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IRF5210SPBF - MOSFET

IRF5210SPBF – MOSFET, P-Ch, -100 V, -38 A, Rds(on) 0,06 Ohm, D2Pak

4,99 €

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Artikelnummer: bbce0edbd99d Kategorie: MOSFETs
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Beschreibung

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  • IRF5210SPBF: Der P-Kanal MOSFET für anspruchsvolle Anwendungen
  • Technische Highlights des IRF5210SPBF
    • Detaillierte Spezifikationen im Überblick
  • Anwendungsbereiche des IRF5210SPBF
  • Warum den IRF5210SPBF wählen?
  • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IRF5210SPBF

IRF5210SPBF: Der P-Kanal MOSFET für anspruchsvolle Anwendungen

Entdecken Sie den IRF5210SPBF, einen leistungsstarken P-Kanal MOSFET, der speziell für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde, bei denen Effizienz und Zuverlässigkeit im Vordergrund stehen. Dieser MOSFET im robusten D2Pak-Gehäuse bietet eine beeindruckende Kombination aus hoher Spannungsfestigkeit, niedrigem Einschaltwiderstand und exzellenten thermischen Eigenschaften. Egal, ob Sie ein erfahrener Ingenieur oder ein ambitionierter Hobbyist sind, der IRF5210SPBF ist die ideale Wahl für Ihre nächste Schaltungsdesign-Herausforderung.

Technische Highlights des IRF5210SPBF

Der IRF5210SPBF zeichnet sich durch eine Vielzahl technischer Merkmale aus, die ihn von anderen MOSFETs abheben:

  • Spannungsfestigkeit: Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von -100 V ist der IRF5210SPBF bestens geeignet für Anwendungen, die hohe Spannungen erfordern.
  • Hoher Strom: Der MOSFET kann einen kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu -38 A verarbeiten, was ihn ideal für leistungsstarke Schaltungen macht.
  • Niedriger Einschaltwiderstand: Der typische Rds(on) von nur 0,06 Ohm minimiert die Verlustleistung und verbessert die Effizienz Ihrer Schaltung.
  • Robustes Gehäuse: Das D2Pak-Gehäuse bietet eine hervorragende Wärmeableitung und ermöglicht eine einfache Montage auf der Leiterplatte.

Detaillierte Spezifikationen im Überblick

Um Ihnen einen noch besseren Einblick in die Leistungsfähigkeit des IRF5210SPBF zu geben, haben wir die wichtigsten technischen Daten in einer übersichtlichen Tabelle zusammengefasst:

Parameter Wert Einheit
Drain-Source-Spannung (Vds) -100 V
Drain-Strom (Id) -38 A
Einschaltwiderstand (Rds(on)) @ Vgs=-10V 0.06 Ohm
Gate-Source-Spannung (Vgs) ±20 V
Verlustleistung (Pd) 130 W
Gehäuse D2Pak

Anwendungsbereiche des IRF5210SPBF

Die Vielseitigkeit des IRF5210SPBF macht ihn zur idealen Wahl für eine breite Palette von Anwendungen, darunter:

  • DC-DC-Wandler: Effiziente Spannungsregelung in Schaltnetzteilen und DC-DC-Wandlern.
  • Motorsteuerung: Präzise Steuerung von DC-Motoren in verschiedenen Anwendungen.
  • Lastschalter: Zuverlässiges Schalten von Lasten in Stromversorgungen und Batteriesystemen.
  • Power-Management: Optimierung des Energieverbrauchs in tragbaren Geräten und embedded Systems.
  • Audio-Verstärker: Leistungsstarke Verstärkung von Audiosignalen mit geringer Verzerrung.

Stellen Sie sich vor, Sie entwickeln ein hochmodernes Batteriemanagementsystem für ein Elektrofahrrad. Der IRF5210SPBF ermöglicht es Ihnen, den Ladestrom präzise zu steuern und die Lebensdauer des Akkus zu maximieren. Oder vielleicht arbeiten Sie an einem energieeffizienten DC-DC-Wandler für ein Solarpanel-System. Mit seinem niedrigen Einschaltwiderstand minimiert der IRF5210SPBF die Verluste und sorgt für eine optimale Energieausbeute.

Warum den IRF5210SPBF wählen?

