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IRF9952PBF - MOSFET N+P-Ch 30V 3

IRF9952PBF – MOSFET N+P-Ch 30V 3,5/2,3A SO8

0,45 €

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Artikelnummer: 9eedba6fcc0a Kategorie: MOSFETs
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  • IRF9952PBF – Der vielseitige MOSFET für Ihre Elektronikprojekte
    • Technische Daten im Überblick
    • Anwendungsbereiche – Wo der IRF9952PBF glänzt
    • Vorteile des IRF9952PBF im Detail
    • Technische Details und Spezifikationen
    • Der IRF9952PBF – Mehr als nur ein Bauteil
    • Häufig gestellte Fragen (FAQ)

IRF9952PBF – Der vielseitige MOSFET für Ihre Elektronikprojekte

Der IRF9952PBF ist ein leistungsstarker und kompakter MOSFET, der sowohl N-Kanal- als auch P-Kanal-Funktionalität in einem einzigen SO8-Gehäuse vereint. Dieses Dual-MOSFET-Design bietet eine beeindruckende Flexibilität und Effizienz für eine breite Palette von Anwendungen. Entdecken Sie die Möglichkeiten, die Ihnen dieses kleine Kraftpaket eröffnet, und lassen Sie Ihrer Kreativität in der Welt der Elektronik freien Lauf!

Technische Daten im Überblick

Bevor wir tiefer in die Anwendungsbereiche eintauchen, werfen wir einen Blick auf die wichtigsten technischen Daten des IRF9952PBF:

  • Typ: N+P-Kanal MOSFET
  • Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 30V
  • Drain-Strom (Id) N-Kanal: 3,5A
  • Drain-Strom (Id) P-Kanal: 2,3A
  • Gehäuse: SO8
  • Montageart: SMD (Surface Mount Device)
  • RoHS-konform: Ja

Diese Spezifikationen machen den IRF9952PBF zu einer ausgezeichneten Wahl für Projekte, bei denen sowohl hohe Schaltgeschwindigkeit als auch geringe Verlustleistung gefragt sind. Das SO8-Gehäuse ermöglicht eine einfache Integration in moderne Leiterplattenlayouts und trägt zur Miniaturisierung Ihrer Schaltungen bei.

Anwendungsbereiche – Wo der IRF9952PBF glänzt

Die Vielseitigkeit des IRF9952PBF macht ihn zu einem unverzichtbaren Bauteil in vielen Bereichen der Elektronik. Hier sind einige Beispiele, wie Sie diesen MOSFET optimal einsetzen können:

  • DC-DC-Wandler: Effiziente Energieumwandlung in tragbaren Geräten, Netzteilen und anderen Anwendungen. Die Kombination aus N- und P-Kanal MOSFETs ermöglicht synchrone Gleichrichterdesigns, die den Wirkungsgrad deutlich steigern.
  • Lastschalter: Präzise Steuerung von Stromkreisen in batteriebetriebenen Geräten, um die Lebensdauer der Batterie zu verlängern. Die geringen Durchlasswiderstände (Rds(on)) minimieren Leistungsverluste und Wärmeentwicklung.
  • Motorsteuerung: Ansteuerung kleiner DC-Motoren in Robotikprojekten, Modellbau und anderen Anwendungen. Die schnelle Schaltgeschwindigkeit ermöglicht eine präzise und effiziente Motorregelung.
  • LED-Ansteuerung: Dimmung und Steuerung von LEDs in Beleuchtungssystemen, Displays und anderen Anwendungen. Die Möglichkeit, sowohl N- als auch P-Kanal MOSFETs zu nutzen, bietet flexible Schaltungsdesigns für komplexe Beleuchtungslösungen.
  • Power Management: Optimierung des Energieverbrauchs in tragbaren Geräten und anderen energieempfindlichen Anwendungen. Der IRF9952PBF hilft, die Batterielaufzeit zu maximieren und die Wärmeentwicklung zu reduzieren.

Der IRF9952PBF ist mehr als nur ein Bauteil – er ist ein Schlüssel zur Innovation. Seine Leistungsfähigkeit und Flexibilität ermöglichen es Ihnen, Ihre Ideen in die Realität umzusetzen und Elektronikprojekte zu entwickeln, die nicht nur funktionieren, sondern auch begeistern.

Vorteile des IRF9952PBF im Detail

Was macht den IRF9952PBF so besonders? Lassen Sie uns die wichtigsten Vorteile genauer betrachten:

  • Kompaktes Design: Das SO8-Gehäuse spart Platz auf der Leiterplatte und ermöglicht die Miniaturisierung Ihrer Schaltungen.
  • Hohe Effizienz: Geringe Durchlasswiderstände (Rds(on)) minimieren Leistungsverluste und Wärmeentwicklung, was zu einer längeren Batterielaufzeit und einer höheren Zuverlässigkeit führt.
  • Vielseitigkeit: Die Kombination aus N- und P-Kanal MOSFETs in einem Gehäuse bietet flexible Schaltungsdesigns und reduziert die Anzahl der benötigten Bauteile.
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit: Ermöglicht präzise und effiziente Steuerung von Lasten, Motoren und anderen Anwendungen.
  • RoHS-konform: Entspricht den aktuellen Umweltstandards und ist somit eine nachhaltige Wahl für Ihre Projekte.

