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IPW65R280C6 - MOSFET N-Ch 650V 13

IPW65R280C6 – MOSFET N-Ch 650V 13,8A 104W 0,28R TO247

1,30 €

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Artikelnummer: 6025d7eac9dd Kategorie: MOSFETs
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Beschreibung

Inhalt

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  • IPW65R280C6 – Dein Schlüssel zu effizienter Leistungselektronik
    • Technische Details, die überzeugen
    • Anwendungsbereiche, die begeistern
    • Warum der IPW65R280C6 die richtige Wahl ist
    • Technische Daten im Detail
  • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IPW65R280C6
    • 1. Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?
    • 2. Kann ich den IPW65R280C6 für PWM-Anwendungen verwenden?
    • 3. Welche Kühlung wird für den IPW65R280C6 empfohlen?
    • 4. Was ist der Unterschied zwischen Vds und Id?
    • 5. Ist der IPW65R280C6 ESD-geschützt?
    • 6. Wo finde ich detaillierte Datenblätter und Anwendungsbeispiele?
    • 7. Kann ich mehrere IPW65R280C6 parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?

IPW65R280C6 – Dein Schlüssel zu effizienter Leistungselektronik

Tauche ein in die Welt der fortschrittlichen Leistungselektronik mit dem IPW65R280C6, einem N-Kanal MOSFET, der speziell für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde. Dieser robuste und zuverlässige Baustein vereint hohe Leistungsfähigkeit mit bemerkenswerter Energieeffizienz und eröffnet dir so neue Möglichkeiten in deinen Projekten. Ob du ein erfahrener Ingenieur bist, ein ambitionierter Bastler oder einfach nur auf der Suche nach einer soliden Lösung für deine elektronischen Herausforderungen – der IPW65R280C6 wird dich begeistern.

Der IPW65R280C6 ist mehr als nur ein MOSFET. Er ist ein Versprechen für stabile Leistung, lange Lebensdauer und höchste Zuverlässigkeit. Stell dir vor, du arbeitest an einem Projekt, das absolute Präzision und Ausfallsicherheit erfordert. Mit dem IPW65R280C6 kannst du dich entspannt zurücklehnen, denn dieser Baustein hält, was er verspricht. Er ist das Herzstück deiner Schaltung, das dafür sorgt, dass alles reibungslos läuft.

Technische Details, die überzeugen

Der IPW65R280C6 beeindruckt mit seinen technischen Daten, die ihn zu einer idealen Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen machen:

  • N-Kanal MOSFET: Bietet eine hohe Schaltgeschwindigkeit und Effizienz.
  • 650V Sperrspannung: Ermöglicht den Einsatz in Hochspannungsanwendungen.
  • 13,8A Dauerstrom: Stellt ausreichend Leistung für anspruchsvolle Lasten bereit.
  • 104W Verlustleistung: Garantiert eine effiziente Wärmeableitung und somit eine lange Lebensdauer.
  • 0,28 Ohm Durchlasswiderstand (Rds(on)): Minimiert die Verluste und erhöht den Wirkungsgrad.
  • TO247 Gehäuse: Sorgt für eine einfache Montage und optimale Wärmeableitung.

Diese Spezifikationen sind nicht nur Zahlen, sondern sie bedeuten konkrete Vorteile für dich: weniger Energieverbrauch, geringere Wärmeentwicklung und eine höhere Zuverlässigkeit deiner Schaltungen. Der IPW65R280C6 ist ein Investition in die Zukunft deiner Projekte.

Anwendungsbereiche, die begeistern

Die Vielseitigkeit des IPW65R280C6 kennt kaum Grenzen. Hier sind einige Beispiele, wo dieser MOSFET seine Stärken voll ausspielen kann:

  • Schaltnetzteile: Effiziente und zuverlässige Stromversorgung für elektronische Geräte.
  • Motorsteuerungen: Präzise und dynamische Steuerung von Elektromotoren.
  • Leuchtenvorschaltgeräte: Energieeffiziente Ansteuerung von LED- und anderen Leuchtmitteln.
  • Wechselrichter: Umwandlung von Gleich- in Wechselspannung für Solaranlagen und USV-Systeme.
  • Industrielle Anwendungen: Steuerung von Prozessen und Anlagen in der Fertigungstechnik.

Stell dir vor, du entwickelst ein neues, innovatives Produkt, das die Welt verändern wird. Der IPW65R280C6 kann dir dabei helfen, deine Vision zu verwirklichen. Er ist der Baustein, der deine Ideen zum Leben erweckt.

