IPW65R280E6 – Der Schlüssel zu effizienter Leistung in Ihren elektronischen Projekten
Tauchen Sie ein in die Welt der Leistungselektronik mit dem IPW65R280E6, einem N-Kanal MOSFET, der speziell für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde. Dieser robuste und zuverlässige Baustein ist nicht nur eine Komponente, sondern ein Versprechen für Stabilität, Effizienz und herausragende Performance in Ihren Projekten. Erleben Sie, wie dieser MOSFET Ihre Geräte beflügelt und neue Möglichkeiten eröffnet.
Technische Brillanz im Detail
Der IPW65R280E6 zeichnet sich durch seine beeindruckenden technischen Daten aus, die ihn zu einer idealen Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen machen:
- Sperrspannung (Vds): 650V – Sicherheit und Zuverlässigkeit auch in anspruchsvollen Umgebungen.
- Dauerstrom (Id): 13,8A – Ausreichend Leistung für viele gängige Anwendungen.
- Verlustleistung (Pd): 104W – Effiziente Wärmeableitung für einen stabilen Betrieb.
- Einschaltwiderstand (Rds(on)): 0,28 Ohm – Minimiert Verluste und maximiert die Effizienz.
- Gehäuse: TO247 – Robuste Bauform für einfache Montage und zuverlässige Leistung.
Diese Werte sprechen für sich und unterstreichen die Leistungsfähigkeit und Vielseitigkeit des IPW65R280E6. Er ist ein Baustein, auf den Sie sich verlassen können, um Ihre Projekte zum Erfolg zu führen.
Anwendungsbereiche, die begeistern
Der IPW65R280E6 ist nicht nur ein Produkt, sondern eine Lösung. Seine Vielseitigkeit ermöglicht den Einsatz in einer breiten Palette von Anwendungen:
- Schaltnetzteile: Optimierung der Energieeffizienz und Stabilisierung der Ausgangsspannung.
- Motorsteuerungen: Präzise und zuverlässige Steuerung von Elektromotoren.
- Leistungswandler: Effiziente Umwandlung von Spannungen für unterschiedlichste Anwendungen.
- USV-Systeme (Unterbrechungsfreie Stromversorgungen): Sicherstellung einer zuverlässigen Stromversorgung im Notfall.
- Wechselrichter: Umwandlung von Gleichstrom in Wechselstrom, beispielsweise in Solaranlagen.
Stellen Sie sich vor, wie der IPW65R280E6 Ihre Geräte optimiert, die Leistung steigert und neue Möglichkeiten eröffnet. Er ist mehr als nur ein Bauteil – er ist ein Partner für Ihre kreativen Projekte.
Warum der IPW65R280E6 die richtige Wahl ist
In einer Welt, in der Leistung und Effizienz zählen, ist der IPW65R280E6 die ideale Wahl. Er bietet Ihnen:
- Hohe Effizienz: Dank des geringen Einschaltwiderstands minimiert er Verluste und spart Energie.
- Zuverlässigkeit: Die robuste Bauform und die hohe Sperrspannung garantieren einen stabilen und langlebigen Betrieb.
- Vielseitigkeit: Einsetzbar in einer Vielzahl von Anwendungen, von Schaltnetzteilen bis hin zu Motorsteuerungen.
- Einfache Integration: Das TO247-Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage und einen schnellen Austausch.
- Optimale Leistung: Entwickelt für anspruchsvolle Anwendungen, bei denen es auf höchste Performance ankommt.
Der IPW65R280E6 ist nicht nur ein Produkt, sondern eine Investition in die Zukunft Ihrer Projekte. Er ist die Grundlage für Innovationen und die Verwirklichung Ihrer Visionen.
Technische Daten im Überblick
Um Ihnen einen noch besseren Überblick zu verschaffen, haben wir die wichtigsten technischen Daten in einer Tabelle zusammengefasst:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Sperrspannung (Vds) | 650 | V |
| Dauerstrom (Id) | 13,8 | A |
| Verlustleistung (Pd) | 104 | W |
| Einschaltwiderstand (Rds(on)) | 0,28 | Ohm |
| Gehäuse | TO247 | – |
Diese Tabelle bietet Ihnen einen schnellen und präzisen Überblick über die Leistungsfähigkeit des IPW65R280E6. Nutzen Sie diese Informationen, um die optimale Lösung für Ihre Anforderungen zu finden.
Der IPW65R280E6 in der Praxis: Anwendungsbeispiele
Lassen Sie uns den IPW65R280E6 anhand einiger konkreter Anwendungsbeispiele veranschaulichen:
- Solaranlage: In einem Wechselrichter wandelt der IPW65R280E6 den von den Solarmodulen erzeugten Gleichstrom effizient in Wechselstrom um, der dann ins öffentliche Netz eingespeist werden kann. Die hohe Effizienz des MOSFET trägt dazu bei, den Gesamtwirkungsgrad der Solaranlage zu maximieren und somit mehr Energie zu gewinnen.
