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IRF7313PBF - Dual-MOSFET N-Kanal

IRF7313PBF – Dual-MOSFET N-Kanal, 30 V, 6,5 A, Rds(on) 0,029 Ohm, SO8

0,82 €

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Artikelnummer: 3306105905e2 Kategorie: MOSFETs
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Beschreibung

Inhalt

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  • IRF7313PBF – Dual-MOSFET N-Kanal: Leistungsstark und Effizient für Ihre Elektronikprojekte
  • Die Leistungsmerkmale des IRF7313PBF im Detail
    • Technische Daten im Überblick
  • Anwendungsbereiche: Wo der IRF7313PBF glänzt
  • Warum der IRF7313PBF die richtige Wahl ist
  • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IRF7313PBF

IRF7313PBF – Dual-MOSFET N-Kanal: Leistungsstark und Effizient für Ihre Elektronikprojekte

Entdecken Sie den IRF7313PBF, einen hochmodernen Dual-MOSFET N-Kanal, der Ihre Elektronikprojekte auf ein neues Level hebt. Dieser kompakte und leistungsstarke Chip vereint zwei N-Kanal MOSFETs in einem einzigen SO8-Gehäuse, wodurch er sich ideal für Anwendungen eignet, bei denen Platz und Effizienz entscheidend sind. Ob Sie ein erfahrener Ingenieur, ein ambitionierter Bastler oder ein engagierter Student sind, der IRF7313PBF bietet Ihnen die Performance und Vielseitigkeit, die Sie für Ihre innovativen Projekte benötigen.

Die Leistungsmerkmale des IRF7313PBF im Detail

Der IRF7313PBF überzeugt durch eine Reihe von beeindruckenden Leistungsmerkmalen, die ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen machen:

  • Dual-MOSFET N-Kanal: Integriert zwei unabhängige N-Kanal MOSFETs in einem einzigen Gehäuse, was Platz spart und die Designflexibilität erhöht.
  • 30 V Drain-Source-Spannung (Vds): Bietet eine solide Basis für Anwendungen, die eine moderate Spannungsfestigkeit erfordern.
  • 6,5 A kontinuierlicher Drain-Strom (Id): Ermöglicht den Betrieb bei höheren Strömen und unterstützt anspruchsvollere Lasten.
  • Niedriger Einschaltwiderstand (Rds(on) 0,029 Ohm): Minimiert Leistungsverluste und verbessert die Effizienz Ihrer Schaltung.
  • SO8-Gehäuse: Kompakte Bauform, die sich leicht in bestehende Designs integrieren lässt und wertvollen Platz auf der Leiterplatte spart.

Technische Daten im Überblick

Um Ihnen einen detaillierten Einblick in die technischen Spezifikationen des IRF7313PBF zu geben, haben wir eine übersichtliche Tabelle erstellt:

Parameter Wert Einheit
Drain-Source-Spannung (Vds) 30 V
Gate-Source-Spannung (Vgs) ±20 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) 6,5 A
Puls-Drain-Strom (Idm) 38 A
Einschaltwiderstand (Rds(on)) 0,029 Ohm
Gesamtverlustleistung (Pd) 2 W
Betriebstemperatur (Tj) -55 bis +150 °C
Gehäuse SO8 –

Anwendungsbereiche: Wo der IRF7313PBF glänzt

Der IRF7313PBF ist ein echter Allrounder und findet in einer Vielzahl von Anwendungen seinen Platz. Hier sind einige Beispiele, die Ihnen zeigen, wie vielseitig dieser Dual-MOSFET ist:

  • DC-DC-Wandler: Ideal für effiziente und kompakte Stromversorgungslösungen.
  • Lastschalter: Ermöglicht das sichere und zuverlässige Schalten von Lasten in verschiedenen Anwendungen.
  • Motorsteuerungen: Perfekt für kleine bis mittelgroße Motorsteuerungen, bei denen Präzision und Effizienz gefragt sind.
  • Batteriemanagementsysteme (BMS): Unterstützt das effiziente Laden und Entladen von Batterien in tragbaren Geräten und anderen Anwendungen.
  • LED-Treiber: Sorgt für eine konstante und effiziente Stromversorgung von LEDs, wodurch eine lange Lebensdauer und optimale Helligkeit gewährleistet werden.

