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IRF 640 VIS - MOSFET

IRF 640 VIS – MOSFET, N-Kanal, 200 V, 18 A, RDS(on) 0,18 Ohm, TO-220AB

0,84 €

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Artikelnummer: df2a1b4fca92 Kategorie: MOSFETs
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Beschreibung

Inhalt

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  • IRF 640 VIS – Der N-Kanal MOSFET für zuverlässige Leistung
    • Technische Daten, die überzeugen
    • Anwendungsbereiche: Vielseitigkeit in Perfektion
    • Warum der IRF 640 VIS Ihre erste Wahl sein sollte
    • Das TO-220AB Gehäuse: Kompakt und effizient
    • Vergleich zu anderen MOSFETs
    • Tipps und Tricks für den optimalen Einsatz
  • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IRF 640 VIS

IRF 640 VIS – Der N-Kanal MOSFET für zuverlässige Leistung

Entdecken Sie den IRF 640 VIS, einen robusten und vielseitigen N-Kanal MOSFET, der in keiner gut sortierten Elektronikwerkstatt fehlen sollte. Dieser Transistor ist nicht nur ein Bauteil, sondern ein zuverlässiger Partner für Ihre anspruchsvollsten Projekte, der durch seine Leistungsfähigkeit und Präzision überzeugt. Ob in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen oder Verstärkern – der IRF 640 VIS liefert stets eine stabile und effiziente Performance.

Der IRF 640 VIS ist bekannt für seine Fähigkeit, hohe Spannungen und Ströme zu schalten, was ihn zu einer idealen Wahl für Anwendungen macht, die eine zuverlässige und leistungsstarke Komponente erfordern. Erleben Sie, wie dieser MOSFET Ihre Projekte beflügelt und Ihnen neue Möglichkeiten eröffnet.

Technische Daten, die überzeugen

Der IRF 640 VIS beeindruckt mit seinen technischen Daten, die ihn zu einer herausragenden Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen machen. Hier ein detaillierter Blick auf die wichtigsten Spezifikationen:

  • Typ: N-Kanal MOSFET
  • Spannung (Vds): 200 V
  • Strom (Id): 18 A
  • RDS(on): 0,18 Ohm (bei Vgs = 10 V)
  • Gehäuse: TO-220AB

Diese Werte sprechen für sich: Der IRF 640 VIS bietet eine hohe Schaltgeschwindigkeit, einen geringen Durchlasswiderstand und eine ausgezeichnete thermische Stabilität. Das TO-220AB Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage und Kühlung, was die Zuverlässigkeit und Lebensdauer des MOSFETs weiter erhöht.

Anwendungsbereiche: Vielseitigkeit in Perfektion

Die Vielseitigkeit des IRF 640 VIS kennt kaum Grenzen. Er ist die ideale Lösung für eine breite Palette von Anwendungen, von der Stromversorgung bis zur Motorsteuerung. Lassen Sie uns einige der typischen Einsatzgebiete genauer betrachten:

  • Schaltnetzteile: Dank seiner hohen Spannungsfestigkeit und Schaltgeschwindigkeit ist der IRF 640 VIS perfekt für den Einsatz in Schaltnetzteilen, die eine effiziente und zuverlässige Stromversorgung gewährleisten müssen.
  • Motorsteuerungen: In Motorsteuerungen sorgt der MOSFET für eine präzise und effiziente Steuerung der Motordrehzahl und -richtung. Seine Robustheit und Leistungsfähigkeit machen ihn zur idealen Wahl für anspruchsvolle Anwendungen.
  • Verstärker: Ob Audio- oder Leistungsverstärker, der IRF 640 VIS liefert eine saubere und verzerrungsfreie Verstärkung von Signalen. Seine geringe Eingangskapazität und schnelle Schaltzeiten tragen zu einer exzellenten Klangqualität bei.
  • DC-DC Wandler: Der IRF 640 VIS eignet sich hervorragend für DC-DC Wandler, die eine effiziente und stabile Umwandlung von Gleichspannungen erfordern.
  • LED-Dimmer: Durch seine Fähigkeit, hohe Ströme zu schalten, kann der IRF 640 VIS in LED-Dimmern verwendet werden, um die Helligkeit von LEDs präzise zu steuern.

Die Liste ließe sich noch lange fortsetzen. Der IRF 640 VIS ist ein wahrer Allrounder, der in nahezu jedem elektronischen Projekt eine wertvolle Rolle spielen kann. Seine Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit machen ihn zu einer Investition, die sich langfristig auszahlt.

Warum der IRF 640 VIS Ihre erste Wahl sein sollte

Es gibt viele Gründe, warum der IRF 640 VIS die ideale Wahl für Ihre Projekte ist. Hier sind einige der wichtigsten Vorteile auf einen Blick:

  • Hohe Spannungsfestigkeit: Mit einer Spannungsfestigkeit von 200 V ist der IRF 640 VIS in der Lage, auch anspruchsvolle Anwendungen zuverlässig zu meistern.
  • Hoher Strom: Der MOSFET kann Ströme von bis zu 18 A schalten, was ihn für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet macht.
  • Geringer Durchlasswiderstand (RDS(on)): Der geringe RDS(on) von 0,18 Ohm minimiert die Verluste und sorgt für eine hohe Effizienz.
  • Einfache Montage: Das TO-220AB Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage und Kühlung.
  • Zuverlässigkeit: Der IRF 640 VIS ist ein robustes und zuverlässiges Bauteil, das auch unter anspruchsvollen Bedingungen eine stabile Leistung liefert.

