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IRFH8303 - MOSFET

IRFH8303 – MOSFET, N-Kanal, 30 V, 43A, RDS(on) 0,0009 Ohm, QFN-8

2,55 €

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Artikelnummer: 51741a152dae Kategorie: MOSFETs
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Beschreibung

Inhalt

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  • Entfesseln Sie die Kraft: Der IRFH8303 N-Kanal MOSFET – Ultimative Leistung für Ihre Elektronik
    • Warum der IRFH8303 Ihr nächster Game-Changer ist
    • Technische Brillanz im Detail
    • Anwendungsbereiche, die begeistern
    • Kompaktes Design, grenzenlose Möglichkeiten
    • Die Vorteile auf einen Blick
    • Eine Investition in die Zukunft Ihrer Projekte
    • Technische Daten im Detail
  • FAQ – Ihre Fragen, unsere Antworten
    • 1. Was bedeutet der RDS(on) Wert und warum ist er wichtig?
    • 2. Für welche Anwendungen ist der IRFH8303 besonders gut geeignet?
    • 3. Kann ich den IRFH8303 auch bei höheren Temperaturen einsetzen?
    • 4. Was ist der Vorteil des QFN-8 Gehäuses?
    • 5. Welche Alternativen gibt es zum IRFH8303?
    • 6. Benötige ich einen Kühlkörper für den IRFH8303?
    • 7. Ist der IRFH8303 ESD-empfindlich?

Entfesseln Sie die Kraft: Der IRFH8303 N-Kanal MOSFET – Ultimative Leistung für Ihre Elektronik

Sind Sie bereit, die Leistung Ihrer elektronischen Schaltungen auf ein neues Level zu heben? Der IRFH8303 N-Kanal MOSFET ist nicht nur ein Bauteil – er ist das Herzstück für Innovationen, die Basis für Effizienz und die Garantie für Zuverlässigkeit. Tauchen Sie ein in eine Welt, in der Leistung keine Grenzen kennt und Design keine Kompromisse eingeht.

Warum der IRFH8303 Ihr nächster Game-Changer ist

Der IRFH8303 ist mehr als nur ein MOSFET. Er ist ein Versprechen – ein Versprechen von unübertroffener Leistung, minimalen Verlusten und maximaler Flexibilität in Ihren Designprojekten. Entwickelt für anspruchsvolle Anwendungen, bei denen Effizienz und Zuverlässigkeit entscheidend sind, bietet dieser N-Kanal MOSFET eine beeindruckende Kombination aus niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)), hoher Strombelastbarkeit und kompakter Bauform.

Stellen Sie sich vor, Sie entwickeln ein hochmodernes Netzteil, ein leistungsstarkes Motorsteuerungssystem oder eine energieeffiziente Beleuchtungslösung. Der IRFH8303 ermöglicht es Ihnen, Ihre Visionen mit beeindruckender Effizienz und Zuverlässigkeit zu realisieren. Seine Fähigkeit, hohe Ströme bei minimalen Verlusten zu schalten, reduziert nicht nur die Wärmeentwicklung, sondern verlängert auch die Lebensdauer Ihrer Schaltungen.

Technische Brillanz im Detail

Lassen Sie uns einen Blick auf die technischen Daten werfen, die den IRFH8303 zu einem wahren Champion machen:

  • N-Kanal MOSFET: Bietet eine effiziente und schnelle Schaltleistung.
  • Spannungsfestigkeit (VDS): 30 V – Ideal für eine Vielzahl von Anwendungen.
  • Dauerstrom (ID): 43 A – Ermöglicht die Steuerung hoher Lasten.
  • Einschaltwiderstand (RDS(on)): Nur 0,0009 Ohm – Minimiert Verluste und maximiert die Effizienz.
  • Gehäuse: QFN-8 – Kompaktes Design für platzsparende Anwendungen.

Der extrem niedrige RDS(on) Wert ist besonders hervorzuheben. Er bedeutet, dass der MOSFET im eingeschalteten Zustand nur einen minimalen Widerstand bietet. Dies führt zu geringeren Verlusten, weniger Wärmeentwicklung und einer höheren Gesamteffizienz Ihrer Schaltung. In der Praxis bedeutet das: mehr Leistung, längere Lebensdauer und geringere Betriebskosten.

Anwendungsbereiche, die begeistern

Der IRFH8303 ist ein wahrer Alleskönner und findet in einer Vielzahl von Anwendungen seinen Platz:

  • Netzteile: Ideal für effiziente und zuverlässige Netzteile in Computern, Servern und anderen elektronischen Geräten.
  • Motorsteuerungen: Perfekt für die präzise und effiziente Steuerung von Motoren in Robotik, Automatisierung und Elektrowerkzeugen.
  • Beleuchtungssysteme: Ermöglicht energieeffiziente und dimmbare Beleuchtungslösungen.
  • DC-DC Wandler: Bietet eine hohe Effizienz bei der Umwandlung von Gleichspannungen in verschiedenen elektronischen Geräten.
  • Batteriemanagementsysteme (BMS): Sorgt für eine effiziente und sichere Ladung und Entladung von Batterien in Elektrofahrzeugen, Laptops und anderen tragbaren Geräten.

Die Vielseitigkeit des IRFH8303 macht ihn zu einem unverzichtbaren Bauteil für Entwickler, die nach höchster Leistung und Effizienz streben.

Kompaktes Design, grenzenlose Möglichkeiten

Das QFN-8 Gehäuse des IRFH8303 ist nicht nur klein, sondern auch intelligent konzipiert. Es ermöglicht eine einfache Integration in Ihre Schaltungen und bietet gleichzeitig eine hervorragende Wärmeableitung. Dies ist besonders wichtig bei Anwendungen, bei denen hohe Ströme fließen und eine effiziente Kühlung erforderlich ist.

