IRFH8307 – Der ultimative N-Kanal MOSFET für Ihre anspruchsvollen Projekte
Willkommen in der Welt der Hochleistungselektronik! Der IRFH8307 ist mehr als nur ein MOSFET – er ist das Herzstück für innovative Schaltungen und energieeffiziente Designs. Mit seiner beeindruckenden Kombination aus geringem Einschaltwiderstand (RDS(on)) und hoher Strombelastbarkeit setzt dieser N-Kanal MOSFET neue Maßstäbe in puncto Effizienz und Leistung. Ob für DC-DC-Wandler, Motorsteuerungen oder Lastschalter – der IRFH8307 bietet die Performance, auf die Sie sich verlassen können.
Tauchen Sie ein in die Details und entdecken Sie, warum der IRFH8307 die ideale Wahl für Ihre nächsten Projekte ist. Lassen Sie sich von seiner Performance inspirieren und erleben Sie, wie er Ihre Designs auf ein neues Level hebt.
Technische Daten im Überblick
Der IRFH8307 überzeugt mit herausragenden technischen Eigenschaften, die ihn zum idealen Bauelement für eine Vielzahl von Anwendungen machen. Hier sind die wichtigsten Spezifikationen:
- Typ: N-Kanal MOSFET
- Spannung (Vds): 30 V
- Strom (Id): 42 A
- RDS(on) (typisch): 0,0017 Ohm (bei Vgs = 10V)
- Gehäuse: QFN-8
Diese Werte sprechen für sich. Der extrem niedrige RDS(on) minimiert die Verluste und sorgt für einen hocheffizienten Betrieb Ihrer Schaltungen. Die hohe Strombelastbarkeit ermöglicht den Einsatz in anspruchsvollen Anwendungen, bei denen es auf Leistung ankommt.
Anwendungsbereiche: Wo der IRFH8307 seine Stärken ausspielt
Die Vielseitigkeit des IRFH8307 kennt kaum Grenzen. Hier sind einige Beispiele, wo dieser MOSFET seine Stärken voll ausspielen kann:
- DC-DC-Wandler: Profitieren Sie von der hohen Effizienz und dem geringen Einschaltwiderstand, um Wandler mit minimalen Verlusten zu realisieren.
- Motorsteuerungen: Nutzen Sie die hohe Strombelastbarkeit, um Motoren präzise und effizient zu steuern.
- Lastschalter: Schalten Sie Lasten zuverlässig und mit minimalen Verlusten.
- Akkumanagementsysteme (BMS): Schützen Sie Ihre Akkus und optimieren Sie die Energieeffizienz.
- Synchrone Gleichrichtung: Steigern Sie die Effizienz Ihrer Gleichrichterschaltungen erheblich.
Ob in der Industrie, im Hobbybereich oder in der Forschung – der IRFH8307 ist ein zuverlässiger Partner für Ihre Projekte. Seine Performance und seine Vielseitigkeit machen ihn zur idealen Wahl für anspruchsvolle Anwendungen.
Das QFN-8 Gehäuse: Kompakt und effizient
Das QFN-8 Gehäuse des IRFH8307 bietet nicht nur eine kompakte Bauform, sondern auch hervorragende thermische Eigenschaften. Die freiliegende Wärmeleitfläche auf der Unterseite des Gehäuses ermöglicht eine effiziente Wärmeabfuhr, was die Zuverlässigkeit und Lebensdauer des MOSFETs erhöht. Das QFN-8 Gehäuse ist ideal für platzsparende Designs und ermöglicht eine einfache Integration in Ihre Schaltungen.
Dank seiner geringen Größe und seiner hervorragenden thermischen Eigenschaften ist der IRFH8307 die perfekte Wahl für Anwendungen, bei denen es auf Effizienz und Kompaktheit ankommt.
Warum der IRFH8307 Ihre Projekte beflügeln wird
Der IRFH8307 ist mehr als nur ein Bauelement – er ist ein Schlüssel zu innovativen und effizienten Designs. Seine herausragenden Eigenschaften ermöglichen es Ihnen, Schaltungen zu realisieren, die höchste Anforderungen erfüllen. Profitieren Sie von:
- Höherer Effizienz: Der extrem niedrige RDS(on) minimiert die Verluste und sorgt für einen hocheffizienten Betrieb Ihrer Schaltungen.
- Mehr Leistung: Die hohe Strombelastbarkeit ermöglicht den Einsatz in anspruchsvollen Anwendungen, bei denen es auf Leistung ankommt.
- Zuverlässigkeit: Das QFN-8 Gehäuse mit seiner effizienten Wärmeabfuhr sorgt für eine hohe Zuverlässigkeit und Lebensdauer des MOSFETs.
- Kompaktheit: Das kleine QFN-8 Gehäuse ermöglicht platzsparende Designs.
- Vielseitigkeit: Der IRFH8307 ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet.