- Elektrofahrzeug: In der Motorsteuerung eines Elektrofahrzeugs sorgt der IPW65R280E6 für eine präzise und zuverlässige Steuerung des Elektromotors. Er ermöglicht eine sanfte Beschleunigung, eine effiziente Bremsenergierückgewinnung und eine optimale Ausnutzung der Batteriekapazität.
- Industrielle Automatisierung: In einem Schaltnetzteil, das in einer industriellen Automatisierungsanlage eingesetzt wird, sorgt der IPW65R280E6 für eine stabile und zuverlässige Stromversorgung der verschiedenen Komponenten. Er trägt dazu bei, Ausfallzeiten zu minimieren und die Produktivität zu steigern.
Diese Beispiele zeigen, wie der IPW65R280E6 in unterschiedlichen Bereichen eingesetzt werden kann, um die Leistung zu optimieren und die Effizienz zu steigern. Er ist ein Schlüsselbaustein für innovative Lösungen und nachhaltige Technologien.
Das TO247-Gehäuse: Robust und benutzerfreundlich
Das TO247-Gehäuse des IPW65R280E6 ist nicht nur robust und widerstandsfähig, sondern auch äußerst benutzerfreundlich. Es ermöglicht eine einfache Montage auf Kühlkörpern und Leiterplatten, was die Integration in Ihre Projekte erheblich vereinfacht. Die großzügige Oberfläche des Gehäuses sorgt für eine optimale Wärmeableitung, was die Lebensdauer des MOSFET verlängert und die Betriebssicherheit erhöht.
Darüber hinaus ist das TO247-Gehäuse standardisiert, was bedeutet, dass es in einer Vielzahl von Anwendungen und Projekten problemlos eingesetzt werden kann. Sie profitieren von einer hohen Verfügbarkeit und einer einfachen Beschaffung von Zubehör und Ersatzteilen.
Der Weg zu Ihren Zielen
Der IPW65R280E6 ist mehr als nur ein Bauteil – er ist ein Partner auf Ihrem Weg zu neuen technologischen Höchstleistungen. Er ermöglicht Ihnen, innovative Lösungen zu entwickeln, die Grenzen des Machbaren zu erweitern und die Welt von morgen zu gestalten. Lassen Sie sich von seiner Leistungsfähigkeit inspirieren und verwirklichen Sie Ihre Visionen.
Bestellen Sie noch heute den IPW65R280E6 und erleben Sie, wie er Ihre Projekte beflügelt! Wir sind überzeugt, dass er Ihnen helfen wird, Ihre Ziele zu erreichen und Ihre Erwartungen zu übertreffen.
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IPW65R280E6
Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum IPW65R280E6. Wir hoffen, dass diese Informationen Ihnen bei Ihrer Entscheidung helfen.
1. Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?
Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, bei dem der Stromfluss durch einen N-dotierten Kanal gesteuert wird. Er wird durch eine positive Spannung am Gate eingeschaltet.
2. Kann ich den IPW65R280E6 auch bei höheren Temperaturen einsetzen?
Der IPW65R280E6 ist für einen bestimmten Temperaturbereich spezifiziert. Bitte beachten Sie das Datenblatt, um die maximal zulässige Betriebstemperatur nicht zu überschreiten. Eine ausreichende Kühlung ist wichtig, um eine Überhitzung zu vermeiden.
3. Welche Kühlkörper empfehlt ihr für den IPW65R280E6?
Die Wahl des Kühlkörpers hängt von der Verlustleistung und der Umgebungstemperatur ab. Wir empfehlen, einen Kühlkörper mit einem Wärmewiderstand zu verwenden, der die maximale Chiptemperatur nicht überschreitet. Konsultieren Sie das Datenblatt für detaillierte Informationen.
4. Wo finde ich das Datenblatt für den IPW65R280E6?
Das Datenblatt für den IPW65R280E6 finden Sie auf der Webseite des Herstellers oder über eine Suchmaschine mit der Eingabe „IPW65R280E6 Datenblatt“.
5. Ist der IPW65R280E6 RoHS-konform?
Ja, der IPW65R280E6 ist RoHS-konform und erfüllt somit die Anforderungen der europäischen Richtlinie zur Beschränkung der Verwendung bestimmter gefährlicher Stoffe in Elektro- und Elektronikgeräten.
6. Was ist der Unterschied zwischen Rds(on) und Vds?
Rds(on) ist der Drain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand (On-State Resistance). Vds ist die Drain-Source-Spannung, also die Spannung zwischen Drain und Source.
7. Kann ich den IPW65R280E6 parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?
Ja, der IPW65R280E6 kann parallel geschaltet werden, um den Strom zu erhöhen. Allerdings ist es wichtig, auf eine gleichmäßige Stromverteilung zu achten, um eine Überlastung einzelner MOSFETs zu vermeiden. Verwenden Sie Gate-Widerstände, um die Stromverteilung zu optimieren.