Warum der IPW65R280C6 die richtige Wahl ist

Auf dem Markt gibt es viele MOSFETs, aber der IPW65R280C6 sticht durch seine Kombination aus Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit hervor. Hier sind einige Gründe, warum du dich für diesen Baustein entscheiden solltest:

  • Hohe Qualität: Hergestellt nach höchsten Qualitätsstandards für eine lange Lebensdauer.
  • Geringe Verluste: Minimiert den Energieverbrauch und reduziert die Wärmeentwicklung.
  • Einfache Handhabung: Das TO247 Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage und Verdrahtung.
  • Breites Anwendungsspektrum: Vielseitig einsetzbar in verschiedenen elektronischen Schaltungen.
  • Hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis: Bietet eine hohe Leistung zu einem attraktiven Preis.

Der IPW65R280C6 ist nicht nur ein Produkt, sondern eine Lösung. Er ist die Antwort auf deine Herausforderungen in der Leistungselektronik. Mit diesem MOSFET kannst du deine Projekte erfolgreich umsetzen und deine Ziele erreichen.

Technische Daten im Detail

Hier findest du eine detaillierte Übersicht der technischen Daten des IPW65R280C6:

Parameter Wert Einheit
Sperrspannung (Vds) 650 V
Dauerstrom (Id) 13,8 A
Pulsstrom (Idm) 41,4 A
Verlustleistung (Pd) 104 W
Durchlasswiderstand (Rds(on) bei Vgs=10V) 0,28 Ohm
Gate-Ladung (Qg) 25 nC
Eingangskapazität (Ciss) 700 pF
Anstiegszeit (tr) 9 ns
Fallzeit (tf) 12 ns
Gehäuse TO247 –

Diese detaillierten Informationen ermöglichen es dir, den IPW65R280C6 optimal in deine Schaltungen zu integrieren und seine Leistung voll auszuschöpfen.

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IPW65R280C6

Hier findest du Antworten auf häufig gestellte Fragen zum IPW65R280C6, um dir bei deiner Entscheidung zu helfen:

1. Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?

Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, der den Stromfluss zwischen Source und Drain durch ein elektrisches Feld steuert. „N-Kanal“ bezieht sich auf die Art des Halbleitermaterials, das den Kanal bildet. N-Kanal MOSFETs sind typischerweise schneller und effizienter als P-Kanal MOSFETs.

2. Kann ich den IPW65R280C6 für PWM-Anwendungen verwenden?

Ja, der IPW65R280C6 eignet sich hervorragend für PWM-Anwendungen (Pulsweitenmodulation) aufgrund seiner schnellen Schaltzeiten und geringen Verluste. Dies ermöglicht eine präzise Steuerung von Leistung und Energie in verschiedenen Anwendungen.

3. Welche Kühlung wird für den IPW65R280C6 empfohlen?

Die benötigte Kühlung hängt von der Verlustleistung und der Umgebungstemperatur ab. Für höhere Lasten empfiehlt sich die Verwendung eines Kühlkörpers, um die Wärme effizient abzuführen und die Lebensdauer des MOSFETs zu verlängern. Die Auswahl des Kühlkörpers sollte basierend auf den spezifischen Anforderungen deiner Anwendung erfolgen.

4. Was ist der Unterschied zwischen Vds und Id?

Vds (Drain-Source-Spannung) ist die Spannung zwischen dem Drain- und dem Source-Anschluss des MOSFETs. Id (Drain-Strom) ist der Strom, der durch den MOSFET fließt. Die maximale Vds gibt die maximale Spannung an, die der MOSFET aushalten kann, während die maximale Id den maximalen Strom angibt, den er führen kann.

5. Ist der IPW65R280C6 ESD-geschützt?

Der IPW65R280C6 verfügt über einen gewissen ESD-Schutz, jedoch wird empfohlen, bei der Handhabung und Installation antistatische Maßnahmen zu ergreifen, um Schäden durch elektrostatische Entladung zu vermeiden. Verwende beispielsweise ein Erdungsband und eine antistatische Arbeitsfläche.

6. Wo finde ich detaillierte Datenblätter und Anwendungsbeispiele?

Detaillierte Datenblätter und Anwendungsbeispiele findest du in der Regel auf der Webseite des Herstellers (z.B. Infineon). Dort stehen umfangreiche Informationen zur Verfügung, die dir bei der optimalen Nutzung des IPW65R280C6 helfen.

7. Kann ich mehrere IPW65R280C6 parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?

Ja, es ist möglich, mehrere IPW65R280C6 parallel zu schalten, um den Strom zu erhöhen. Allerdings ist es wichtig, sicherzustellen, dass die MOSFETs gleichmäßig angesteuert werden und dass die Last gleichmäßig aufgeteilt wird, um eine Überlastung einzelner Bauelemente zu vermeiden. Die Verwendung von Gate-Widerständen kann hierbei helfen.

Bewertungen: 4.9 / 5. 773

Zusätzliche Informationen
Marke

Infineon

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