30 V Single N-Kanal StrongIRFET™ Power MOSFET in einem PQFN 3,3 x 3,3 GehäuseDie StrongIRFET™-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bausteine sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio eignet sich für eine breite Palette von Anwendungen, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.
IRFHM830 – MOSFET, N-Kanal, 30 V, 21 A, Rds(on) 0,003 Ohm, QFN-8
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