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IRFB 7440 - MOSFET

IRFB 7440 – MOSFET, N-Kanal, 40 V, 208 A, Rds(on) 0,002 Ohm, TO-220AB

1,60 €

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Artikelnummer: ef86c2bc0ec6 Kategorie: MOSFETs
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Beschreibung

Inhalt

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  • Der IRFB 7440 MOSFET: Kraft und Präzision für Ihre Projekte
    • Leistungsmerkmale, die begeistern
    • Technische Daten im Detail
    • Anwendungsbereiche, die inspirieren
    • Warum der IRFB 7440 Ihre beste Wahl ist
    • Integrieren Sie den IRFB 7440 in Ihre Projekte
  • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IRFB 7440

Der IRFB 7440 MOSFET: Kraft und Präzision für Ihre Projekte

Tauchen Sie ein in die Welt der Leistungselektronik mit dem IRFB 7440, einem N-Kanal MOSFET, der entwickelt wurde, um Ihre anspruchsvollsten Projekte zu beflügeln. Dieser robuste und zuverlässige MOSFET vereint modernste Technologie mit beeindruckenden Leistungsdaten, um Ihnen die Kontrolle und Effizienz zu bieten, die Sie benötigen.

Ob Sie ein erfahrener Elektronik-Experte sind, der innovative Schaltungen entwirft, oder ein ambitionierter Hobbyist, der seine eigenen Projekte realisieren möchte, der IRFB 7440 ist Ihr idealer Partner. Erleben Sie die Freiheit, leistungsstarke Anwendungen mit Vertrauen zu entwickeln, und entdecken Sie neue Möglichkeiten in der Welt der Elektronik.

Leistungsmerkmale, die begeistern

Der IRFB 7440 ist nicht nur ein Bauteil, sondern eine Investition in die Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit Ihrer Projekte. Lassen Sie uns einen Blick auf die beeindruckenden Spezifikationen werfen, die diesen MOSFET auszeichnen:

  • N-Kanal MOSFET: Ermöglicht eine effiziente und schnelle Schaltung von hohen Strömen.
  • Spannung (Vds): 40 V – Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen, die diese Spannungsgrenze nicht überschreiten.
  • Strom (Id): 208 A – Bewältigt mühelos hohe Stromstärken, ideal für leistungsintensive Anwendungen.
  • Rds(on): 0,002 Ohm – Extrem niedriger Durchlasswiderstand minimiert Leistungsverluste und sorgt für höchste Effizienz.
  • Gehäuse: TO-220AB – Weit verbreitetes und einfach zu handhabendes Gehäuse für eine problemlose Integration in Ihre Schaltungen.

Technische Daten im Detail

Die folgende Tabelle bietet Ihnen einen detaillierten Überblick über die technischen Spezifikationen des IRFB 7440:

Parameter Wert Einheit
Drain-Source-Spannung (Vds) 40 V
Gate-Source-Spannung (Vgs) ±20 V
Dauerstrom (Id) 208 A
Pulsstrom (Idm) 840 A
Verlustleistung (Pd) 300 W
Durchlasswiderstand (Rds(on)) 0.002 Ohm
Gate-Ladung (Qg) 86 nC
Anstiegszeit (tr) 15 ns
Fallzeit (tf) 18 ns
Gehäuse TO-220AB –

Anwendungsbereiche, die inspirieren

Die Vielseitigkeit des IRFB 7440 eröffnet Ihnen ein breites Spektrum an Anwendungsmöglichkeiten. Hier sind einige Beispiele, die Sie inspirieren sollen:

  • Motorsteuerungen: Präzise und effiziente Steuerung von Elektromotoren in Robotik, Automatisierung und Elektromobilität.
  • Schaltnetzteile: Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit für die Stromversorgung von elektronischen Geräten und Systemen.
  • DC-DC-Wandler: Optimale Leistung und Stabilität bei der Umwandlung von Gleichspannungen.
  • Wechselrichter: Effiziente Umwandlung von Gleichstrom in Wechselstrom für erneuerbare Energien und netzunabhängige Anwendungen.
  • Leistungsverstärker: Kraftvolle und verzerrungsarme Verstärkung von Audiosignalen und anderen elektronischen Signalen.

Der IRFB 7440 ist nicht nur ein Bauteil, sondern ein Schlüssel zur Verwirklichung Ihrer innovativsten Ideen. Lassen Sie Ihrer Kreativität freien Lauf und entdecken Sie die unzähligen Möglichkeiten, die dieser MOSFET bietet.

Warum der IRFB 7440 Ihre beste Wahl ist

In einer Welt, in der Leistung und Zuverlässigkeit entscheidend sind, setzt der IRFB 7440 neue Maßstäbe. Hier sind einige Gründe, warum er die ideale Wahl für Ihre Projekte ist:

  • Unübertroffene Effizienz: Der extrem niedrige Durchlasswiderstand (Rds(on)) minimiert Leistungsverluste und sorgt für eine maximale Energieausnutzung.
  • Hohe Belastbarkeit: Der IRFB 7440 bewältigt mühelos hohe Ströme und Spannungen, was ihn ideal für anspruchsvolle Anwendungen macht.
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit: Die kurzen Anstiegs- und Fallzeiten ermöglichen eine präzise und effiziente Steuerung von Schaltungen.
  • Robuste Bauweise: Das TO-220AB Gehäuse bietet eine ausgezeichnete Wärmeableitung und sorgt für eine lange Lebensdauer.
  • Vielseitigkeit: Der IRFB 7440 eignet sich für eine breite Palette von Anwendungen, von Motorsteuerungen bis hin zu Schaltnetzteilen.

