IRF9520NPBF – MOSFET, P-CH, -100V, 6,8A, 0,48R, TO-220AB

IRF9520NPBF MOSFET: Der zuverlässige Partner für Ihre Schaltungen

Der IRF9520NPBF ist ein robuster und vielseitiger P-Kanal MOSFET, der sich ideal für eine breite Palette von Anwendungen eignet, bei denen eine effiziente und zuverlässige Steuerung von Leistung benötigt wird. Von Stromversorgungen bis hin zu Motorsteuerungen, dieser MOSFET bietet die Performance und Stabilität, die Sie für Ihre anspruchsvollsten Projekte benötigen. Entdecken Sie die Möglichkeiten, die Ihnen der IRF9520NPBF eröffnet und lassen Sie sich von seiner Leistungsfähigkeit inspirieren!

Technische Details im Überblick

Hier sind die wichtigsten technischen Spezifikationen des IRF9520NPBF, die Ihnen helfen werden, seine Eignung für Ihre spezifische Anwendung zu beurteilen:

• Kanal-Typ: P-Kanal
• Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): -100V
• Kontinuierlicher Drain-Strom (Id): -6,8A
• On-State-Widerstand (Rds(on)): 0,48 Ohm (bei Vgs = -10V)
• Gehäuse: TO-220AB

Diese Kennwerte machen den IRF9520NPBF zu einer ausgezeichneten Wahl für Anwendungen, die eine moderate Stromstärke und eine hohe Spannungsfestigkeit erfordern. Der niedrige On-State-Widerstand minimiert Verluste und trägt zu einem effizienten Betrieb bei.

Warum der IRF9520NPBF die richtige Wahl ist

In der Welt der Elektronik kommt es auf Präzision, Zuverlässigkeit und Effizienz an. Der IRF9520NPBF wurde entwickelt, um all diese Anforderungen zu erfüllen. Seine robuste Bauweise und seine hervorragenden elektrischen Eigenschaften machen ihn zu einer idealen Komponente für eine Vielzahl von Anwendungen. Stellen Sie sich vor, wie dieser MOSFET Ihre Projekte optimieren und Ihnen helfen kann, Ihre Ziele zu erreichen!

Ein entscheidender Vorteil des IRF9520NPBF ist sein P-Kanal-Design. Dies ermöglicht eine einfachere Ansteuerung in bestimmten Schaltungskonfigurationen, insbesondere bei High-Side-Switching-Anwendungen. Darüber hinaus ist das TO-220AB-Gehäuse weit verbreitet und einfach zu handhaben, was die Integration in Ihre bestehenden Designs vereinfacht.

Anwendungsbereiche des IRF9520NPBF

Die Vielseitigkeit des IRF9520NPBF zeigt sich in den zahlreichen Anwendungsbereichen, in denen er eingesetzt werden kann. Hier sind einige Beispiele, die Ihnen als Inspiration dienen sollen:

• Stromversorgungen: Effiziente Schaltregler und DC-DC-Wandler
• Motorsteuerungen: Ansteuerung von DC-Motoren in Robotik und Automatisierung
• Leistungsverstärker: Audioverstärker und andere Verstärkerschaltungen
• Beleuchtungssysteme: Steuerung von LED-Beleuchtung und anderen Lichtquellen
• Batteriemanagementsysteme (BMS): Schutz und Steuerung von Batterieladung und -entladung

Der IRF9520NPBF ist nicht nur ein Bauteil, sondern ein Schlüssel zur Verwirklichung Ihrer Ideen. Ob Sie ein ambitionierter Hobbybastler oder ein erfahrener Ingenieur sind, dieser MOSFET bietet Ihnen die Werkzeuge, die Sie benötigen, um Ihre Visionen in die Realität umzusetzen. Lassen Sie sich von den Möglichkeiten inspirieren und entdecken Sie, was Sie mit dem IRF9520NPBF alles erreichen können!

Technische Daten im Detail

Parameter	Wert	Einheit
Drain-Source-Spannung (Vds)	-100	V
Gate-Source-Spannung (Vgs)	±20	V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)	-6,8	A
Puls-Drain-Strom (Idm)	-27	A
Gesamtverlustleistung (Pd)	48	W
On-State-Widerstand (Rds(on)) @ Vgs=-10V	0,48	Ω
Gate-Ladung (Qg)	22	nC
Eingangskapazität (Ciss)	680	pF
Ausgangskapazität (Coss)	220	pF
Sperrverzögerungszeit (td(on))	12	ns
Anstiegszeit (tr)	38	ns
Fallzeit (tf)	29	ns
Gehäuse	TO-220AB	–

Diese detaillierten Spezifikationen bieten Ihnen einen umfassenden Überblick über die Leistungsfähigkeit des IRF9520NPBF und helfen Ihnen bei der präzisen Planung Ihrer Schaltungen. Nutzen Sie diese Informationen, um das volle Potenzial dieses MOSFETs auszuschöpfen!

