IPW60R190E6 – Der Schlüssel zu effizienter Leistung in Ihren Projekten
Tauchen Sie ein in die Welt der Leistungselektronik mit dem IPW60R190E6, einem N-Kanal MOSFET, der Ihre Projekte auf ein neues Level hebt. Dieser robuste und zuverlässige Baustein ist nicht einfach nur ein Transistor – er ist das Herzstück für effiziente Schaltanwendungen, das Ihnen hilft, Energie zu sparen und die Performance Ihrer Geräte zu optimieren. Mit seinen beeindruckenden Spezifikationen und der bewährten Technologie von Infineon ist der IPW60R190E6 die ideale Wahl für anspruchsvolle Anwendungen in den Bereichen Industrie, erneuerbare Energien und mehr.
Stellen Sie sich vor, Sie entwickeln eine hochmoderne Solaranlage oder ein leistungsstarkes Netzteil. Der IPW60R190E6 sorgt dafür, dass die Energie optimal genutzt wird und Ihre Geräte zuverlässig funktionieren. Er ermöglicht es Ihnen, innovative Lösungen zu schaffen, die nicht nur leistungsstark, sondern auch energieeffizient und nachhaltig sind. Lassen Sie sich von der Leistungsfähigkeit dieses MOSFET inspirieren und entdecken Sie die unendlichen Möglichkeiten, die er Ihnen bietet.
Technische Highlights, die Überzeugen
Der IPW60R190E6 besticht durch seine herausragenden technischen Daten, die ihn zu einem unverzichtbaren Bestandteil Ihrer Projekte machen:
- Sperrspannung (Vds): 600 V – Bietet einen hohen Sicherheitsspielraum für anspruchsvolle Anwendungen.
- Dauerstrom (Id): 20,2 A – Ermöglicht die Steuerung hoher Ströme für maximale Leistung.
- Verlustleistung (Pd): 151 W – Zeigt die Fähigkeit, hohe Leistungen effizient zu verarbeiten.
- Einschaltwiderstand (Rds(on)): 0,19 Ohm – Minimiert die Verluste und maximiert die Effizienz.
- Gehäuse: TO247 – Sorgt für eine einfache Montage und eine gute Wärmeableitung.
Diese beeindruckenden Spezifikationen sind das Ergebnis jahrelanger Forschung und Entwicklung bei Infineon. Der IPW60R190E6 wurde entwickelt, um höchsten Ansprüchen gerecht zu werden und Ihnen eine zuverlässige und leistungsstarke Lösung für Ihre Projekte zu bieten. Er ist mehr als nur ein Bauteil – er ist ein Versprechen für Qualität und Innovation.
Anwendungsbereiche, die Begeistern
Die Vielseitigkeit des IPW60R190E6 kennt kaum Grenzen. Er findet Anwendung in einer Vielzahl von Bereichen, die alle von seiner Leistungsfähigkeit und Effizienz profitieren:
- Schaltnetzteile: Optimiert die Energieeffizienz und sorgt für eine stabile Spannungsversorgung.
- Motorsteuerungen: Ermöglicht eine präzise und effiziente Steuerung von Elektromotoren.
- Solar-Wechselrichter: Wandelt Solarenergie effizient in nutzbaren Wechselstrom um.
- USV-Systeme: Gewährleistet eine unterbrechungsfreie Stromversorgung in kritischen Situationen.
- Induktionserwärmung: Ermöglicht eine schnelle und effiziente Erwärmung von Metallen.
Ob Sie nun ein erfahrener Ingenieur oder ein ambitionierter Hobbybastler sind, der IPW60R190E6 bietet Ihnen die Flexibilität und Leistung, die Sie für Ihre Projekte benötigen. Lassen Sie Ihrer Kreativität freien Lauf und entdecken Sie die unzähligen Möglichkeiten, die dieser vielseitige MOSFET bietet.