Mit dem IRFB 7440 investieren Sie in ein Produkt, das Ihre Erwartungen nicht nur erfüllt, sondern übertrifft. Erleben Sie die Freude an der Entwicklung leistungsstarker und zuverlässiger Elektronikprojekte.

Integrieren Sie den IRFB 7440 in Ihre Projekte

Die Integration des IRFB 7440 in Ihre Schaltungen ist denkbar einfach. Das weit verbreitete TO-220AB Gehäuse ermöglicht eine problemlose Montage auf Kühlkörpern und Leiterplatten. Beachten Sie bei der Verwendung des IRFB 7440 folgende Hinweise:

  • Kühlkörper: Verwenden Sie einen geeigneten Kühlkörper, um die Wärmeableitung zu optimieren und die Lebensdauer des MOSFET zu verlängern.
  • Gate-Ansteuerung: Achten Sie auf eine korrekte Gate-Ansteuerung, um eine effiziente und zuverlässige Schaltung zu gewährleisten.
  • Schutzmaßnahmen: Implementieren Sie geeignete Schutzmaßnahmen, um den MOSFET vor Überspannungen und Überströmen zu schützen.

Mit der richtigen Planung und Implementierung können Sie das volle Potenzial des IRFB 7440 ausschöpfen und Ihre Projekte auf ein neues Level heben.

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IRFB 7440

Wir haben die häufigsten Fragen zum IRFB 7440 für Sie zusammengestellt, um Ihnen bei der Entscheidung zu helfen:

  1. Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?

    Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, bei dem der Stromfluss zwischen Drain und Source durch ein elektrisches Feld gesteuert wird, das an das Gate angelegt wird. „N-Kanal“ bezieht sich auf die Art des Halbleitermaterials, das für den Kanal verwendet wird, durch den die Elektronen fließen. N-Kanal MOSFETs sind im Allgemeinen schneller und effizienter als P-Kanal MOSFETs.

  2. Wie wähle ich den richtigen Kühlkörper für den IRFB 7440 aus?

    Die Wahl des Kühlkörpers hängt von der Verlustleistung (Pd) und der Umgebungstemperatur ab. Berechnen Sie die Verlustleistung unter Ihren Betriebsbedingungen und wählen Sie einen Kühlkörper, der eine ausreichend niedrige thermische Widerstandsfähigkeit aufweist, um die Gehäusetemperatur des MOSFET innerhalb der zulässigen Grenzen zu halten. Datenblätter von Kühlkörperherstellern geben Auskunft über die thermische Widerstandsfähigkeit bei unterschiedlichen Luftströmungsbedingungen.

  3. Kann ich den IRFB 7440 parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?

    Ja, es ist möglich, MOSFETs parallel zu schalten, um den Gesamtstrom zu erhöhen. Allerdings ist es wichtig, Maßnahmen zu ergreifen, um eine gleichmäßige Stromverteilung zu gewährleisten. Dies kann durch Verwendung von individuellen Gate-Widerständen und sorgfältiger Leiterplattenführung erreicht werden. Beachten Sie, dass geringfügige Unterschiede in den Parametern der MOSFETs zu einer ungleichmäßigen Stromverteilung führen können.

  4. Welche Schutzmaßnahmen sollte ich beim Betrieb des IRFB 7440 treffen?

    Es ist wichtig, den IRFB 7440 vor Überspannungen und Überströmen zu schützen. Verwenden Sie eine TVS-Diode (Transient Voltage Suppression) am Drain-Source-Anschluss, um Überspannungen zu absorbieren. Eine Sicherung in Reihe mit dem Drain schützt vor Überströmen. Außerdem ist eine korrekte Gate-Ansteuerung wichtig, um ein Überschreiten der maximal zulässigen Gate-Source-Spannung zu verhindern.

  5. Was ist der Unterschied zwischen Rds(on) und der Verlustleistung (Pd)?

    Rds(on) ist der Durchlasswiderstand des MOSFET, wenn er eingeschaltet ist. Je niedriger der Rds(on)-Wert, desto geringer die Leistungsverluste im MOSFET. Die Verlustleistung (Pd) ist die maximale Leistung, die der MOSFET dissipieren kann, ohne beschädigt zu werden. Die Verlustleistung wird durch den Strom (Id) und den Rds(on)-Wert bestimmt (P = I² * R).

  6. Wie bestimme ich die korrekte Gate-Ansteuerung für den IRFB 7440?

    Die korrekte Gate-Ansteuerung hängt von der Anwendung ab. Im Allgemeinen sollte die Gate-Spannung schnell ansteigen und abfallen, um Schaltverluste zu minimieren. Ein Gate-Treiber-IC kann verwendet werden, um eine geeignete Gate-Spannung und einen ausreichenden Strom zu liefern. Achten Sie darauf, die maximale Gate-Source-Spannung des IRFB 7440 (±20V) nicht zu überschreiten.

  7. Wo finde ich detailliertere Informationen zum IRFB 7440?

    Das detaillierteste Informationsquelle ist das offizielle Datenblatt des Herstellers (Infineon). Dieses enthält alle relevanten technischen Spezifikationen, Kennlinien und Anwendungshinweise. Sie finden das Datenblatt in der Regel auf der Webseite des Herstellers oder über eine einfache Internetsuche nach „IRFB 7440 Datenblatt“.

Bewertungen: 4.7 / 5. 777

Zusätzliche Informationen
Marke

Infineon

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