IRF 7319 – Dual-MOSFET, N+P-Kanal, 30/-30 V, 6,5/-4,9 A, 2 W, SO-8

IRF7319, HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibungHEXFETs der fünften Generation nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Design, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Bauteil für eine Vielzahl von Anwendungen. Der SO-8 wurde durch einen kundenspezifischen Leadframe modifiziert, um die thermischen Eigenschaften und die Fähigkeit zur Verwendung mehrerer Bauelemente zu verbessern, wodurch er sich ideal für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen eignet. Dank dieser Verbesserungen können mehrere Bauelemente in einer Anwendung eingesetzt werden, wobei der Platzbedarf auf der Leiterplatte drastisch reduziert wird. Das Gehäuse ist für Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt.Merkmale:• Generation V Technologie• Ultra-niedriger Einschalt-Widerstand• Dual N- und P-Kanal-MOSFET• Oberflächenmontage• Vollständig Avalanche-geeignet