Warum der IRF7313PBF die richtige Wahl ist

Neben den bereits genannten Leistungsmerkmalen bietet der IRF7313PBF noch weitere Vorteile, die ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für Ihre Projekte machen:

  • Hohe Effizienz: Der niedrige Einschaltwiderstand (Rds(on)) minimiert Leistungsverluste und trägt zu einer höheren Gesamteffizienz Ihrer Schaltung bei. Das bedeutet weniger Wärmeentwicklung und eine längere Lebensdauer Ihrer Komponenten.
  • Kompakte Bauform: Das SO8-Gehäuse spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte und ermöglicht die Realisierung kompakter und platzsparender Designs.
  • Zuverlässigkeit: Der IRF7313PBF ist ein robustes und zuverlässiges Bauteil, das auch unter anspruchsvollen Bedingungen eine stabile Leistung bietet.
  • Einfache Integration: Die Standard-Pinbelegung des SO8-Gehäuses ermöglicht eine einfache Integration in bestehende Designs und erleichtert den Entwicklungsprozess.
  • Kosteneffizient: Der IRF7313PBF bietet ein hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis und ist eine kostengünstige Lösung für eine Vielzahl von Anwendungen.

Stellen Sie sich vor, Sie arbeiten an einem neuen, innovativen Projekt, das höchste Ansprüche an Effizienz und Zuverlässigkeit stellt. Mit dem IRF7313PBF haben Sie das perfekte Werkzeug an der Hand, um Ihre Visionen zu verwirklichen. Die hohe Leistungsfähigkeit, die kompakte Bauform und die einfache Integration machen diesen Dual-MOSFET zu einem unverzichtbaren Bestandteil Ihrer Elektronikprojekte.

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IRF7313PBF

Wir haben für Sie die häufigsten Fragen zum IRF7313PBF zusammengestellt, um Ihnen bei der Entscheidungsfindung zu helfen:

  1. Frage: Was bedeutet „Dual-MOSFET N-Kanal“?

    Antwort: Ein Dual-MOSFET N-Kanal bedeutet, dass sich zwei separate N-Kanal MOSFETs in einem einzigen Gehäuse befinden. Dies spart Platz und ermöglicht eine flexiblere Schaltungsgestaltung.

  2. Frage: Kann ich den IRF7313PBF parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?

    Antwort: Ja, es ist möglich, die beiden MOSFETs im IRF7313PBF parallel zu schalten, um den maximalen Strom zu erhöhen. Beachten Sie jedoch, dass dies eine sorgfältige Auslegung erfordert, um eine gleichmäßige Stromverteilung zu gewährleisten.

  3. Frage: Welche Kühlmaßnahmen sind bei hohen Strömen erforderlich?

    Antwort: Bei hohen Strömen kann es notwendig sein, Kühlmaßnahmen zu ergreifen, um die Betriebstemperatur des IRF7313PBF zu senken. Dies kann durch den Einsatz von Kühlkörpern oder durch eine verbesserte Wärmeableitung der Leiterplatte erreicht werden.

  4. Frage: Ist der IRF7313PBF ESD-empfindlich?

    Antwort: Ja, wie die meisten MOSFETs ist auch der IRF7313PBF ESD-empfindlich. Es ist wichtig, beim Umgang mit dem Bauteil ESD-Schutzmaßnahmen zu ergreifen, um Beschädigungen zu vermeiden.

  5. Frage: Wo finde ich detaillierte Datenblätter und Anwendungsbeispiele?

    Antwort: Detaillierte Datenblätter und Anwendungsbeispiele für den IRF7313PBF finden Sie auf der Website des Herstellers oder in den technischen Dokumentationen, die wir Ihnen gerne zur Verfügung stellen.

  6. Frage: Welche Vorteile bietet der geringe Rds(on) Wert?

    Antwort: Der geringe Rds(on) Wert minimiert die Verluste durch den Widerstand des MOSFETs im eingeschalteten Zustand. Dadurch wird weniger Wärme erzeugt, die Effizienz gesteigert und die Lebensdauer verlängert.

  7. Frage: Ist der IRF7313PBF für Audio-Anwendungen geeignet?

    Antwort: Der IRF7313PBF kann in einigen Audio-Anwendungen eingesetzt werden, jedoch sollte man die spezifischen Anforderungen der Anwendung berücksichtigen, da er primär für Schaltanwendungen optimiert ist.

Wir hoffen, diese Informationen haben Ihnen geholfen, den IRF7313PBF besser kennenzulernen. Bestellen Sie noch heute und erleben Sie die Leistung und Vielseitigkeit dieses außergewöhnlichen Dual-MOSFET N-Kanals!

Bewertungen: 4.6 / 5. 625

Zusätzliche Informationen
Marke

Infineon

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