM830 ist somit die perfekte Wahl für Anwendungen in der Leistungselektronik, in denen es auf höchste Performance und Effizienz ankommt.
Anwendungsbereiche, die begeistern
Die Vielseitigkeit des IRFHM830 kennt kaum Grenzen. Er findet Anwendung in einer breiten Palette von Bereichen, darunter:
- DC-DC-Wandler: Erhöhen Sie die Effizienz Ihrer Stromversorgungen und minimieren Sie die Verluste.
- Motorsteuerungen: Steuern Sie Motoren präzise und zuverlässig, mit minimaler Wärmeentwicklung.
- Lastschalter: Schalten Sie Lasten schnell und effizient, ohne Kompromisse bei der Zuverlässigkeit einzugehen.
- Akkumanagement-Systeme (BMS): Schützen Sie Ihre Akkus und optimieren Sie deren Lebensdauer.
- Mobile Geräte: Profitieren Sie von der hohen Effizienz und dem geringen Platzbedarf in Smartphones, Tablets und Wearables.
Der IRFHM830 ist somit ein unverzichtbares Bauteil für Entwickler und Ingenieure, die innovative und leistungsstarke Elektronikgeräte entwickeln möchten. Lassen Sie Ihrer Kreativität freien Lauf und entdecken Sie die unzähligen Möglichkeiten, die dieser MOSFET bietet.
Technische Daten im Überblick
| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kanal-Typ | N-Kanal |
| Maximale Drain-Source-Spannung (Vds) | 30 V |
| Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) | 21 A |
| Einschaltwiderstand (Rds(on)) | 0,003 Ohm |
| Gehäuse | QFN-8 |
Diese Tabelle bietet Ihnen einen schnellen Überblick über die wichtigsten technischen Daten des IRFHM830. Sie zeigt deutlich, dass dieser MOSFET für anspruchsvolle Anwendungen konzipiert wurde, bei denen es auf höchste Leistung und Effizienz ankommt.
Warum der IRFHM830 die richtige Wahl ist
Die Entscheidung für den IRFHM830 ist eine Investition in die Zukunft Ihrer Projekte. Er bietet Ihnen:
- Herausragende Leistung: Dank des niedrigen Einschaltwiderstands und des hohen Drain-Stroms.
- Hohe Effizienz: Minimiert die Verluste und sorgt für einen kühlen Betrieb.
- Kompaktes Design: Spart Platz auf der Leiterplatte und ermöglicht die Miniaturisierung Ihrer Geräte.
- Hohe Zuverlässigkeit: Garantiert einen stabilen und zuverlässigen Betrieb über lange Zeit.
- Vielseitige Anwendungsmöglichkeiten: Geeignet für eine breite Palette von Anwendungen in der Leistungselektronik.
Mit dem IRFHM830 setzen Sie auf ein Produkt, das höchsten Qualitätsstandards entspricht und Ihnen die Möglichkeit gibt, innovative und leistungsstarke Elektronikgeräte zu entwickeln. Steigern Sie die Leistungsfähigkeit Ihrer Schaltungen und profitieren Sie von der herausragenden Performance dieses MOSFETs.
Ein Bauteil, das begeistert
Der IRFHM830 ist mehr als nur ein MOSFET. Er ist ein Baustein für innovative Ideen und zukunftsweisende Technologien. Er ermöglicht es Ihnen, Ihre Visionen zu verwirklichen und Elektronikgeräte zu entwickeln, die die Welt verändern. Lassen Sie sich von der Leistungsfähigkeit und Vielseitigkeit dieses Bauteils begeistern und entdecken Sie die unzähligen Möglichkeiten, die er Ihnen bietet.
Bestellen Sie den IRFHM830 noch heute und erleben Sie, wie er Ihre Projekte beflügelt. Wir sind überzeugt, dass Sie von seiner Leistung und Zuverlässigkeit begeistert sein werden.
Häufig gestellte Fragen (FAQ)
1. Was bedeutet Rds(on)?
Rds(on) steht für den Drain-Source-Einschaltwiderstand. Es ist der Widerstand zwischen Drain und Source des MOSFETs, wenn er eingeschaltet ist. Ein niedrigerer Rds(on) bedeutet geringere Verluste und eine höhere Effizienz.
2. Für welche Anwendungen ist der IRFHM830 besonders geeignet?
Der IRFHM830 eignet sich besonders gut für DC-DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter, Akkumanagement-Systeme (BMS) und mobile Geräte. Aufgrund seines geringen Einschaltwiderstands und des kompakten Gehäuses ist er ideal für Anwendungen, bei denen es auf Effizienz und Platzbedarf ankommt.
3. Wie wird der IRFHM830 am besten gekühlt?
Das QFN-8 Gehäuse des IRFHM830 ermöglicht eine gute Wärmeableitung über die Leiterplatte. Es ist wichtig, eine ausreichende Kupferfläche auf der Leiterplatte vorzusehen und gegebenenfalls Kühlkörper zu verwenden, um eine optimale Kühlung zu gewährleisten.
4. Kann ich den IRFHM830 auch für höhere Spannungen als 30V verwenden?
Nein, die maximale Drain-Source-Spannung (Vds) des IRFHM830 beträgt 30V. Eine Überschreitung dieser Spannung kann zu Schäden am MOSFET führen.
5. Wo finde ich detailliertere technische Datenblätter und Anwendungsbeispiele?
Detaillierte technische Datenblätter und Anwendungsbeispiele finden Sie in der Regel auf der Herstellerseite des IRFHM830. Dort können Sie sich umfassend über die Spezifikationen und Anwendungsmöglichkeiten informieren.
6. Ist der IRFHM830 RoHS-konform?
Ja, der IRFHM830 ist RoHS-konform und erfüllt somit die Anforderungen der Europäischen Union zur Beschränkung der Verwendung bestimmter gefährlicher Stoffe in Elektro- und Elektronikgeräten.
7. Welche Vorteile bietet das QFN-8 Gehäuse?
Das QFN-8 Gehäuse bietet eine gute Wärmeableitung, einen geringen Platzbedarf und ermöglicht eine einfache Bestückung auf der Leiterplatte. Es ist ideal für Anwendungen, bei denen es auf Miniaturisierung und Effizienz ankommt.
8. Wo kann ich den IRFHM830 kaufen?
Sie können den IRFHM830 direkt hier in unserem Technik & IT Affiliate Shop erwerben. Wir bieten Ihnen eine große Auswahl an hochwertigen Elektronikbauteilen zu fairen Preisen.