Praktische Tipps für die Anwendung

Um das Beste aus dem IRF9520NPBF herauszuholen, hier einige praktische Tipps für die Anwendung:

• Kühlung: Bei höheren Strömen und Verlustleistungen ist eine angemessene Kühlung unerlässlich, um die Lebensdauer des MOSFETs zu verlängern und eine zuverlässige Funktion zu gewährleisten. Verwenden Sie Kühlkörper und Wärmeleitpaste, um die Wärme effektiv abzuleiten.
• Gate-Ansteuerung: Achten Sie auf eine saubere und schnelle Gate-Ansteuerung, um Schaltverluste zu minimieren und die Effizienz zu maximieren. Verwenden Sie geeignete Gate-Treiber und Vorwiderstände.
• Schutzschaltungen: Integrieren Sie Schutzdioden und Überspannungsschutz, um den MOSFET vor Schäden durch induktive Lasten und transiente Spannungen zu schützen.
• Layout: Ein sorgfältiges Layout der Leiterplatte ist entscheidend für die Performance des MOSFETs. Minimieren Sie die Induktivität der Strompfade und platzieren Sie Entkopplungskondensatoren in der Nähe des MOSFETs.

Mit diesen Tipps sind Sie bestens gerüstet, um den IRF9520NPBF erfolgreich in Ihren Projekten einzusetzen. Denken Sie daran, dass sorgfältige Planung und Ausführung der Schlüssel zu einer optimalen Performance sind. Wir wünschen Ihnen viel Erfolg bei Ihren Projekten!

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IRF9520NPBF

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum IRF9520NPBF. Diese Informationen sollen Ihnen helfen, das Produkt besser zu verstehen und es optimal in Ihren Projekten einzusetzen.

Was bedeutet die Bezeichnung „P-Kanal“ bei einem MOSFET?

Ein P-Kanal MOSFET leitet Strom, wenn die Gate-Spannung negativer als die Source-Spannung ist. Im Gegensatz zu N-Kanal MOSFETs, die bei positiver Gate-Spannung leiten, sind P-Kanal MOSFETs oft einfacher in High-Side-Switching-Anwendungen zu verwenden.

Wie berechne ich die Verlustleistung des IRF9520NPBF?

Die Verlustleistung (Pd) wird hauptsächlich durch den On-State-Widerstand (Rds(on)) und den Strom (Id) bestimmt. Die Formel lautet: Pd = Id² * Rds(on). Beachten Sie, dass diese Berechnung nur die Verluste durch den On-State-Widerstand berücksichtigt. Schaltverluste können bei höheren Frequenzen ebenfalls relevant sein.

Kann ich den IRF9520NPBF parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?

Ja, es ist möglich, MOSFETs parallel zu schalten, um den Strom zu erhöhen. Allerdings ist es wichtig, Maßnahmen zu treffen, um eine gleichmäßige Stromverteilung zu gewährleisten. Dies kann durch individuelle Gate-Widerstände und sorgfältiges Layout erreicht werden. Beachten Sie auch, dass die Temperaturverteilung der MOSFETs ähnlich sein sollte, um ein thermisches Durchgehen zu vermeiden.

Welche Alternativen gibt es zum IRF9520NPBF?

Es gibt verschiedene Alternativen zum IRF9520NPBF, abhängig von Ihren spezifischen Anforderungen. Einige gängige Alternativen sind der IRF9530 (höherer Strom) oder der IRF9540 (höherer Strom und niedrigere Rds(on)). Es ist wichtig, die Datenblätter der Alternativen sorgfältig zu prüfen, um sicherzustellen, dass sie Ihren Anforderungen entsprechen.

Wie kann ich den IRF9520NPBF vor ESD-Schäden schützen?

ESD-Schäden (elektrostatische Entladung) können MOSFETs beschädigen. Um dies zu verhindern, sollten Sie beim Umgang mit dem IRF9520NPBF ESD-sichere Arbeitsmethoden anwenden. Dies umfasst das Tragen eines Erdungsarmbandes, das Arbeiten auf einer ESD-geschützten Matte und die Verwendung von ESD-sicheren Verpackungsmaterialien.

Was ist der Unterschied zwischen einem Logic-Level-MOSFET und einem Standard-MOSFET wie dem IRF9520NPBF?

Logic-Level-MOSFETs sind so konzipiert, dass sie mit niedrigeren Gate-Spannungen vollständig leitend werden, typischerweise 5V oder sogar 3,3V. Standard-MOSFETs benötigen oft höhere Gate-Spannungen (z.B. 10V), um ihren vollen spezifizierten Strom zu leiten. Der IRF9520NPBF ist kein Logic-Level-MOSFET und benötigt eine Gate-Spannung von -10V, um seinen spezifizierten Rds(on) zu erreichen.

Wo finde ich ein Datenblatt für den IRF9520NPBF?

Sie finden das offizielle Datenblatt für den IRF9520NPBF auf der Website des Herstellers (z.B. Infineon oder Vishay) oder auf gängigen Elektronik-Distributionsseiten wie Mouser oder Digi-Key. Das Datenblatt enthält detaillierte Informationen über die elektrischen Eigenschaften, die thermischen Eigenschaften und die empfohlenen Betriebsbedingungen des MOSFETs.

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