IPW60R180C7 – MOSFET N-Ch 600V 13A 68W 0,18R TO247

Der IPW60R180C7 MOSFET – Ihr Schlüssel zu Höchstleistung in der Leistungselektronik

Tauchen Sie ein in die Welt der effizienten Energieumwandlung mit dem IPW60R180C7, einem N-Kanal MOSFET, der speziell für anspruchsvolle Anwendungen in der Leistungselektronik entwickelt wurde. Dieser robuste und zuverlässige Baustein bietet eine beeindruckende Kombination aus hoher Spannungsfestigkeit, niedrigem Einschaltwiderstand und exzellenten Schaltcharakteristiken. Erleben Sie, wie dieser MOSFET Ihre Designs auf ein neues Level hebt und Ihnen ermöglicht, innovative und energieeffiziente Lösungen zu realisieren.

Technische Brillanz im Detail

Der IPW60R180C7 überzeugt mit seinen herausragenden technischen Daten, die ihn zur idealen Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen machen. Hier ein detaillierter Blick auf seine wichtigsten Eigenschaften:

• N-Kanal MOSFET: Ermöglicht eine einfache Ansteuerung und hohe Effizienz in gängigen Schaltungsdesigns.
• Spannungsfestigkeit von 600V: Bietet einen großen Sicherheitsspielraum und schützt Ihre Schaltungen vor Überspannungen.
• Dauerstrom von 13A: Ermöglicht die Steuerung von signifikanten Lasten ohne Leistungseinbußen.
• Verlustleistung von 68W: Zeugt von seiner Fähigkeit, Wärme effizient abzuführen und einen stabilen Betrieb zu gewährleisten.
• Einschaltwiderstand von 0,18 Ohm: Minimiert die Verluste während des Schaltvorgangs und steigert die Gesamteffizienz Ihrer Anwendung.
• TO247 Gehäuse: Bietet eine ausgezeichnete Wärmeableitung und ermöglicht eine einfache Montage.

Anwendungsgebiete, die begeistern

Die Vielseitigkeit des IPW60R180C7 kennt kaum Grenzen. Er ist die perfekte Wahl für eine breite Palette von Anwendungen, die höchste Ansprüche an Leistung und Zuverlässigkeit stellen. Lassen Sie sich von den folgenden Beispielen inspirieren:

• Schaltnetzteile (SMPS): Erzielen Sie eine höhere Effizienz und reduzieren Sie die Baugröße Ihrer Netzteile.
• Leistungsumrichter: Wandeln Sie Energie effizient um, ob für erneuerbare Energien, Elektromobilität oder industrielle Anwendungen.
• Motorsteuerungen: Steuern Sie Motoren präzise und effizient, von kleinen Haushaltsgeräten bis hin zu anspruchsvollen Industrieantrieben.
• Beleuchtungstechnik: Realisieren Sie energieeffiziente und langlebige Beleuchtungssysteme mit LED-Treibern auf Basis des IPW60R180C7.
• Induktionserwärmung: Erzeugen Sie präzise und effiziente Wärme für industrielle Prozesse und Haushaltsanwendungen.

Der IPW60R180C7 im Vergleich – Ein Klassenprimus

Um die Überlegenheit des IPW60R180C7 hervorzuheben, lohnt sich ein Blick auf seine wichtigsten Wettbewerbsvorteile:

Wie die Tabelle zeigt, bietet der IPW60R180C7 einen hervorragenden Kompromiss aus Spannungsfestigkeit, Einschaltwiderstand und Dauerstrom. Das TO247 Gehäuse sorgt für eine effiziente Wärmeableitung, was besonders bei anspruchsvollen Anwendungen von Vorteil ist. Obwohl einige Wettbewerbsprodukte in einzelnen Parametern geringfügig besser abschneiden, bietet der IPW60R180C7 insgesamt ein überzeugendes Gesamtpaket.

Warum der IPW60R180C7 Ihre beste Wahl ist

Die Entscheidung für den IPW60R180C7 ist eine Investition in die Zukunft Ihrer Projekte. Er bietet nicht nur herausragende Leistung, sondern auch eine Reihe von Vorteilen, die ihn von der Konkurrenz abheben:

• Höchste Zuverlässigkeit: Der IPW60R180C7 wird unter strengsten Qualitätsstandards gefertigt und garantiert einen zuverlässigen Betrieb über lange Zeiträume.
• Optimale Effizienz: Der niedrige Einschaltwiderstand minimiert die Verluste und trägt zu einer höheren Gesamteffizienz Ihrer Anwendung bei.
• Einfache Integration: Das TO247 Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage und eine effiziente Wärmeableitung.
• Vielseitige Einsatzmöglichkeiten: Der IPW60R180C7 ist für eine breite Palette von Anwendungen geeignet und bietet Ihnen maximale Flexibilität.
• Exzellentes Preis-Leistungs-Verhältnis: Sie erhalten ein hochwertiges Produkt zu einem fairen Preis.

