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IPW65R125C7 - MOSFET N-Ch 650V 18A 101W 0

IPW65R125C7 – MOSFET N-Ch 650V 18A 101W 0,125R TO247

4,50 €

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Artikelnummer: 2be912e29dfb Kategorie: MOSFETs
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  • IPW65R125C7 – Der Schlüssel zu effizienter Leistung: MOSFET N-Ch 650V für Ihre anspruchsvollen Projekte
  • Technische Brillanz im Detail
  • Anwendungsbereiche: Wo der IPW65R125C7 glänzt
  • Die Vorteile im Überblick: Warum Sie sich für den IPW65R125C7 entscheiden sollten
    • Technische Daten im Detail
  • FAQ – Ihre Fragen, unsere Antworten

IPW65R125C7 – Der Schlüssel zu effizienter Leistung: MOSFET N-Ch 650V für Ihre anspruchsvollen Projekte

Entdecken Sie den IPW65R125C7, einen hochmodernen N-Kanal MOSFET, der Ihre Elektronikprojekte auf ein neues Level hebt. Mit seinen beeindruckenden Leistungsdaten und seiner robusten Bauweise ist dieser MOSFET die ideale Wahl für anspruchsvolle Anwendungen, die höchste Effizienz und Zuverlässigkeit erfordern. Erleben Sie, wie der IPW65R125C7 Ihre Designs optimiert und Ihnen neue Möglichkeiten eröffnet.

Technische Brillanz im Detail

Der IPW65R125C7 ist mehr als nur ein Bauteil – er ist ein Meisterwerk der Ingenieurskunst, entwickelt, um höchste Ansprüche zu erfüllen. Lassen Sie uns die technischen Details erkunden, die diesen MOSFET so außergewöhnlich machen:

  • N-Kanal-MOSFET: Ermöglicht schnelles Schalten und hohe Effizienz in einer Vielzahl von Anwendungen.
  • 650V Durchbruchspannung: Bietet eine hohe Sicherheitsmarge und Zuverlässigkeit, selbst in anspruchsvollen Umgebungen.
  • 18A Dauerstrom: Bewältigt mühelos hohe Ströme und sorgt für eine stabile Leistung.
  • 101W Verlustleistung: Zeigt die Fähigkeit des MOSFETs, Wärme effizient abzuführen und somit eine lange Lebensdauer zu gewährleisten.
  • 0,125 Ohm Einschaltwiderstand (Rds(on)): Minimiert die Verluste und maximiert die Effizienz Ihrer Schaltungen.
  • TO247 Gehäuse: Bietet eine hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage.

Diese beeindruckenden Spezifikationen machen den IPW65R125C7 zu einem unverzichtbaren Baustein für alle, die höchste Leistung und Zuverlässigkeit suchen.

Anwendungsbereiche: Wo der IPW65R125C7 glänzt

Der IPW65R125C7 ist ein wahrer Alleskönner, der in einer Vielzahl von Anwendungen seine Stärken ausspielt. Hier sind einige Beispiele, wie dieser MOSFET Ihre Projekte voranbringen kann:

  • Schaltnetzteile: Optimieren Sie die Effizienz und Zuverlässigkeit Ihrer Netzteile für Computer, Server und andere elektronische Geräte.
  • Motorsteuerungen: Steuern Sie Motoren präzise und effizient, ideal für Robotik, Elektrowerkzeuge und Elektrofahrzeuge.
  • Wechselrichter: Wandeln Sie Gleichstrom in Wechselstrom um, z.B. für Solaranlagen oder unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV).
  • Leistungsverstärker: Verstärken Sie Audiosignale oder Hochfrequenzsignale mit hoher Effizienz und geringer Verzerrung.
  • Induktionsheizungen: Erzeugen Sie Wärme durch Induktion, z.B. für industrielle Prozesse oder Kochfelder.

Die Vielseitigkeit des IPW65R125C7 kennt kaum Grenzen. Lassen Sie Ihrer Kreativität freien Lauf und entdecken Sie neue Anwendungsmöglichkeiten!

Die Vorteile im Überblick: Warum Sie sich für den IPW65R125C7 entscheiden sollten

Die Entscheidung für den IPW65R125C7 ist eine Investition in die Zukunft Ihrer Projekte. Hier sind die wichtigsten Vorteile, die Sie erwarten können:

  • Höchste Effizienz: Der niedrige Einschaltwiderstand minimiert die Verluste und maximiert die Energieeffizienz Ihrer Schaltungen. Das spart Energie und reduziert die Wärmeentwicklung.
  • Zuverlässigkeit: Die hohe Durchbruchspannung und die robuste Bauweise gewährleisten einen zuverlässigen Betrieb, selbst unter anspruchsvollen Bedingungen.
  • Leistungsstärke: Der hohe Dauerstrom und die hohe Verlustleistung ermöglichen den Einsatz in leistungsstarken Anwendungen.
  • Einfache Integration: Das TO247 Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage und eine effiziente Wärmeableitung.
  • Vielseitigkeit: Der IPW65R125C7 ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, von Schaltnetzteilen bis hin zu Motorsteuerungen.

