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IRFB3306PBF - MOSFET N-Ch

IRFB3306PBF – MOSFET N-Ch, 60 V, 120 A, RDS(on) 0,0033 Ohm, TO220AB

1,99 €

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Artikelnummer: 18e076bddb66 Kategorie: MOSFETs
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  • IRFB3306PBF: Der Schlüssel zu ultimativer Leistung in Ihren Elektronikprojekten
    • Technische Brillanz im Detail
    • Anwendungsbereiche, die begeistern
    • Technische Daten im Überblick
    • Der IRFB3306PBF: Mehr als nur ein Bauteil – ein Versprechen
    • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IRFB3306PBF

IRFB3306PBF: Der Schlüssel zu ultimativer Leistung in Ihren Elektronikprojekten

Sind Sie bereit, die Grenzen Ihrer Elektronikprojekte neu zu definieren? Der IRFB3306PBF N-Kanal MOSFET ist mehr als nur ein Bauteil – er ist ein Versprechen. Ein Versprechen von unübertroffener Leistung, von Effizienz, die begeistert, und von Zuverlässigkeit, auf die Sie sich verlassen können. Tauchen Sie ein in eine Welt, in der Ihre Ideen nicht durch technische Limitierungen, sondern nur durch Ihre Vorstellungskraft begrenzt werden.

Der IRFB3306PBF ist ein Kraftpaket, verpackt im robusten TO220AB Gehäuse. Mit einer Drain-Source Spannung von 60 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von satten 120 A meistert dieser MOSFET anspruchsvolle Anwendungen mit Bravour. Ob in leistungsstarken Schaltnetzteilen, effizienten Motorsteuerungen oder innovativen Solaranlagen – der IRFB3306PBF ist die ideale Wahl für Projekte, die absolute Spitzenleistung erfordern.

Technische Brillanz im Detail

Was macht den IRFB3306PBF so besonders? Es ist die Kombination aus innovativer Technologie und durchdachtem Design, die in jedem einzelnen Bauteil steckt:

  • N-Kanal MOSFET: Ermöglicht schnelles Schalten und hohe Effizienz.
  • 60 V Drain-Source Spannung: Bietet genügend Spielraum für eine Vielzahl von Anwendungen.
  • 120 A kontinuierlicher Drain-Strom: Bewältigt auch hohe Lasten zuverlässig.
  • Extrem niedriger RDS(on) von 0,0033 Ohm: Minimiert Leistungsverluste und erhöht die Effizienz.
  • TO220AB Gehäuse: Bietet eine hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage.

Der extrem niedrige RDS(on) Wert ist ein entscheidender Vorteil. Er bedeutet, dass der MOSFET im eingeschalteten Zustand nur einen minimalen Widerstand aufweist. Dies führt zu deutlich geringeren Leistungsverlusten in Form von Wärme, was wiederum die Effizienz Ihres Systems erhöht und die Lebensdauer des MOSFETs verlängert. Stellen Sie sich vor, wie viel Energie Sie sparen und wie zuverlässig Ihre Schaltungen arbeiten werden!

Anwendungsbereiche, die begeistern

Der IRFB3306PBF ist ein wahrer Alleskönner, wenn es um anspruchsvolle Anwendungen geht. Hier sind einige Beispiele, die Ihnen zeigen, wie vielseitig dieser MOSFET eingesetzt werden kann:

  • Schaltnetzteile: Erhöhen Sie die Effizienz und Zuverlässigkeit Ihrer Netzteile.
  • Motorsteuerungen: Realisieren Sie präzise und leistungsstarke Motorsteuerungen für Industrieanwendungen, Robotik oder Modellbau.
  • Solaranlagen: Optimieren Sie die Energieumwandlung und maximieren Sie den Ertrag Ihrer Solaranlage.
  • Batteriemanagementsysteme (BMS): Schützen Sie Ihre Batterien und sorgen Sie für einen effizienten Lade- und Entladeprozess.
  • USV-Anlagen (Unterbrechungsfreie Stromversorgung): Gewährleisten Sie eine zuverlässige Stromversorgung in kritischen Situationen.

