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IRF 1310NS - MOSFET

IRF 1310NS – MOSFET, N-Kanal, 100 V, 42 A, Rds(on) 0,036 Ohm, D2-PAK

1,70 €

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Artikelnummer: e12c6a98a4d6 Kategorie: MOSFETs
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Beschreibung

Inhalt

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  • IRF 1310NS – Der ultimative MOSFET für Ihre anspruchsvollen Projekte
  • Technische Brillanz trifft auf einfache Integration
    • Die Vorteile des IRF 1310NS auf einen Blick:
  • Anwendungsbereiche, die begeistern
    • Einige typische Anwendungsbereiche:
  • Technische Daten im Detail
  • Das D2-PAK Gehäuse – Optimale Wärmeableitung und einfache Montage
  • Der IRF 1310NS – Mehr als nur ein MOSFET
  • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IRF 1310NS
    • Was bedeutet Rds(on)?
    • Kann ich den IRF 1310NS für PWM-Anwendungen verwenden?
    • Wie kühle ich den IRF 1310NS richtig?
    • Welche Schutzmaßnahmen sollte ich beim Verwenden des IRF 1310NS beachten?
    • Wo finde ich das Datenblatt für den IRF 1310NS?
    • Ist der IRF 1310NS RoHS-konform?
    • Kann ich den IRF 1310NS als Schalter verwenden?

IRF 1310NS – Der ultimative MOSFET für Ihre anspruchsvollen Projekte

Sie suchen nach einem zuverlässigen und leistungsstarken MOSFET für Ihre neuesten Elektronikprojekte? Der IRF 1310NS ist die Antwort! Dieser N-Kanal MOSFET vereint Robustheit, Effizienz und Präzision in einem kompakten D2-PAK Gehäuse. Lassen Sie sich von seiner Performance begeistern und realisieren Sie Projekte, die neue Maßstäbe setzen.

Technische Brillanz trifft auf einfache Integration

Der IRF 1310NS ist mehr als nur ein Bauteil – er ist ein Schlüssel zu innovativen Lösungen. Mit seiner maximalen Drain-Source-Spannung von 100 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 42 A bietet er ausreichend Spielraum für eine Vielzahl von Anwendungen. Sein niedriger Einschaltwiderstand (Rds(on)) von nur 0,036 Ohm minimiert Leistungsverluste und sorgt für einen effizienten Betrieb. Das Ergebnis: weniger Wärmeentwicklung, höhere Zuverlässigkeit und mehr Leistung für Ihre Projekte.

Die Vorteile des IRF 1310NS auf einen Blick:

  • Hohe Spannungsfestigkeit: 100 V Drain-Source-Spannung für anspruchsvolle Anwendungen.
  • Starker Strom: 42 A kontinuierlicher Drain-Strom für hohe Leistungsfähigkeit.
  • Geringer Einschaltwiderstand: Rds(on) von nur 0,036 Ohm für minimale Verluste und maximale Effizienz.
  • Schnelle Schaltzeiten: Ideal für Anwendungen, die schnelles Schalten erfordern.
  • Robustes D2-PAK Gehäuse: Optimale Wärmeableitung und einfache Montage.

Anwendungsbereiche, die begeistern

Ob Sie an der Entwicklung von Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen, DC-DC-Wandlern oder anderen leistungselektronischen Schaltungen arbeiten – der IRF 1310NS ist Ihr zuverlässiger Partner. Seine Vielseitigkeit und Leistungsfähigkeit machen ihn zur idealen Wahl für eine breite Palette von Anwendungen. Stellen Sie sich vor, wie Sie mit diesem MOSFET Ihre Projekte auf ein neues Level heben und innovative Lösungen schaffen, die begeistern.

Einige typische Anwendungsbereiche:

  • Schaltnetzteile: Effiziente Energieversorgung für Ihre Geräte.
  • Motorsteuerungen: Präzise Steuerung von Elektromotoren in verschiedenen Anwendungen.
  • DC-DC-Wandler: Zuverlässige Spannungswandlung für mobile Geräte und industrielle Anwendungen.
  • Leistungsverstärker: Leistungsstarke Verstärkung von Audiosignalen und anderen Anwendungen.
  • Batteriemanagementsysteme: Optimale Steuerung und Schutz von Batterien in Elektrofahrzeugen und Energiespeichern.