Der IRF 640 VIS ist mehr als nur ein Bauteil – er ist ein Garant für Qualität und Zuverlässigkeit. Mit diesem MOSFET setzen Sie auf eine Komponente, die Ihre Projekte auf ein neues Level hebt.

Das TO-220AB Gehäuse: Kompakt und effizient

Das TO-220AB Gehäuse des IRF 640 VIS ist nicht nur kompakt und einfach zu handhaben, sondern auch äußerst effizient in Bezug auf die Wärmeableitung. Dieses Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage auf Kühlkörpern, um die Wärme, die während des Betriebs entsteht, effektiv abzuführen. Dies ist besonders wichtig, um die Lebensdauer und Zuverlässigkeit des MOSFETs zu gewährleisten.

Die drei Anschlüsse des TO-220AB Gehäuses (Gate, Drain und Source) sind klar gekennzeichnet und leicht zugänglich, was die Verdrahtung und den Einbau in Ihre Schaltungen vereinfacht. Das robuste Design des Gehäuses schützt den MOSFET vor äußeren Einflüssen und sorgt für eine lange Lebensdauer.

Vergleich zu anderen MOSFETs

Obwohl es viele verschiedene MOSFETs auf dem Markt gibt, zeichnet sich der IRF 640 VIS durch seine spezifischen Eigenschaften und Vorteile aus. Im Vergleich zu anderen N-Kanal MOSFETs in ähnlicher Preisklasse bietet der IRF 640 VIS oft eine höhere Spannungsfestigkeit und einen geringeren Durchlasswiderstand. Dies führt zu einer höheren Effizienz und einer geringeren Wärmeentwicklung.

Im Vergleich zu leistungsstärkeren MOSFETs mag der IRF 640 VIS nicht die höchsten Ströme schalten können, aber er bietet dennoch eine ausgezeichnete Balance zwischen Leistung, Preis und Benutzerfreundlichkeit. Für viele Anwendungen ist er die ideale Wahl, da er die Anforderungen perfekt erfüllt, ohne das Budget zu sprengen.

Tipps und Tricks für den optimalen Einsatz

Um das volle Potenzial des IRF 640 VIS auszuschöpfen, hier einige Tipps und Tricks für den optimalen Einsatz:

  • Kühlung: Stellen Sie sicher, dass der MOSFET ausreichend gekühlt wird, insbesondere bei hohen Strömen. Verwenden Sie einen Kühlkörper und Wärmeleitpaste, um die Wärmeableitung zu verbessern.
  • Gate-Widerstand: Verwenden Sie einen Gate-Widerstand, um die Schaltgeschwindigkeit zu steuern und Überschwingungen zu vermeiden.
  • Schutzbeschaltung: Schützen Sie den MOSFET vor Überspannungen und Überströmen, indem Sie eine geeignete Schutzbeschaltung verwenden.
  • Datasheet: Lesen Sie das Datenblatt des IRF 640 VIS sorgfältig durch, um alle technischen Daten und Empfehlungen des Herstellers zu berücksichtigen.

Mit diesen Tipps können Sie sicherstellen, dass der IRF 640 VIS in Ihren Projekten zuverlässig und effizient arbeitet.

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IRF 640 VIS

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum IRF 640 VIS:

  1. Frage: Was bedeutet RDS(on)?

    Antwort: RDS(on) steht für den „Drain-Source On-Resistance“, also den Widerstand zwischen Drain und Source, wenn der MOSFET eingeschaltet ist. Ein niedriger RDS(on)-Wert bedeutet geringere Verluste und eine höhere Effizienz.

  2. Frage: Wie kühle ich den IRF 640 VIS richtig?

    Antwort: Verwenden Sie einen Kühlkörper, der auf das TO-220AB Gehäuse passt, und tragen Sie Wärmeleitpaste zwischen MOSFET und Kühlkörper auf, um eine optimale Wärmeübertragung zu gewährleisten.

  3. Frage: Kann ich den IRF 640 VIS auch für PWM-Anwendungen verwenden?

    Antwort: Ja, der IRF 640 VIS ist gut für PWM-Anwendungen geeignet, da er eine schnelle Schaltgeschwindigkeit aufweist. Achten Sie jedoch auf eine ausreichende Kühlung.

  4. Frage: Was ist der Unterschied zwischen einem N-Kanal und einem P-Kanal MOSFET?

    Antwort: Ein N-Kanal MOSFET schaltet ein, wenn eine positive Spannung am Gate anliegt, während ein P-Kanal MOSFET einschaltet, wenn eine negative Spannung am Gate anliegt. N-Kanal MOSFETs sind in der Regel effizienter und werden häufiger verwendet.

  5. Frage: Benötige ich einen Gate-Vorwiderstand?

    Antwort: Ja, ein Gate-Vorwiderstand ist empfehlenswert, um die Schaltgeschwindigkeit zu steuern und Überschwingungen zu vermeiden. Ein typischer Wert liegt zwischen 10 Ohm und 100 Ohm.

  6. Frage: Wo finde ich das Datenblatt des IRF 640 VIS?

    Antwort: Das Datenblatt des IRF 640 VIS finden Sie in der Regel auf der Webseite des Herstellers oder über eine einfache Google-Suche.

  7. Frage: Kann ich den IRF 640 VIS gegen einen anderen MOSFET austauschen?

    Antwort: Ja, aber achten Sie darauf, dass der Ersatz-MOSFET ähnliche oder bessere Spezifikationen aufweist, insbesondere in Bezug auf Spannung, Strom und RDS(on).

Bewertungen: 4.6 / 5. 377

Zusätzliche Informationen
Marke

Vishay

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