Denken Sie an ein intelligentes Haus, in dem die Beleuchtung und die Heizung energieeffizient gesteuert werden. Stellen Sie sich eine Solaranlage vor, die mit maximalem Wirkungsgrad arbeitet und Ihnen hilft, Ihren ökologischen Fußabdruck zu reduzieren. Oder denken Sie an eine leistungsstarke Drohne, die dank effizienter Motorsteuerung länger in der Luft bleibt. Mit dem IRFB3306PBF können Sie diese Visionen Realität werden lassen!

Technische Daten im Überblick

Hier finden Sie eine detaillierte Übersicht über die wichtigsten technischen Daten des IRFB3306PBF:

Parameter Wert Einheit
Drain-Source Spannung (Vds) 60 V
Gate-Source Spannung (Vgs) ±20 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) 120 A
Puls-Drain-Strom (Idm) 480 A
RDS(on) (Vgs = 10V) 0.0033 Ohm
Verlustleistung (Pd) 200 W
Betriebstemperaturbereich -55 bis +175 °C
Gehäuse TO220AB –

Der IRFB3306PBF: Mehr als nur ein Bauteil – ein Versprechen

Der IRFB3306PBF ist mehr als nur ein technisches Bauteil. Er ist ein Versprechen für Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit. Er ist der Schlüssel, um Ihre Elektronikprojekte auf das nächste Level zu heben und Ihre Ideen Wirklichkeit werden zu lassen. Investieren Sie in Qualität und profitieren Sie von den unzähligen Vorteilen, die dieser außergewöhnliche MOSFET bietet. Bestellen Sie jetzt Ihren IRFB3306PBF und erleben Sie den Unterschied!

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IRFB3306PBF

Sie haben noch Fragen zum IRFB3306PBF? Hier finden Sie Antworten auf die häufigsten Fragen:

  1. Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?

    Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, bei dem der Stromfluss zwischen Drain und Source durch ein elektrisches Feld gesteuert wird. Im Gegensatz zu P-Kanal MOSFETs leiten N-Kanal MOSFETs den Strom durch Elektronen, was in der Regel zu einer höheren Schaltgeschwindigkeit und Effizienz führt.

  2. Was ist RDS(on) und warum ist ein niedriger Wert wichtig?

    RDS(on) ist der Drain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand. Ein niedriger RDS(on)-Wert bedeutet, dass der MOSFET im eingeschalteten Zustand weniger Energie in Form von Wärme verliert. Dies führt zu einer höheren Effizienz, einer geringeren Wärmeentwicklung und einer längeren Lebensdauer des Bauteils.

  3. Kann ich den IRFB3306PBF auch bei höheren Spannungen als 60V einsetzen?

    Nein, die maximale Drain-Source-Spannung (Vds) des IRFB3306PBF beträgt 60V. Das Überschreiten dieser Spannung kann zu Schäden am MOSFET und zum Ausfall der Schaltung führen.

  4. Wie kann ich den IRFB3306PBF richtig kühlen?

    Aufgrund seiner hohen Leistungsfähigkeit kann der IRFB3306PBF bei anspruchsvollen Anwendungen Wärme entwickeln. Um eine Überhitzung zu vermeiden, empfiehlt es sich, einen Kühlkörper zu verwenden, der auf das TO220AB Gehäuse passt. Die Größe des Kühlkörpers hängt von der Verlustleistung und der Umgebungstemperatur ab.

  5. Ist der IRFB3306PBF RoHS-konform?

    Ja, der IRFB3306PBF ist RoHS-konform und entspricht somit den aktuellen Umweltstandards. Er enthält keine gefährlichen Substanzen wie Blei, Quecksilber, Cadmium, sechswertiges Chrom, polybromierte Biphenyle (PBB) oder polybromierte Diphenylether (PBDE).

  6. Wo finde ich ein Datenblatt für den IRFB3306PBF?

    Ein detailliertes Datenblatt mit allen technischen Spezifikationen, Kennlinien und Anwendungsbeispielen finden Sie auf der Webseite des Herstellers International Rectifier (heute Infineon Technologies) oder auf unserer Produktseite zum Download.

  7. Kann ich den IRFB3306PBF für PWM-Anwendungen (Pulsweitenmodulation) verwenden?

    Ja, der IRFB3306PBF eignet sich hervorragend für PWM-Anwendungen. Seine schnelle Schaltgeschwindigkeit und der niedrige RDS(on) Wert ermöglichen eine effiziente Steuerung von Lasten mit variabler Leistung.

Bewertungen: 4.7 / 5. 323

Zusätzliche Informationen
Marke

Infineon

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