Mit dem IPW60R180C7 setzen Sie auf einen MOSFET, der Ihre Erwartungen übertrifft und Ihnen dabei hilft, innovative und erfolgreiche Produkte zu entwickeln. Vertrauen Sie auf seine Leistung und Zuverlässigkeit, um Ihre Projekte auf ein neues Level zu heben.

FAQ – Ihre Fragen, unsere Antworten

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum IPW60R180C7. Wenn Sie weitere Fragen haben, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.

1. Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?

   Ein N-Kanal MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) ist ein Transistor, bei dem der Stromfluss zwischen Source und Drain durch ein elektrisches Feld gesteuert wird, das durch eine Spannung an der Gate-Elektrode erzeugt wird. „N-Kanal“ bezieht sich auf das Dotierungsmaterial im Kanal, das mehrheitlich negativ geladene Ladungsträger (Elektronen) enthält.

2. Wie berechne ich die benötigte Kühlleistung für den IPW60R180C7?

   Die benötigte Kühlleistung hängt von der Verlustleistung des MOSFET und der maximal zulässigen Gehäusetemperatur ab. Die Verlustleistung kann mit der Formel P = I^2 * R berechnet werden, wobei I der Strom durch den MOSFET und R der Einschaltwiderstand ist. Die benötigte Kühlleistung ist dann die Differenz zwischen der Verlustleistung und der Wärme, die das Gehäuse ohne Kühlung abführen kann. Es ist ratsam, einen Kühlkörper mit ausreichend Kühlfläche zu verwenden, um die Gehäusetemperatur unter dem maximal zulässigen Wert zu halten.

3. Kann ich den IPW60R180C7 parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?

   Ja, es ist möglich, mehrere IPW60R180C7 parallel zu schalten, um den Gesamtstrom zu erhöhen. Allerdings ist es wichtig, sicherzustellen, dass die MOSFETs gut aufeinander abgestimmt sind, um eine gleichmäßige Stromverteilung zu gewährleisten. Dies kann durch den Einsatz von Vorwiderständen in den Gate- oder Source-Leitungen erreicht werden. Achten Sie auch auf eine ausreichende Kühlung aller MOSFETs.

4. Welche Gate-Vorwiderstände werden empfohlen?

   Die Wahl der Gate-Vorwiderstände hängt von der Schaltfrequenz und den gewünschten Schaltzeiten ab. Ein zu hoher Widerstand kann die Schaltzeiten verlängern, während ein zu niedriger Widerstand zu hohen Gate-Strömen führen kann. Typischerweise werden Werte zwischen 10 Ohm und 100 Ohm verwendet. Es empfiehlt sich, die Empfehlungen im Datenblatt des Herstellers zu beachten und gegebenenfalls Simulationen durchzuführen, um die optimalen Werte zu ermitteln.

5. Was ist bei der Auswahl des Gate-Treibers zu beachten?

   Bei der Auswahl des Gate-Treibers sollten Sie auf die benötigte Gate-Ladung und die gewünschten Schaltzeiten achten. Der Gate-Treiber sollte in der Lage sein, die Gate-Kapazität des MOSFET schnell aufzuladen und zu entladen. Außerdem sollte er über einen ausreichenden Strom verfügen, um die Schaltzeiten zu minimieren. Es ist auch wichtig, auf die Spannungsfestigkeit des Gate-Treibers zu achten und sicherzustellen, dass er mit der Versorgungsspannung des MOSFET kompatibel ist.

6. Ist der IPW60R180C7 RoHS-konform?

   Ja, der IPW60R180C7 ist RoHS-konform. Dies bedeutet, dass er die Richtlinien der Europäischen Union zur Beschränkung der Verwendung bestimmter gefährlicher Stoffe in Elektro- und Elektronikgeräten erfüllt.

7. Wo finde ich das vollständige Datenblatt des IPW60R180C7?

   Das vollständige Datenblatt des IPW60R180C7 finden Sie auf der Webseite des Herstellers Infineon Technologies oder auf unserer Produktseite unter dem Reiter „Downloads“. Das Datenblatt enthält detaillierte Informationen zu den elektrischen Eigenschaften, den thermischen Daten und den empfohlenen Betriebsbedingungen des MOSFET.