Mit dem IPW65R125C7 setzen Sie auf ein Produkt, das Ihre Erwartungen übertreffen wird.

Technische Daten im Detail

Parameter Wert Einheit
Drain-Source Spannung (Vds) 650 V
Gate-Source Spannung (Vgs) ±20 V
Dauerstrom (Id) 18 A
Pulsstrom (Idm) 54 A
Verlustleistung (Pd) 101 W
Einschaltwiderstand (Rds(on)) 0,125 Ohm
Gehäuse TO247 –
Betriebstemperatur -55 bis +150 °C

Diese detaillierten technischen Daten geben Ihnen einen umfassenden Überblick über die Leistungsfähigkeit des IPW65R125C7.

FAQ – Ihre Fragen, unsere Antworten

Wir wissen, dass Sie möglicherweise noch Fragen zum IPW65R125C7 haben. Hier finden Sie Antworten auf einige der häufigsten Fragen:

  1. Was bedeutet die Bezeichnung „N-Ch“ bei einem MOSFET?

    Die Bezeichnung „N-Ch“ steht für N-Kanal. Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, bei dem der Stromfluss durch einen N-dotierten Kanal gesteuert wird. Er wird häufig in Schaltungen verwendet, bei denen eine schnelle Schaltung und hohe Effizienz erforderlich sind.

  2. Wie wähle ich den richtigen MOSFET für meine Anwendung aus?

    Die Auswahl des richtigen MOSFETs hängt von verschiedenen Faktoren ab, wie z.B. die benötigte Spannung, der Strom, die Schaltfrequenz und die Umgebungstemperatur. Stellen Sie sicher, dass die maximale Spannung und der Strom des MOSFETs die Anforderungen Ihrer Anwendung erfüllen und dass die Verlustleistung innerhalb der zulässigen Grenzen liegt.

  3. Was ist der Unterschied zwischen Rds(on) und der Durchbruchspannung?

    Rds(on) ist der Einschaltwiderstand des MOSFETs, also der Widerstand zwischen Drain und Source im eingeschalteten Zustand. Die Durchbruchspannung ist die maximale Spannung, die der MOSFET zwischen Drain und Source aushalten kann, ohne zu beschädigen. Ein niedriger Rds(on) bedeutet geringere Verluste, während eine hohe Durchbruchspannung eine größere Sicherheitsmarge bietet.

  4. Kann ich den IPW65R125C7 parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?

    Ja, es ist möglich, mehrere IPW65R125C7 MOSFETs parallel zu schalten, um den Gesamtstrom zu erhöhen. Es ist jedoch wichtig, sicherzustellen, dass die MOSFETs gleichmäßig angesteuert werden und dass die Wärmeableitung ausreichend ist, um Überhitzung zu vermeiden.

  5. Welche Kühlkörper empfiehlt sich für den IPW65R125C7?

    Die Wahl des Kühlkörpers hängt von der Verlustleistung und der Umgebungstemperatur ab. Verwenden Sie einen Kühlkörper, der die Wärme effizient ableiten kann und sicherstellt, dass die maximale Betriebstemperatur des MOSFETs nicht überschritten wird. Beachten Sie die technischen Datenblätter des Herstellers für empfohlene Kühlkörper.

  6. Wo finde ich weitere technische Informationen zum IPW65R125C7?

    Das detaillierte Datenblatt des IPW65R125C7 finden Sie auf der Webseite des Herstellers (z.B. Infineon). Dort finden Sie alle relevanten technischen Daten, Applikationshinweise und Empfehlungen für den optimalen Einsatz des MOSFETs.

Wir hoffen, diese FAQ hat Ihre Fragen beantwortet. Sollten Sie weitere Fragen haben, zögern Sie nicht, uns zu kontaktieren!

Bestellen Sie jetzt Ihren IPW65R125C7 und erleben Sie die Leistungsfähigkeit dieses außergewöhnlichen MOSFETs! Bringen Sie Ihre Projekte auf das nächste Level und profitieren Sie von Effizienz, Zuverlässigkeit und Vielseitigkeit.

Bewertungen: 4.8 / 5. 722

Zusätzliche Informationen
Marke

Infineon

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