Der IRF9952PBF ist nicht nur ein technologisch fortschrittliches Bauteil, sondern auch eine Investition in die Zuverlässigkeit und Langlebigkeit Ihrer Elektronikprojekte. Mit diesem MOSFET können Sie sicher sein, dass Ihre Schaltungen optimal funktionieren und den höchsten Ansprüchen genügen.

Technische Details und Spezifikationen

Für detaillierte Informationen und technische Spezifikationen empfehlen wir Ihnen, das offizielle Datenblatt des Herstellers zu konsultieren. Hier finden Sie alle relevanten Parameter und Kennlinien, die für eine optimale Anwendung des IRF9952PBF erforderlich sind.

Hier eine Übersicht wichtiger Parameter:

Parameter N-Kanal P-Kanal Einheit
Drain-Source-Spannung (Vds) 30 -30 V
Gate-Source-Spannung (Vgs) ±20 ±20 V
Drain-Strom (Id) 3.5 -2.3 A
Puls-Drain-Strom (Idm) 25 -12 A
Verlustleistung (Pd) 2 2 W
Durchlasswiderstand Rds(on) (Vgs = 10V) 0.045 0.120 Ω

Bitte beachten Sie, dass die angegebenen Werte typische Werte sind und je nach Betriebsbedingungen variieren können. Eine sorgfältige Auslegung der Schaltung und eine korrekte Kühlung sind entscheidend, um die maximale Leistung des IRF9952PBF zu gewährleisten.

Der IRF9952PBF – Mehr als nur ein Bauteil

Der IRF9952PBF ist mehr als nur ein MOSFET. Er ist ein Werkzeug, das Ihnen die Möglichkeit gibt, innovative Elektronikprojekte zu realisieren und Ihre Ideen in die Tat umzusetzen. Ob Sie ein erfahrener Ingenieur oder ein begeisterter Hobbybastler sind, der IRF9952PBF bietet Ihnen die Leistung und Flexibilität, die Sie für Ihre Projekte benötigen.

Investieren Sie in Qualität und Zuverlässigkeit – wählen Sie den IRF9952PBF für Ihre nächsten Elektronikprojekte und erleben Sie den Unterschied!

Häufig gestellte Fragen (FAQ)

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum IRF9952PBF:

1. Was bedeutet die Bezeichnung „N+P-Kanal“ bei einem MOSFET?

Ein N+P-Kanal MOSFET bedeutet, dass das Bauteil sowohl einen N-Kanal- als auch einen P-Kanal-MOSFET in einem einzigen Gehäuse vereint. Dies ermöglicht vielseitige Schaltungsdesigns, da beide MOSFET-Typen gleichzeitig verwendet werden können.

2. Welche Vorsichtsmaßnahmen sollte ich beim Umgang mit dem IRF9952PBF beachten?

MOSFETs sind empfindlich gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD). Es ist wichtig, ESD-Schutzmaßnahmen zu treffen, wie z.B. das Tragen eines Erdungsarmbands und das Arbeiten auf einer ESD-geschützten Unterlage. Vermeiden Sie es auch, die Pins des MOSFETs direkt zu berühren.

3. Kann ich den IRF9952PBF für PWM-Anwendungen verwenden?

Ja, der IRF9952PBF eignet sich gut für PWM-Anwendungen (Pulsweitenmodulation). Seine schnelle Schaltgeschwindigkeit ermöglicht eine präzise Steuerung von Lasten durch Variation der Pulsweite des Signals.

4. Wie berechne ich die benötigte Kühlung für den IRF9952PBF?

Die benötigte Kühlung hängt von der Verlustleistung des MOSFETs und der Umgebungstemperatur ab. Berechnen Sie die Verlustleistung anhand des Drain-Stroms und des Durchlasswiderstands (Rds(on)). Verwenden Sie dann die thermischen Widerstandswerte aus dem Datenblatt, um die erforderliche Kühlkörpergröße zu bestimmen.

5. Wo finde ich ein Datenblatt für den IRF9952PBF?

Ein Datenblatt für den IRF9952PBF finden Sie in der Regel auf der Website des Herstellers (z.B. Infineon oder International Rectifier). Geben Sie einfach „IRF9952PBF datasheet“ in eine Suchmaschine ein, um das aktuelle Datenblatt zu finden.

6. Was bedeutet RoHS-konform?

RoHS steht für „Restriction of Hazardous Substances“ (Beschränkung der Verwendung bestimmter gefährlicher Stoffe). Ein RoHS-konformes Produkt erfüllt die Richtlinien der Europäischen Union zur Beschränkung der Verwendung bestimmter gefährlicher Stoffe in Elektro- und Elektronikgeräten.

7. Was ist der Unterschied zwischen einem N-Kanal- und einem P-Kanal-MOSFET?

Ein N-Kanal-MOSFET leitet, wenn eine positive Spannung an das Gate angelegt wird, während ein P-Kanal-MOSFET leitet, wenn eine negative Spannung an das Gate angelegt wird. N-Kanal-MOSFETs haben in der Regel einen geringeren Durchlasswiderstand und eine höhere Schaltgeschwindigkeit als P-Kanal-MOSFETs.

Bewertungen: 4.9 / 5. 473

Zusätzliche Informationen
Marke

Infineon

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