Das kompakte Design spart nicht nur Platz auf Ihrer Leiterplatte, sondern ermöglicht auch die Entwicklung kleinerer und leichterer Produkte. Dies ist ein entscheidender Vorteil in vielen modernen Anwendungen, bei denen Miniaturisierung eine wichtige Rolle spielt.

Die Vorteile auf einen Blick

Hier sind die wichtigsten Vorteile des IRFH8303 noch einmal zusammengefasst:

  • Höchste Effizienz: Extrem niedriger RDS(on) für minimale Verluste.
  • Hohe Strombelastbarkeit: Bis zu 43 A Dauerstrom für anspruchsvolle Anwendungen.
  • Kompaktes Design: QFN-8 Gehäuse für platzsparende Integration.
  • Vielseitige Einsatzmöglichkeiten: Geeignet für Netzteile, Motorsteuerungen, Beleuchtungssysteme und vieles mehr.
  • Erhöhte Zuverlässigkeit: Minimale Wärmeentwicklung verlängert die Lebensdauer Ihrer Schaltungen.

Eine Investition in die Zukunft Ihrer Projekte

Der IRFH8303 ist nicht nur ein Bauteil – er ist eine Investition in die Zukunft Ihrer Projekte. Er ermöglicht es Ihnen, leistungsstarke, effiziente und zuverlässige Produkte zu entwickeln, die sich von der Konkurrenz abheben. Mit diesem MOSFET legen Sie den Grundstein für Innovationen und setzen neue Maßstäbe in der Elektronikentwicklung.

Technische Daten im Detail

Die folgende Tabelle bietet einen detaillierten Überblick über die technischen Spezifikationen des IRFH8303:

Parameter Wert Einheit
Kanaltyp N-Kanal –
Maximale Drain-Source-Spannung (VDS) 30 V
Dauerstrom (ID) 43 A
Einschaltwiderstand (RDS(on) @ VGS=10V) 0.0009 Ohm
Gate-Schwellenspannung (VGS(th)) 1 – 2.5 V
Gesamt-Gate-Ladung (Qg) 20 nC
Leistungsaufnahme (PD) 2.5 W
Betriebstemperaturbereich -55 bis +150 °C
Gehäuse QFN-8 –

Diese detaillierten Spezifikationen ermöglichen es Ihnen, den IRFH8303 optimal in Ihre Designs zu integrieren und seine Leistung voll auszuschöpfen.

FAQ – Ihre Fragen, unsere Antworten

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum IRFH8303:

1. Was bedeutet der RDS(on) Wert und warum ist er wichtig?

Der RDS(on) Wert gibt den Widerstand des MOSFET im eingeschalteten Zustand an. Ein niedriger RDS(on) Wert bedeutet geringere Verluste und eine höhere Effizienz der Schaltung. Der IRFH8303 zeichnet sich durch einen extrem niedrigen RDS(on) von 0,0009 Ohm aus, was ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für energieeffiziente Anwendungen macht.

2. Für welche Anwendungen ist der IRFH8303 besonders gut geeignet?

Der IRFH8303 eignet sich hervorragend für Netzteile, Motorsteuerungen, Beleuchtungssysteme, DC-DC Wandler und Batteriemanagementsysteme. Seine hohe Effizienz und Strombelastbarkeit machen ihn zu einer vielseitigen Lösung für eine breite Palette von Anwendungen.

3. Kann ich den IRFH8303 auch bei höheren Temperaturen einsetzen?

Der IRFH8303 ist für einen Betriebstemperaturbereich von -55 bis +150 °C ausgelegt. Es ist jedoch wichtig, die Leistungsaufnahme und die Wärmeableitung zu berücksichtigen, um sicherzustellen, dass der MOSFET innerhalb seiner Spezifikationen betrieben wird.

4. Was ist der Vorteil des QFN-8 Gehäuses?

Das QFN-8 Gehäuse ist kompakt und bietet eine gute Wärmeableitung. Es ermöglicht eine einfache Integration in Ihre Schaltungen und spart Platz auf der Leiterplatte. Die gute Wärmeableitung trägt zur Zuverlässigkeit und Lebensdauer des MOSFET bei.

5. Welche Alternativen gibt es zum IRFH8303?

Es gibt viele MOSFETs auf dem Markt, aber nur wenige bieten die gleiche Kombination aus niedrigem RDS(on), hoher Strombelastbarkeit und kompaktem Design wie der IRFH8303. Alternativen könnten in bestimmten Anwendungen in Frage kommen, aber der IRFH8303 ist oft die beste Wahl, wenn höchste Effizienz und Zuverlässigkeit gefragt sind.

6. Benötige ich einen Kühlkörper für den IRFH8303?

Ob ein Kühlkörper erforderlich ist, hängt von der spezifischen Anwendung und der Leistungsaufnahme ab. Bei hohen Strömen und längeren Betriebszeiten kann ein Kühlkörper erforderlich sein, um die Temperatur des MOSFET innerhalb seiner Spezifikationen zu halten. Überprüfen Sie die Datenblattangaben und führen Sie gegebenenfalls eine thermische Analyse durch.

7. Ist der IRFH8303 ESD-empfindlich?

Wie alle MOSFETs ist auch der IRFH8303 ESD-empfindlich. Es ist wichtig, beim Umgang mit dem Bauteil die üblichen ESD-Schutzmaßnahmen zu beachten, um Schäden zu vermeiden. Verwenden Sie beispielsweise eine ESD-sichere Arbeitsumgebung und tragen Sie ein Erdungsarmband.

Bewertungen: 4.9 / 5. 358

Zusätzliche Informationen
Marke

Infineon

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