Die Entscheidung für den IRF5210SPBF ist eine Investition in Qualität und Zuverlässigkeit. Dieser MOSFET bietet Ihnen:

  • Hohe Leistung: Bewältigen Sie anspruchsvolle Anwendungen mit Leichtigkeit.
  • Effizienz: Minimieren Sie Verluste und maximieren Sie die Energieausbeute.
  • Zuverlässigkeit: Vertrauen Sie auf eine robuste Konstruktion und eine lange Lebensdauer.
  • Einfache Integration: Das D2Pak-Gehäuse ermöglicht eine problemlose Montage auf der Leiterplatte.

Darüber hinaus profitieren Sie von der Verfügbarkeit umfangreicher technischer Dokumentation und Applikationshinweisen, die Ihnen bei der optimalen Nutzung des IRF5210SPBF helfen. Unser Team steht Ihnen jederzeit mit Rat und Tat zur Seite, um Ihre Fragen zu beantworten und Sie bei der Auswahl der richtigen Komponenten für Ihre Anwendung zu unterstützen.

Warten Sie nicht länger und entdecken Sie die unbegrenzten Möglichkeiten, die der IRF5210SPBF Ihnen bietet. Bestellen Sie noch heute und erleben Sie den Unterschied!

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IRF5210SPBF

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum IRF5210SPBF:

  1. Frage: Was bedeutet die Bezeichnung „P-Kanal“ bei einem MOSFET?

    Antwort: Ein P-Kanal MOSFET leitet Strom, wenn die Gate-Source-Spannung negativer ist als die Schwellenspannung. Im Gegensatz dazu leitet ein N-Kanal MOSFET Strom, wenn die Gate-Source-Spannung positiver ist als die Schwellenspannung.

  2. Frage: Was ist der Unterschied zwischen Rds(on) und dem normalen Widerstand?

    Antwort: Rds(on) ist der Drain-Source-Widerstand des MOSFET im eingeschalteten Zustand. Er gibt an, wie viel Widerstand der MOSFET dem Stromfluss entgegensetzt, wenn er vollständig eingeschaltet ist. Ein niedrigerer Rds(on) Wert bedeutet weniger Verlustleistung und höhere Effizienz.

  3. Frage: Kann ich den IRF5210SPBF auch für N-Kanal Anwendungen verwenden?

    Antwort: Nein, der IRF5210SPBF ist ein P-Kanal MOSFET und ist nicht für N-Kanal Anwendungen geeignet. Für N-Kanal Anwendungen benötigen Sie einen entsprechenden N-Kanal MOSFET.

  4. Frage: Welche Vorsichtsmaßnahmen muss ich bei der Handhabung von MOSFETs beachten?

    Antwort: MOSFETs sind elektrostatisch empfindliche Bauelemente. Es ist wichtig, antistatische Maßnahmen zu ergreifen, um Schäden durch elektrostatische Entladung zu vermeiden. Verwenden Sie beispielsweise ein Erdungsarmband und arbeiten Sie auf einer antistatischen Matte.

  5. Frage: Wo finde ich detailliertere technische Informationen und Applikationshinweise zum IRF5210SPBF?

    Antwort: Detaillierte technische Informationen, Datenblätter und Applikationshinweise finden Sie auf der Herstellerseite des IRF5210SPBF oder in unserem Download-Bereich.

  6. Frage: Was bedeutet die Abkürzung „SPBF“ in der Produktbezeichnung IRF5210SPBF?

    Antwort: „SPBF“ steht für „Substance Pb-Free“, was bedeutet, dass der IRF5210SPBF bleifrei ist und den RoHS-Richtlinien entspricht.

  7. Frage: Welchen Kühlkörper sollte ich für den IRF5210SPBF verwenden?

    Antwort: Die Wahl des Kühlkörpers hängt von der Verlustleistung in Ihrer Anwendung ab. Berechnen Sie die Verlustleistung und wählen Sie einen Kühlkörper, der die Wärme ausreichend ableiten kann, um die maximale Betriebstemperatur des MOSFETs nicht zu überschreiten.

  8. Frage: Ist der IRF5210SPBF für Automotive-Anwendungen geeignet?

    Antwort: Obwohl der IRF5210SPBF in vielen Anwendungen eingesetzt werden kann, sollte die Eignung für Automotive-Anwendungen anhand der spezifischen Anforderungen und Standards geprüft werden. Es gibt spezielle Automotive-qualifizierte MOSFETs, die möglicherweise besser geeignet sind.

Bewertungen: 4.6 / 5. 331

Zusätzliche Informationen
Marke

Infineon

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