Mit dem IRFH8307 in Ihren Händen sind Sie bereit, neue Wege zu gehen und Ihre Projekte auf ein neues Level zu heben. Lassen Sie sich von seiner Performance inspirieren und erleben Sie, wie er Ihre Ideen zum Leben erweckt.
Technische Details im Detail
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Drain-Source-Spannung (Vds) | 30 | V |
| Gate-Source-Spannung (Vgs) | ±20 | V |
| Drain-Strom (Id) | 42 | A |
| Puls-Drain-Strom (Idm) | 170 | A |
| Gesamtverlustleistung (Pd) | 2.5 | W |
| RDS(on) (Vgs = 4.5V) | 0.0025 | Ohm |
| RDS(on) (Vgs = 10V) | 0.0017 | Ohm |
| Gate-Ladung (Qg) | 12 | nC |
| Eingangskapazität (Ciss) | 980 | pF |
| Betriebstemperatur | -55 bis +150 | °C |
Diese detaillierten technischen Daten geben Ihnen einen umfassenden Einblick in die Leistungsfähigkeit des IRFH8307. Nutzen Sie diese Informationen, um das Potenzial des MOSFETs voll auszuschöpfen und Ihre Schaltungen optimal zu gestalten.
Sicherheitshinweise
Bei der Verwendung des IRFH8307 ist es wichtig, die folgenden Sicherheitshinweise zu beachten:
- Stellen Sie sicher, dass die Betriebsbedingungen (Spannung, Strom, Temperatur) innerhalb der spezifizierten Grenzwerte liegen.
- Vermeiden Sie elektrostatische Entladungen (ESD), da diese den MOSFET beschädigen können. Verwenden Sie geeignete ESD-Schutzmaßnahmen.
- Achten Sie auf eine ausreichende Wärmeableitung, um eine Überhitzung des MOSFETs zu vermeiden.
- Konsultieren Sie das Datenblatt des Herstellers für detaillierte Informationen und Anwendungshinweise.
Durch die Beachtung dieser Sicherheitshinweise gewährleisten Sie einen sicheren und zuverlässigen Betrieb des IRFH8307 und maximieren seine Lebensdauer.
Fazit: Der IRFH8307 – Ihr Partner für Hochleistungselektronik
Der IRFH8307 ist ein herausragender N-Kanal MOSFET, der mit seiner Performance, Effizienz und Vielseitigkeit überzeugt. Ob für DC-DC-Wandler, Motorsteuerungen oder Lastschalter – dieser MOSFET ist die ideale Wahl für anspruchsvolle Anwendungen. Nutzen Sie sein Potenzial, um Ihre Designs auf ein neues Level zu heben und innovative Lösungen zu realisieren.
Bestellen Sie jetzt den IRFH8307 und erleben Sie die Power der Hochleistungselektronik!
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IRFH8307
Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum IRFH8307. Wenn Sie weitere Fragen haben, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.
- Was bedeutet RDS(on)?
RDS(on) steht für „Drain-Source on-Resistance“ und beschreibt den Widerstand zwischen Drain und Source des MOSFETs im eingeschalteten Zustand. Ein niedriger RDS(on)-Wert bedeutet geringere Verluste und einen höheren Wirkungsgrad der Schaltung.
- Wie wähle ich den richtigen MOSFET für meine Anwendung aus?
Die Auswahl des richtigen MOSFETs hängt von verschiedenen Faktoren ab, wie z.B. der benötigten Spannung, dem Strom, der Schaltfrequenz und den thermischen Anforderungen. Achten Sie darauf, dass die spezifizierten Werte des MOSFETs (Vds, Id, RDS(on), Pd) für Ihre Anwendung ausreichend sind.
- Wie sorge ich für eine ausreichende Wärmeableitung?
Eine ausreichende Wärmeableitung ist entscheidend, um die Lebensdauer und Zuverlässigkeit des MOSFETs zu gewährleisten. Verwenden Sie Kühlkörper oder andere Wärmeableitmaßnahmen, um die Temperatur des MOSFETs innerhalb der spezifizierten Grenzwerte zu halten. Achten Sie auch auf eine gute thermische Verbindung zwischen dem MOSFET und dem Kühlkörper.
- Kann ich den IRFH8307 auch für höhere Spannungen verwenden?
Nein, der IRFH8307 ist nur für Spannungen bis maximal 30V spezifiziert. Die Verwendung bei höheren Spannungen kann zu Schäden am MOSFET führen.
- Welche Vorteile bietet das QFN-8 Gehäuse?
Das QFN-8 Gehäuse bietet eine kompakte Bauform und hervorragende thermische Eigenschaften. Die freiliegende Wärmeleitfläche auf der Unterseite des Gehäuses ermöglicht eine effiziente Wärmeabfuhr.
- Wo finde ich das Datenblatt des IRFH8307?
Das Datenblatt des IRFH8307 finden Sie auf der Website des Herstellers oder auf unserer Produktseite im Downloadbereich.
- Ist der IRFH8307 RoHS-konform?
Ja, der IRFH8307 ist RoHS-konform und entspricht den aktuellen Umweltstandards.