Technische Daten im Detail

Um Ihnen einen umfassenden Überblick über die technischen Eigenschaften des IRF 1310NS zu geben, haben wir die wichtigsten Daten in einer übersichtlichen Tabelle zusammengefasst:

Parameter Wert Einheit
Drain-Source-Spannung (Vds) 100 V
Gate-Source-Spannung (Vgs) ±20 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) 42 A
Puls-Drain-Strom (Idm) 170 A
Verlustleistung (Pd) 130 W
Einschaltwiderstand (Rds(on)) 0,036 Ohm
Gehäuse D2-PAK –

Diese Daten zeigen deutlich, dass der IRF 1310NS ein leistungsstarker und zuverlässiger MOSFET ist, der auch anspruchsvolle Anforderungen erfüllt. Seine hohe Spannungsfestigkeit, sein starker Strom und sein geringer Einschaltwiderstand machen ihn zur idealen Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen.

Das D2-PAK Gehäuse – Optimale Wärmeableitung und einfache Montage

Das D2-PAK Gehäuse des IRF 1310NS bietet nicht nur eine kompakte Bauform, sondern auch hervorragende Wärmeableitungseigenschaften. Dies ist besonders wichtig bei Anwendungen, die hohe Leistung erfordern und bei denen Wärmeentwicklung ein Problem darstellen kann. Durch die effektive Wärmeableitung wird die Lebensdauer des MOSFET verlängert und die Zuverlässigkeit Ihrer Schaltungen erhöht. Darüber hinaus ermöglicht das D2-PAK Gehäuse eine einfache Montage auf der Leiterplatte, was die Integration in Ihre Projekte erleichtert.

Der IRF 1310NS – Mehr als nur ein MOSFET

Der IRF 1310NS ist nicht nur ein elektronisches Bauteil, sondern ein Werkzeug, das Ihnen dabei hilft, Ihre kreativen Ideen in die Realität umzusetzen. Mit seiner Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit können Sie innovative Lösungen entwickeln, die neue Maßstäbe setzen. Lassen Sie sich von seinen Möglichkeiten inspirieren und gestalten Sie die Zukunft der Elektronik!

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IRF 1310NS

Was bedeutet Rds(on)?

Rds(on) steht für den Drain-Source-Einschaltwiderstand. Es ist der Widerstand, der zwischen Drain und Source eines MOSFET entsteht, wenn er eingeschaltet ist. Ein niedriger Rds(on) Wert bedeutet geringere Verluste und höhere Effizienz.

Kann ich den IRF 1310NS für PWM-Anwendungen verwenden?

Ja, der IRF 1310NS ist aufgrund seiner schnellen Schaltzeiten sehr gut für PWM (Pulsweitenmodulation) Anwendungen geeignet. Er kann effizient und präzise geschaltet werden, was ihn ideal für Motorsteuerungen und Schaltnetzteile macht.

Wie kühle ich den IRF 1310NS richtig?

Eine effektive Kühlung ist wichtig, um die Lebensdauer und Zuverlässigkeit des MOSFET zu gewährleisten. Das D2-PAK Gehäuse ist für die Wärmeableitung optimiert. Verwenden Sie Kühlkörper und Wärmeleitpaste, um die Wärme effizient abzuleiten. Achten Sie darauf, dass der Kühlkörper ausreichend dimensioniert ist.

Welche Schutzmaßnahmen sollte ich beim Verwenden des IRF 1310NS beachten?

Es ist wichtig, den IRF 1310NS vor Überspannung, Überstrom und Überhitzung zu schützen. Verwenden Sie geeignete Schutzschaltungen wie TVS-Dioden, Sicherungen und Thermistoren, um Schäden zu vermeiden. Achten Sie auf die maximalen Betriebswerte im Datenblatt.

Wo finde ich das Datenblatt für den IRF 1310NS?

Das Datenblatt für den IRF 1310NS finden Sie auf der Webseite des Herstellers International Rectifier (jetzt Infineon Technologies) oder auf diversen Elektronik-Webseiten und -Shops, die das Produkt anbieten. Dort finden Sie alle technischen Details und Anwendungshinweise.

Ist der IRF 1310NS RoHS-konform?

Ja, der IRF 1310NS ist in der Regel RoHS-konform. Das bedeutet, dass er keine gefährlichen Stoffe enthält, die in der Europäischen Union verboten sind. Überprüfen Sie jedoch immer das aktuelle Datenblatt, um sicherzustellen, dass die RoHS-Konformität gewährleistet ist.

Kann ich den IRF 1310NS als Schalter verwenden?

Ja, der IRF 1310NS kann als Schalter verwendet werden. Er ist ideal für Anwendungen, bei denen hohe Ströme und Spannungen geschaltet werden müssen. Achten Sie darauf, die Steuerspannung (Vgs) innerhalb der spezifizierten Grenzen zu halten, um einen sicheren und zuverlässigen Betrieb zu gewährleisten.

Bewertungen: 4.9 / 5. 697

Zusätzliche Informationen
Marke

Infineon

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