Technische Daten im Detail
Um Ihnen einen noch detaillierteren Einblick in die technischen Eigenschaften des IPW60R190E6 zu geben, haben wir hier eine tabellarische Übersicht für Sie zusammengestellt:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Drain-Source-Spannung (Vds) | 600 | V |
| Gate-Source-Spannung (Vgs) | ±20 | V |
| Dauer-Drainstrom (Id) bei 25°C | 20,2 | A |
| Puls-Drainstrom (Idm) | 61 | A |
| Verlustleistung (Pd) bei 25°C | 151 | W |
| Einschaltwiderstand (Rds(on)) bei Vgs=10V | 0,19 | Ohm |
| Gate-Ladung (Qg) | 29 | nC |
| Anstiegszeit (tr) | 9 | ns |
| Fallzeit (tf) | 9 | ns |
| Gehäusetyp | TO247 | – |
Diese detaillierten Informationen helfen Ihnen, den IPW60R190E6 optimal in Ihre Schaltungen zu integrieren und seine Leistungsfähigkeit voll auszuschöpfen. Nutzen Sie diese Daten, um Ihre Designs zu perfektionieren und innovative Lösungen zu entwickeln.
Vorteile, die Überzeugen
Der IPW60R190E6 bietet eine Vielzahl von Vorteilen, die ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für Ihre Projekte machen:
- Hohe Effizienz: Minimiert die Verluste und maximiert die Energieausbeute.
- Hohe Zuverlässigkeit: Gewährleistet einen stabilen und zuverlässigen Betrieb Ihrer Geräte.
- Einfache Montage: Das TO247-Gehäuse ermöglicht eine einfache und schnelle Installation.
- Vielseitige Anwendungsmöglichkeiten: Geeignet für eine breite Palette von Anwendungen in verschiedenen Branchen.
- Bewährte Technologie: Basiert auf der langjährigen Erfahrung und Expertise von Infineon.
Mit dem IPW60R190E6 investieren Sie in eine hochwertige und zuverlässige Lösung, die Ihnen langfristig Freude bereiten wird. Er ist ein Baustein, auf den Sie sich verlassen können, um Ihre Projekte erfolgreich umzusetzen.
FAQ – Häufig gestellte Fragen
Hier finden Sie Antworten auf einige häufig gestellte Fragen zum IPW60R190E6:
- Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?
Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, bei dem der Stromfluss zwischen Drain und Source durch ein elektrisches Feld gesteuert wird. „N-Kanal“ bezieht sich auf das Material, das den Kanal zwischen Drain und Source bildet.
- Welche Kühlmaßnahmen sind für den IPW60R190E6 erforderlich?
Die Notwendigkeit einer Kühlung hängt von der Verlustleistung und der Umgebungstemperatur ab. Bei hohen Leistungen ist ein Kühlkörper empfehlenswert, um die maximale Betriebstemperatur nicht zu überschreiten. Berechnen Sie die Verlustleistung und wählen Sie einen geeigneten Kühlkörper entsprechend.
- Kann ich den IPW60R190E6 parallel schalten?
Ja, es ist möglich, mehrere IPW60R190E6 parallel zu schalten, um den Strom zu erhöhen. Es ist jedoch wichtig, Maßnahmen zur Strombalance zu treffen, um eine gleichmäßige Lastverteilung zwischen den Transistoren zu gewährleisten. Dies kann beispielsweise durch individuelle Gate-Widerstände oder eine angepasste Leiterplattenführung erreicht werden.
- Wo finde ich das vollständige Datenblatt des IPW60R190E6?
Das vollständige Datenblatt des IPW60R190E6 finden Sie auf der Webseite von Infineon oder in unserer Download-Sektion auf der Produktseite.
- Ist der IPW60R190E6 RoHS-konform?
Ja, der IPW60R190E6 ist RoHS-konform und erfüllt somit die Anforderungen der Europäischen Richtlinie zur Beschränkung der Verwendung bestimmter gefährlicher Stoffe in Elektro- und Elektronikgeräten.
- Welche alternativen MOSFETs gibt es zum IPW60R190E6?
Es gibt verschiedene alternative MOSFETs mit ähnlichen Spezifikationen, abhängig von Ihren spezifischen Anforderungen. Beispiele wären MOSFETs von anderen Herstellern mit ähnlicher Spannungsfestigkeit, Strombelastbarkeit und Einschaltwiderstand. Vergleichen Sie die Datenblätter sorgfältig, um den besten Ersatz zu finden.
- Wie schütze ich den IPW60R190E6 vor Überspannung?
Überspannungsschutz kann durch verschiedene Maßnahmen erreicht werden, wie z.B. die Verwendung von TVS-Dioden (Transient Voltage Suppression) oder Zener-Dioden, die parallel zum MOSFET geschaltet werden. Diese Dioden leiten die überschüssige Spannung ab und schützen den MOSFET vor Beschädigungen.
